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[发明专利]多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法-CN201510659806.6在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
多室砷化镓单晶生长及其方法

[发明专利]一种砷化镓单晶晶体及其制备方法-CN202210403538.1在审
发明人：高佑君 -专利权人：山西中科晶电信息材料有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓单晶晶体及其制备方法。一种砷化镓单晶晶体，载流子浓度为1×1018～4×1018/cm3，迁移率为1700～2600cm2/v•s；在同等Si载流子浓度下，所述以SixAsy化合物为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度比以单质Si为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度至少低20%；所述砷化镓单晶晶体的B含量≤5×1018/cm3。本申请的砷化镓单晶晶体的制备方法是在砷化镓单晶生长前，使SixAsy化合物分布于砷化镓多晶中。此制备方法能够减轻砷化镓单晶的“B污染”，从而提高砷化镓单晶晶体的性能。
一种砷化镓单晶晶体及其制备方法

[发明专利]一种单晶炉的二次加料装置及加料方法-CN201911283075.4在审
发明人：曹玲玲;杨明财;郭梅珍;史正斌;任长春;鲍守珍;王茜;蔡延国;宗冰 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉的二次加料装置及加料方法,涉及单晶棒生产技术领域，包括化料炉和至少一个单晶炉，多个所述单晶炉均与化料炉之间连接有进料筒；所述化料炉内安装有具有倾倒功能的支撑架和安装在支撑架上的化料坩埚；所述化料室内还安装有加热器。本发明使单晶炉内在制作单晶硅棒的同时能对硅料进行熔融，使单晶炉内的硅棒在制作完成后，向单晶炉内补充的硅料即为熔融状，使单晶炉完成加料后能马上进行单晶硅棒的制作，使单晶硅棒的生产效率大大提高。
一种单晶炉二次加料装置方法

[发明专利]半导体多晶化系统和对单晶半导体基板进行多晶化的方法-CN201610556752.5有效
发明人：严允晟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体多晶化系统和对单晶半导体基板进行多晶化的方法，所述半导体多晶化系统具有多个喷射口，所述喷射口用于喷射热气体使单晶半导体基板中的单晶半导体多晶化。本发明通过喷射口向单晶半导体基板喷射热气体，在热气体中热量的作用下，单晶半导体基板中的单晶半导体变为多晶半导体，从而实现多晶化。
半导体多晶系统进行方法

[发明专利]一种锑化铟<211>方向单晶的制备方法-CN201711421012.1在审
发明人：李忠良;叶薇;李增寿;刘世能;陈建才;何雯瑾;苏玉辉;龚晓霞;太云见;赵鹏;黄晖 -专利权人：云南北方昆物光电科技发展有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种锑化铟<211>方向单晶的制备方法，属于光电材料技术领域。本发明所述方法主要对拉晶过程中温度、籽晶提拉速度以及放肩角度的调控，成功实现对锑化铟<211>方向单晶的制备；并且通过对拉晶结束后的锑化铟<211>方向单晶进行原位退火处理，大大降低所制备的锑化铟<211>方向单晶的位错密度。与锑化铟<111>方向单晶相比，采用本发明所述锑化铟<211>方向单晶制备的红外探测器的性能更稳定，本发明提供了一种能够成功制备锑化铟<211>方向单晶的技术方案，从而大大拓宽了锑化铟<211>方向单晶在红外探测器上的应用
锑化铟单晶制备红外探测器对拉单晶制备光电材料原位退火放肩提拉位错籽晶成功调控应用

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备-CN201310510132.4有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺及其设备

[实用新型]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备-CN201320662632.5有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长设备

[发明专利]图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器-CN201911138581.4有效
发明人：罗文博;简珂;吴传贵;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器；包括如下步骤：从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，形成损伤层，得到损伤的压电单晶晶圆；在损伤的压电单晶晶圆的下表面对单晶薄膜层进行图形化处理；再制备图形化的键合层；将衬底叠放于键合层上，进行键合固化处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，制备得到具有图形化的单晶薄膜。通过图形化单晶薄膜制备方法以解决现有技术中存在的整片晶圆的键合剥离时，键合压力不易控制，且应力堆积过大，容易损伤器件需要的单晶薄膜区域的技术问题。
图形化单晶薄膜制备方法谐振器

[发明专利]锑化铟芯片的制备方法-CN202011383350.2在审
发明人：郑律;马可军;俞振中;门楠;陈占胜 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种锑化铟芯片的制备方法，该制备方法包括：制备一个第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行化学腐蚀以除去第二预设厚度的损伤层；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行半导体掺杂以使所述锑化铟单晶晶圆具有一个第一预设深度的p型层；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行光刻以形成芯片图形；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行蒸镀以形成芯片电极；用填充物填充至所述锑化铟单晶晶圆的正面并将所述锑化铟单晶晶圆反贴至一个基片；对所述锑化铟单晶晶圆的反面进行减薄至预设位置本申请的有益之处在于提供了一种能有效克服分凝系数以及加工误差带来的良率问题的锑化铟芯片的制备方法。
锑化铟芯片制备方法

[发明专利]一种砷化镓单晶生长装置及生长方法-CN202011439182.4在审
发明人：王金灵;周铁军;严卫东;马金峰 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓单晶生长装置及生长方法，砷化镓单晶生长装置包括石英帽、石英管和氮化硼坩埚；在xyz的三维空间直角坐标系中，所述氮化硼坩埚置于所述石英管内部并且所述石英帽与所述石英管密封连接后，所述石英帽壁的内表面的空间位置符合函数关系本发明的砷化镓单晶生长装置可以显著提高大直径砷化镓单晶载离子浓度的均匀性，降低大直径砷化镓单晶载离子浓度的不均匀性，降低砷化镓单晶的位错密度；提高砷化镓单晶的质量，提高砷化镓单晶的直径，砷化镓单晶的生长直径达到
一种砷化镓单晶生长装置方法

[实用新型]一种砷化镓单晶生长装置-CN202022945434.2有效
发明人：王金灵;周铁军;严卫东;马金峰 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种砷化镓单晶生长装置，砷化镓单晶生长装置包括石英帽、石英管和氮化硼坩埚；在xyz的三维空间直角坐标系中，所述氮化硼坩埚置于所述石英管内部并且所述石英帽与所述石英管密封连接后，所述石英帽壁的内表面的空间位置符合函数关系本实用新型的砷化镓单晶生长装置可以显著提高大直径砷化镓单晶载离子浓度的均匀性，降低大直径砷化镓单晶载离子浓度的不均匀性，降低砷化镓单晶的位错密度；提高砷化镓单晶的质量，提高砷化镓单晶的直径，砷化镓单晶的生长直径达到
一种砷化镓单晶生长装置

[发明专利]一种砷化镓单晶生长装置及生长方法-CN201910783555.0有效
发明人：王金灵;周铁军;严卫东;马金峰 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓单晶生长装置及生长方法，属于晶体生长领域。本发明通过改进石英管形状和单晶炉的结构，实现从砷和镓原料到砷化镓单晶的一体化单晶生长工艺。本发明的石英管部件包括单晶石英管和W形多晶石英管，两者焊接在一起，再进行装料，之后抽真空焊接石英帽密封；单晶炉改造成水平和垂直转换炉体，通过控制使炉体从水平状慢慢垂直，合成多晶时为水平状，生长单晶时转动为垂直状，再通过温度控制生长出合格的单晶。本发明的方法减少砷化镓多晶合成和单晶生长的工序，缩短单晶生长的时间，杂质较少，生长的单晶性能和质量更好，成晶率更高。
一种砷化镓单晶生长装置方法

[发明专利]一种低位错锑化铟<111>方向单晶的制备方法-CN201811444472.0在审
发明人：刘世能;李忠良;叶薇;陈建才;何雯瑾;太云见;赵鹏;黄晖 -专利权人：云南北方昆物光电科技发展有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种低位错锑化铟<111>方向单晶的制备方法，属于光电材料技术领域。所述方法主要对拉晶过程中温度、籽晶提拉速度以及放肩角度进行调控，实现直拉法生长锑化铟<111>方向单晶，拉晶结束对形成的锑化铟<111>方向单晶进行原位的退火处理，能够大大降低所制备的锑化铟<111>方向单晶的位错，使直径为50mm左右的大尺寸锑化铟<111>方向单晶的位错低密度于30个/cm²。采用锑化铟<111>方向低位错单晶制备的红外探测器的性能更稳定，所述方法大大拓宽了锑化铟<111>方向单晶在红外探测器上的应用。
锑化铟单晶低位制备红外探测器位错单晶制备光电材料退火处理直拉法对拉放肩拉晶提拉籽晶生长调控应用

[发明专利]一种锑化镓单晶片的抛光方法-CN202010737567.2有效
发明人：黄立;严冰;梁红昱;张冰洁;张传杰;刘伟华 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种锑化镓单晶片的抛光方法，包括如下步骤：1)对锑化镓单晶片进行双面磨削，去除锑化镓单晶片表面的损伤；2)对磨削后的锑化镓单晶片采用抛光布配合抛光液进行化学机械抛光；3)对化学机械抛光后的锑化镓单晶片进行取片清洗该发明通过对抛光液的组分和含量，以及与之配合的抛光布进行选择优化，实现了锑化镓单晶片抛光的一步成型，无需经过粗抛、中抛、精抛三步抛光，工艺简单，稳定性好，且锑化镓单晶片抛光后表面质量高，无划痕和起雾的缺陷
一种锑化镓单晶片抛光方法

[发明专利]肖特基蓝紫光探测器及其制备方法-CN201710613015.9有效
发明人：王干;苏荫强;赵玉华;张志成;彭亮熙;陈俊树;梁家军 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：该肖特基蓝紫光探测器包括N型砷化镓单晶衬底、硒化锌单晶层和金属层，N型砷化镓单晶衬底的一侧溶入镓后形成欧姆接触层，硒化锌单晶层和金属层依次层叠在N型砷化镓单晶衬底远离欧姆接触层的一侧上。
肖特基蓝紫光探测器及其制备方法

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