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[发明专利]半导体辐射探测器-CN201480011455.1有效
发明人： F·韦尔巴凯尔;K·J·恩格尔;A·J·M·内利森;H·K·维乔雷克;E·C·E·范格鲁斯温;I·M·布勒维;R·斯特德曼布克 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于探测辐射，特别是探测在计算机断层摄影系统中使用的X射线辐射的探测器(6)。所述探测器包括用于将辐射转换成电子和空穴的直接转换材料(9)，所述电子和空穴用于生成电探测信号。利用为宽带可见光和/或宽带红外光的照射光来照射所述直接转换材料，以用于减小，具体为用于消除所述直接转换材料的极化，所述极化可以发生在由要被探测的辐射穿过所述直接转换材料时，并且所述极化可以降低探测性能。通过减小所述直接转换材料的所述极化，能够提高所述探测性能。
半导体辐射探测器

[发明专利]辐射探测器及辐射探测装置-CN201310004796.3有效
发明人：李玉兰;张岚;李元景;刘以农;牛莉博;傅楗强;江灏;张韡;刘延青;李军 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。
辐射探测器探测装置

[实用新型]辐射探测器及辐射探测装置-CN201320005909.7有效
发明人：李玉兰;张岚;李元景;刘以农;牛莉博;傅楗强;江灏;张韡;刘延青;李军 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。
辐射探测器探测装置

[发明专利]一种能量-空间耦合测量的核辐射探测器及其探测方法-CN202310902460.2在审
发明人：王方宝;陈亮;张斯龙;何世熠;欧阳晓平 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种能量‑空间耦合测量的核辐射探测器及其探测方法；解决传统半导体探测器获取高能粒子位置信息困难的问题以及闪烁体探测器成像精度与探测效率的矛盾；探测器包括供电单元、半导体辐射探测单元以及设置在半导体辐射探测单元上表面的有机发光成像单元；半导体辐射探测单元的一端与供电单元的负极连接，另一端与有机发光成像单元的输入端连接，有机发光成像单元的输出端与供电单元的正极连接；半导体辐射探测单元用于沉积辐射能量，将其转换为带电的载流子，产生电信号，并测量辐射射线的能量信息，有机发光成像单元用于收集半导体辐射探测单元产生的载流子并进行复合发光，记录辐射射线的空间信息；本发明还提出探测器的探测方法。
一种能量空间耦合测量核辐射探测器及其探测方法

[发明专利]快时间响应半导体辐射探测器及其制作方法-CN201710214218.0有效
发明人：韩和同;陈翔;傅录祥;宋朝晖;管兴胤;张子川;刘君红;李刚;卢毅 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种辐射探测装置，具体涉及一种基于短波光注入的快时间响应半导体辐射探测器及其制作方法，包括探测器本体，所述探测器本体包括探测器前盖及半导体晶体，还包括短波光源，所述短波光源设置于探测器前盖内侧壁上，短波光源指向半导体晶体中心，短波光源的发射角度覆盖整个半导体晶体空间区域，短波光源的中心波长低于半导体晶体禁带宽度对应的波长。解决了晶体质量对探测器时间响应特性的影响，为脉冲辐射场测量提供具有快时间响应特性的新型CZT探测器。
短波光源半导体晶体探测器半导体辐射探测器时间响应特性探测器本体时间响应前盖辐射探测装置空间区域脉冲辐射中心波长短波光内侧壁波长禁带制作指向测量发射覆盖

[发明专利]测量γ/X辐射场强度的方法及电流型半导体探测结构-CN201110038486.4有效
发明人：欧阳晓平;雷岚;谭新建 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及测量γ/X辐射场强度的方法及电流型半导体探测结构，有以下步骤：1]用杂散电子过滤片过滤γ/X射线与探测器周围物质作用产生的杂散电子；所述杂散电子过滤片为低原子序数绝缘介质材料；2]用电流型半导体探测器测量从杂散电子过滤片穿出的电子束和γ/X射线，记录电流型半导体探测器的输出电流；3]根据电流型半导体探测器的输出电流和探测器的电流灵敏度计算确定γ/X辐射场强度。本发明解决了现有技术中半导体探测器在电流工作模式下不能准确刻度其辐射灵敏度，从而无法用于γ/X射线强度绝对测量的技术问题。本发明实现了基于电流型半导体探测器的探测结构对γ/X辐射灵敏度的准确刻度及辐射场强度的绝对测量。
测量辐射强度方法电流半导体探测结构

[发明专利]基于多层石墨烯/半导体的辐射探测器阵列及其制备方法-CN202210463755.X有效
发明人：徐杨;刘欣雨;吕建杭;方文章;高超 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多层石墨烯/半导体的辐射探测器阵列及其制备方法，辐射探测器阵列包括：多层石墨烯、多层石墨烯接触电极、半导体衬底、绝缘层、欧姆接触电极，其中多层石墨烯为宏观组装石墨烯纳米膜，多层石墨烯与半导体衬底形成异质结，当辐射粒子入射时，可以被多层石墨烯及半导体吸收，在内建电场中产生光生载流子；辐射探测器阵列由若干单像素直接型辐射探测器组成，每个单像素直接型辐射探测器上的电极组成二维面阵电极层；读出电路设置在面阵电极层上本发明可与传统CMOS集成工艺相结合，并通过外部读出电路实现高灵敏度、低探测极限的阵列辐射探测器。
基于多层石墨半导体辐射探测器阵列及其制备方法

[实用新型]一维半导体阵列管-CN201020687194.4有效
发明人：刘建忠;王勇;靳根;杨亚鹏;姚小丽;王晓东;陈法国;刘惠英;周彦坤;刘倍;徐园 -专利权人：中国辐射防护研究院
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本实用新型属于辐射测量技术领域，具体涉及一种用于中子辐射探测的一维半导体阵列管。其结构包括设置于电路板上的多个表面涂硼的硅半导体探测器，硅半导体探测器呈直线排布，组成一维半导体探测器阵列，一维半导体探测器阵列的外部设有金属管。本实用新型完全可以代替测量中子用的一维位置灵敏3He正比计数管，而且半导体探测器的数量、尺寸都可根据不同的应用调整，在应用的灵活性方面优势明显。
半导体阵列

[发明专利]用于温度稳定化的方法、X射线辐射探测器和CT系统-CN201310322242.8有效
发明人： P.哈肯施迈德;C.施罗特 -专利权人：西门子公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：一种用于直接转换的X射线探测器的温度稳定化的方法，该直接转换的X射线探测器具有探测器表面，所述探测器表面具有半导体并且被划分为多个探测器子表面，其中在照射探测器表面时在半导体中通过电功率而产生热，其中，至少在探测器表面的照射不均匀和/或在时间上变化期间，通过引入与每个探测器子表面功率匹配的附加辐射，使得在半导体中每个探测器子表面产生的电功率保持恒定。一种按照本发明的方法探测X射线的直接转换的X射线探测器，其中至少一个具有至少一个指令参数的调节回路被构造用于附加辐射的功率调节，其对每个探测器子表面通过借助附加辐射的功率变化来保持半导体中的电功率恒定而保持半导体中的温度恒定
用于温度稳定方法射线辐射探测器 ct 系统

[发明专利]一种辐射探测装置及机器人探测系统-CN202110389184.5有效
发明人：涂文军;刘强;王宏;王津晗 -专利权人：中国医学科学院放射医学研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及防辐射技术领域，公开了一种辐射探测装置及机器人探测系统。该辐射探测装置包括辐射监测机构、图像采集机构和调整机构，辐射监测机构包括多个呈阵列排布的半导体射线探测器，每个半导体射线探测器均能够检测到辐射射线的信号及强度；图像采集机构用于采集辐射射线及其周围的图像信息；调整机构与辐射监测机构电连接，调整机构被配置为根据多个半导体射线探测器接收到的辐射射线的强度驱动辐射监测机构和图像采集机构旋转，以使多个半导体射线探测器形成的阵列的中心位置接收到的辐射射线的信号最强。本发明提供的辐射探测装置，可以准确地判断放射源的方位，以便作业人员及时处理，降低其带来的危害。
一种辐射探测装置机器人系统

[发明专利]辐射探测器-CN201110031432.5有效
发明人：阿恩特·耶格;彼得·施陶斯;赖纳·温迪施 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种根据预先给定的人眼的光谱灵敏度分布(9)的用于探测辐射的辐射探测器，其中所述灵敏度分布(9)在波长λ0’处具有最大值，所述辐射探测器包括半导体本体(1)，所述半导体本体(1)具有用于产生探测器信号的且为了辐射接收而设置的有源区(5)，其中所述半导体本体(1)含有至少一种III-V族半导体材料，并且所述有源区(5)包括多个功能层。
辐射探测器

[发明专利]一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置及方法-CN201610230662.7有效
发明人：刘军;欧阳晓平;黑东炜;张忠兵;谭新建;陈亮;翁秀峰 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本发明属于脉冲辐射探测领域，具体涉及一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置及探测方法。该探测装置包括辐射探测器和激光功率测量记录设备；辐射探测器通过光纤或者激光聚焦传输器件与激光功率测量记录设备实现光路连通；辐射探测器包括半导体激光器和为半导体激光器提供预偏置电流的外接电源，外接电源所提供的电流大于或者等于半导体激光器的阈值电流本发明利用X射线对半导体激光器有源区载流子直接调制，实现对半导体激光器输出功率的扰动，通过测量输出激光信号的变化最终获得X射线脉冲信息，基于该方法的探测系统具有结构简单、成本低廉、超快时间响应以及以激光为信号特征等优点
一种基于半导体激光器射线辐射探测装置方法

[实用新型]一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置-CN201620311053.X有效
发明人：刘军;欧阳晓平;黑东炜;盛亮;张建福;翁秀峰;阮金陆 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本实用新型属于脉冲辐射探测领域，具体涉及一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置。该探测装置包括辐射探测器和激光功率测量记录设备；辐射探测器通过光纤或者激光聚焦传输器件与激光功率测量记录设备实现光路连通；辐射探测器包括半导体激光器和为半导体激光器提供预偏置电流的外接电源，外接电源所提供的电流大于或者等于半导体激光器的阈值电流本实用新型利用X射线对半导体激光器有源区载流子直接调制，实现对半导体激光器输出功率的扰动，通过测量输出激光信号的变化最终获得X射线脉冲信息，基于该方法的探测系统具有结构简单、成本低廉、超快时间响应以及以激光为信号特征等优点
一种基于半导体激光器射线辐射探测装置

[发明专利]半导体探测器几何结构-CN201880046976.9在审
发明人：亚历山大·切尔林 -专利权人：克罗梅克有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：描述了一种制造半导体探测器设备的方法，该半导体探测器设备对预定能量范围内的入射辐射表现出目标灵敏度，该方法包括：提供半导体探测器；在半导体探测器的探测器表面上定义大量像素；其中探测器的几何结构是参照所述像素的尺寸来控制的，使得预定能量范围内的单个相互作用事件将在构成至少三个像素的集群的多个相邻像素的每一个中产生可探测信号。还描述了通过这种方法制造的探测器和使用这种探测器获得关于入射辐射的光谱信息的方法。
半导体探测器几何结构

[发明专利]一种氮化镓半导体辐射探测器及其制备方法和检测设备-CN202110501580.2有效
发明人：高润龙;刘林月;欧阳晓平;阮金陆;李辉;陈亮 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓半导体辐射探测器及其制备方法和包含该氮化镓半导体辐射探测器的检测设备，其目的在于解决氮化镓材料存在垂直缺陷导致制备辐射探测器时易碎裂，以及由于垂直缺陷导致辐射探测器在工作时易发生电击穿的问题所述氮化镓半导体辐射探测器具有氮化镓层，在氮化镓层的两侧分别沉积有第一类金刚石薄膜和第二类金刚石薄膜，在第一类金刚石薄膜和第二类金刚石薄膜的外侧分别沉积有第三类金刚石薄膜和第四类金刚石薄膜，在第三类金刚石薄膜和第四类金刚石薄膜外侧分别沉积有第一电极层和第二电极层本发明还提供了氮化镓半导体辐射探测器的制备方法和包括该氮化镓半导体辐射探测器的检测设备。
一种氮化半导体辐射探测器及其制备方法检测设备

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