专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光解水制氢的催化电极及其制备方法-CN201410177232.4无效
  • 戴海涛;张晓利;孙小卫;王树国 - 天津大学
  • 2014-04-29 - 2014-08-13 - C25B11/02
  • 催化电极是宽禁带半导体/贵金属纳米/窄带半导体三层结构复合光电极。在透明导电电极上生长宽禁带半导体纳米线;在生长的宽禁带半导体纳米线表面,负载贵金属,形成宽禁带半导体/贵金属纳米结构;在宽禁带半导体/贵金属纳米结构上,覆盖CdS涂层,形成宽禁带半导体/贵金属纳米/窄带半导体三组分复合催化电极。本发明的宽禁带半导体/贵金属纳米/窄带半导体。宽禁带半导体纳米结构主要是为了提高表面积界面接触,随后贵金属纳米的引入,不仅可以提高光能利用效率,提升了产氢量,而且大大增强了电极的耐腐蚀性能。
  • 光解水制氢催化电极及其制备方法
  • [发明专利]一种有机场效应晶体管-CN202210069897.8在审
  • 李立强;戚建楠;陈小松;胡文平 - 天津大学
  • 2021-09-23 - 2022-04-29 - H01L51/05
  • 本发明涉及有机半导体技术领域,公开了一种有机场效应晶体管,包括栅极、源极、漏极、介电层和有机半导体层;其中,所述有机半导体层包括纳米,所述纳米在有机半导体层中分布均匀且不连续,所述纳米体积占有机半导体层体积的本发明在有机半导体层的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入微量的纳米纳米均匀且不连续,不会影响有机半导体薄膜本身的电学性能。有机半导体薄膜的晶界、位错、层错以及表面等被纳米钉扎,导致有机半导体薄膜聚集态结构变化的势垒增加,从而增强其聚集态稳定性,进而大幅增加有机场效应晶体管的最高工作温度以及储存寿命。
  • 一种有机场效应晶体管
  • [发明专利]图案化并排列半导体纳米-CN200580027645.3无效
  • 托米·W·凯利;蒂莫西·D·邓巴 - 3M创新有限公司
  • 2005-06-20 - 2007-10-24 - H01L21/368
  • 本发明提供一种制造包括排列的半导体纳米和受体基材的器件的方法,包括以下步骤:a)排列多个第一半导体纳米;b)将排列的第一半导体纳米沉积到第一给体片材上;和c)通过使用激光照射,将至少一部分排列的第一半导体纳米转移到受体基材通常,所述半导体纳米是无机的半导体纳米。在一些实施方式中,所述方法另外包括以下步骤:d)排列第二多个第二纳米;e)将排列的第二纳米沉积到相同的给体片材或第二给体片材;和f)通过使用激光照射,将至少一部分排列的第二纳米转移到所述相同的受体基材所述第二纳米可为导电粒子,绝缘粒子,或半导体纳米,包括无机的半导体纳米,和可以与第一半导体纳米的组成相同或不同。另外,提供根据本发明的方法制造的器件。
  • 图案排列半导体纳米粒子
  • [发明专利]芯-壳型纳米及其制备方法-CN200680046217.X有效
  • 金相澔;李优榄;林泳秀 - LG化学株式会社
  • 2006-12-04 - 2009-01-28 - B82B3/00
  • 本发明公开了包括纳米芯和壳的芯-壳型纳米及其制备方法,所述纳米芯由金属或半导体制成,所述壳由形成于所述纳米芯的表面上的晶体金属氧化物制成。根据本发明,可以通过在金属或半导体纳米芯的表面上外延生长金属氧化物制备所述由金属或半导体芯和晶体金属氧化物壳组成的芯-壳纳米。由于晶体金属氧化物壳,由金属或半导体制成的芯纳米具有极好的化学和机械稳定性,并且所述芯-壳纳米能够显示由金属芯与金属氧化物晶体壳之间的相互作用导致的新性质。
  • 纳米粒子及其制备方法
  • [发明专利]搅拌管式反应器及其使用方法-CN200580035477.2无效
  • 莱恩·E·马克斯;詹姆斯·M·尼尔森;肯尼斯·J·汉利 - 3M创新有限公司
  • 2005-07-21 - 2007-09-26 - B01F7/04
  • 提供制造一种装置的方法,该装置包括排列的半导体纳米和接受器基底,该方法包括步骤:a)对众多的第一半导体纳米进行排列;b)将排列的第一半导体纳米沉积在第一给体板上;和c)通过应用激光辐射将至少一部分排列的第一半导体纳米转移到接受器基底上通常,半导体纳米为无机半导体纳米。在具体实施例中,该方法另外包括步骤:d)第二次对众多的第二纳米进行排列;e)排列的第二纳米沉积在同一给体板或第二给体板上;和f)通过应用激光辐射将至少一部分排列的第二纳米转移到同一接受器基底上第二纳米可能是传导性粒子、非传导性粒子半导体纳米,包括无机半导性纳米,并且其组成可能与第一半导性纳米相同或不同。此外,提供了依据本发明方法制造的装置。
  • 搅拌反应器及其使用方法

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