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[发明专利]单段式硅棒截断机及其截断方法-CN201610345661.7有效
发明人：卢建伟 -专利权人：天通日进精密技术有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单段硅棒截断机及其截断方法，单段硅棒截断机包括：机座；硅棒输送台，设于所述机座的切割区，用于承载待切割的硅棒并驱动所述硅棒沿着所述硅棒的轴向进行输送；单段切割设备，包括：移动切割架，沿着所述硅棒输送台滑设于所述机座；单段线切割单元，设于所述移动切割架且可升降地设于所述硅棒输送台的上方，用于将所述硅棒切割进行单段切割，获得符合工件规格的单段硅棒截段。本发明的单段硅棒截断机，先根据规定的硅棒尺寸调节移动切割架的位置，再通过单段线切割单元将所述硅棒切割进行单段切割，使待切割的硅棒符合规定的切割长度，获得符合工件规格的单段硅棒截段。调节移动切割架的位置，可满足任意尺寸的硅棒的切割工作。
段式截断及其方法

[实用新型]单段式硅棒截断机-CN201620474897.6有效
发明人：卢建伟 -专利权人：上海日进机床有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： B28D1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单段硅棒截断机，包括：机座；硅棒输送台，设于所述机座的切割区，用于承载待切割的硅棒并驱动所述硅棒沿着所述硅棒的轴向进行输送；单段切割设备，包括：移动切割架，沿着所述硅棒输送台滑设于所述机座；单段线切割单元，设于所述移动切割架且可升降地设于所述硅棒输送台的上方，用于将所述硅棒切割进行单段切割，获得符合工件规格的单段硅棒截段。本实用新型的单段硅棒截断机，先根据规定的硅棒尺寸调节移动切割架的位置，再通过单段线切割单元将所述硅棒切割进行单段切割，使待切割的硅棒符合规定的切割长度，获得符合工件规格的单段硅棒截段。并且，调节移动切割架的位置，可以满足任意尺寸的硅棒的切割工作。
段式截断

[发明专利]一种自动感应可旋转晶片发电的门窗系统-CN202210393120.7在审
发明人：夏永;夏兵;周严严 -专利权人：浙江太秀幕墙门窗系统股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： E06B9/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动感应可旋转晶片发电的门窗系统，包括框体主体，所述框体主体的内部转动设有多个单硅晶片，所述单硅晶片由上至下呈格栅状排列，所述框体主体的一侧设有驱动所述单硅晶片转动的驱动机构，所述框体主体的一侧设有用于控制所述驱动机构的传感器，本发明通过设置框体主体，框体主体内部呈格栅状设置可旋转的单硅晶片，通过控制单硅晶片在框体主体内部的倾斜角度，调节框体主体的透光度，从而起到挡光的作用，当外部光线较强，光照较强时，单硅晶片转动至竖直状态，单硅晶片构成一个整体，从而在挡光的同时，单硅晶片发电，而当外部光效较弱时，单硅晶片转动，使得单硅晶片之间形成供光线穿过的缝隙，供室内采光。
一种自动感应旋转晶片发电门窗系统

[实用新型]一种自动感应可旋转晶片发电的门窗系统-CN202220865534.0有效
发明人：夏永;夏兵;周严严 -专利权人：浙江太秀幕墙门窗系统股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： E06B9/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动感应可旋转晶片发电的门窗系统，包括框体主体，所述框体主体的内部转动设有多个单硅晶片，所述单硅晶片由上至下呈格栅状排列，所述框体主体的一侧设有驱动所述单硅晶片转动的驱动机构，所述框体主体的一侧设有用于控制所述驱动机构的传感器，本实用新型通过设置框体主体，框体主体内部呈格栅状设置可旋转的单硅晶片，通过控制单硅晶片在框体主体内部的倾斜角度，调节框体主体的透光度，从而起到挡光的作用，当外部光线较强，光照较强时，单硅晶片转动至竖直状态，单硅晶片构成一个整体，从而在挡光的同时，单硅晶片发电，而当外部光效较弱时，单硅晶片转动，使得单硅晶片之间形成供光线穿过的缝隙，供室内采光。
一种自动感应旋转晶片发电门窗系统

[实用新型]一种单硅纸高速复卷装置-CN202321065781.3有效
发明人：李丕友;吴恒;金芳亮 -专利权人：南通华凯新材料科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B65H18/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单硅纸高速复卷装置，涉及单硅纸复卷技术领域，该单硅纸高速复卷装置旨在解决现有技术下无法对单硅纸进行压紧收卷处理的技术问题；该复卷装置包括底板；底板的上端设置有摆放座，摆放座的内侧设置有单硅纸卷，固定背板的外侧设置有整平辊，固定背板的内侧设置有调节组件，固定背板的外侧设置有活动辊，固定背板的外侧设置有压紧组件，压紧组件设置有三组，固定背板的外侧设置有第一电机，第一电机的输出端设置有复位卷；该单硅纸高速复卷装置通过调节组件带动活动辊上下调节，通过活动辊对单硅纸进行压紧处理，通过三组压紧组件对单硅纸进行压紧处理，实现对单硅纸进行压紧收卷处理。
一种单硅纸高速装置

[实用新型]一种单护页针助硅化器-CN201620769550.4有效
发明人：王开宇 -专利权人：四川南格尔生物科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： B05C3/09 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单护页针助硅化器，包括弹性打气球(1)、连接件(2)和安装管(5)，所述连接件(2)为中空腔体，其一端与弹性打气球(1)连接且相通，另一端与安装管(5)一端连接且相通，所述安装管(5)另一端为单护页针安装端。在对单护页针进行硅化时，先通过挤压弹性打气球以排出其内腔中的空气，然后，保持弹性打气球处于按压状态，将单护页针针管插入到硅化剂池中，放松弹性打气球，使单护页针吸入硅化剂，即可完成硅化作业；在取出硅化后的单护页针后，再次挤压弹性打气球，即可排出其内腔中的硅化剂，因此，整个单护页针的硅化操作简单，且硅化迅速、完全，硅化完毕后，还可避免残留硅化剂堵针。
一种单护页针助硅化器

[实用新型]脊柱关节科专用无菌敷贴-CN201820776610.4有效
发明人：潘光跃;余志勇 -专利权人：浙江省淳安县人和医疗用品工贸有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： A61F13/02 文献下载
摘要：本实用新型提供的脊柱关节科专用无菌敷贴，包括涂129A溶剂胶水刺无纺布基带、单面覆膜吸收垫内芯、第一单硅格拉辛离型纸、第二单硅格拉辛离型纸、初包装袋，所述的初包装袋内安装有涂129A溶剂胶水刺无纺布基带、单面覆膜吸收垫内芯、第一单硅格拉辛离型纸和第二单硅格拉辛离型纸，所述的涂129A溶剂胶水刺无纺布基带的上方连接有单面覆膜吸收垫内芯，所述的涂129A溶剂胶水刺无纺布基带的左侧连接有第一单硅格拉辛离型纸，所述的涂129A溶剂胶水刺无纺布基带的右侧连接有第二单硅格拉辛离型纸，所述的第一单硅格拉辛离型纸在第二单硅格拉辛离型纸的上方，治疗效果好，手撕方便。
格拉辛离型纸单硅无纺布基胶水溶剂吸收垫覆膜内芯脊柱关节包装袋无菌治疗效果敷贴手撕

[发明专利]一种单硅晶片表面抛光装置及使用方法-CN202111330781.7在审
发明人：杨阳;杨振华;季富华;管家辉 -专利权人：无锡上机数控股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单硅晶片表面抛光装置及使用方法，涉及单硅晶片技术领域。本发明包括机身主体，还包括有：抛光机构、横向移动机构、垂直移动机构、硅片固定机构、角度调节机构和硅片传动机构。本发明通过各个配件的配合，能够有效的对单硅晶片的各个角度进行抛光打磨，且通过启动硅片传动机构带动单硅晶片进行往复移动，能够使抛光机构较为均匀的对单硅晶片进行打磨，从而大大的提升单硅晶片的表面光滑度，且通过设置可调节传动板能够较为简单的调节角度调节机构的移动行程，适用于不同尺寸的单硅晶片，简化了操作的工序。
一种晶片表面抛光装置使用方法

[发明专利]单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池-CN200710193656.X无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。
结晶太阳能电池制造方法

[发明专利]硅接合型二极管及其制造方法-CN03154928.4无效
发明人：尾藤三津雄 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2003-08-22 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种电容温度系数具有负值的硅接合型二极管。第2硅单结晶层(16)的第2物质的含有浓度设定成比第1硅单结晶层(14)的第1物质的浓度低、并且在第2硅单结晶层(16)中导入第4族并且完全固溶型的元素、使第1硅单结晶层(14)和第2硅单结晶层(16)接合形成的硅接合型二极管(10)，具有现有技术中没能实现的零或者负的电容温度系数。例如，硅接合型二极管(10)的电容温度系数为—1500ppm/℃。
接合二极管及其制造方法

[发明专利]一种单根硅纳米线荧光寿命温度计及其制备方法和应用-CN202011014024.4在审
发明人：师文生;王远;穆丽璇 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01K11/20 文献下载
摘要：本发明公开一种单根硅纳米线荧光寿命温度计及其制备方法和应用。本发明首先公开了单根硅纳米线荧光寿命温度计是以单根硅纳米线为基底，单根硅纳米线表面共价修饰有对温度敏感的荧光小分子。本发明进一步公开了上述单根硅纳米线荧光寿命温度计的制备方法及在单细胞温度检测中的应用。本发明单根硅纳米线荧光寿命温度计在进行单细胞温度检测时，能够有效的消除细胞外环境对于细胞温度造成的影响，同时利用荧光寿命作为检测指标，可消除荧光自身信号的干扰，能够准确的检测细胞的温度。另外，单根硅纳米线荧光寿命温度计制备方法简单，可进行批量生产。
一种单根硅纳米荧光寿命温度计及其制备方法应用

[实用新型]一种透气穴位贴-CN202120341235.2有效
发明人：潘光跃 -专利权人：浙江省淳安县人和医疗用品工贸有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： A61K9/70 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种透气穴位贴，包括基带(1)、单硅离型纸(2)和内芯(3)，所述内芯(3)夹设于所述基带(1)和单硅离型纸(2)之间，所述内芯(3)为圆环状，所述内芯(3)与基带(1)之间设置有珠光膜(4)；所述基带(1)和所述单硅离型纸(2)的形状大小相适配，所述内芯(3)外径所形成的圆的面积小于所述基带(1)和所述单硅离型纸(2)的面积，所述内芯(3)夹设于所述基带(1)和单硅离型纸(2)之间的中心位置；所述基带(1)和所述单硅离型纸(2)间靠近所述基带(1)和所述单硅离型纸(2)边缘位置还设置有易撕条(5)。
一种透气穴位

[发明专利]高光电转换效率太阳能电池的制造方法及高光电转换效率太阳能电池-CN201680090735.5有效
发明人：桥上洋;渡部武纪;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为
光电转换效率太阳能电池制造方法

[发明专利]一种金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻工艺-CN202211008027.6在审
发明人：周瑞平;张东升 -专利权人：江苏佰元鸿金属科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明在制备金属氧化物蚀刻液组合物时，先将五甲基二硅氧烷和八甲基环四硅氧烷反应制得单端含氢聚硅氧烷，将单端含氢聚硅氧烷和对氨基苯乙烯反应制得单端氨基聚硅氧烷，将聚乙二醇单甲醚依次和丁二酸酐、氯化亚砜反应制得酰化聚乙二醇单甲醚，将单端氨基聚硅氧烷和酰化聚乙二醇单甲醚反应制得单端聚醚基聚硅氧烷，将单端聚醚基聚硅氧烷、有机酸、无机酸盐、唑类化合物、醇类化合物、乙醇胺和纯水混合并调节pH制得金属氧化物蚀刻液组合物。
一种金属氧化物蚀刻组合工艺

[发明专利]全氟碘制备单端Z型全氟聚醚硅氧烷的方法-CN201610551515.X有效
发明人：唐旭东;冯裕智;毛占伟 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C08G65/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用全氟碘烷制备单端Z型全氟聚醚硅氧烷的方法，通过全氟碘、α，ω‑全氟聚醚烯丙基醚与含氢硅氧烷反应，得到单端Z型全氟聚醚硅氧烷。包括以下合成步骤⑴单端Z型全氟聚醚烯丙基醚的制备；⑵单端Z型全氟聚醚烯丙基醚硅烷化，最终获得单端Z型全氟聚醚硅氧烷。本发明制备的单端Z型全氟聚醚硅氧烷比α‑K型全氟聚醚硅氧烷具有更加优异的爽滑性、润滑性和耐磨擦性。
全氟碘制备型全氟聚醚硅氧烷方法

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