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[实用新型]激光能量监测腔-CN200720078247.0无效
发明人：黎富尧 -专利权人：黎富尧
申请日： 2007-01-13 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：一种激光能量监测腔，包括腔体、半导体激光器、光电探测元件、光电探测元件与半导体激光器组装在同一密封腔体内，半导体激光器输出的变化能量经光电探测元件转化成变化的电量传送给与之配套的电脑，由电脑向电子调节系统发出指令，调整半导体激光器的工作状态，保证半导体激光器在工作中输出的光能量维持在设定的范围内。
激光能量监测

[发明专利]基于宽禁带半导体/钙钛矿异质结的宽频光电探测器-CN201811601702.X在审
发明人：常晶晶;黄相平;林珍华;苏杰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于宽禁带半导体/钙钛矿异质结的宽频光电探测器，采用的异质结由宽禁带半导体和钙钛矿组成，钙钛矿和宽禁带半导体优异的光学和电学性质的结合，改善了传统钙钛矿光电探测器高的暗电流，同时拓宽了光电探测器的光谱响应范围本发明制备的宽禁带半导体/钙钛矿异质结的宽频光电探测器可探测深紫外‑可见‑近红外波段的光信号，具有高的探测率和响应度。
钙钛矿宽禁带半导体光电探测器异质结宽频光学和电学性质近红外波段光谱响应暗电流可探测探测率响应度制备

[发明专利]一种水平布置型高灵敏湿度探测装置-CN202111009827.5在审
发明人：刘翡琼 -专利权人：刘翡琼
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及湿度探测装置技术领域，具体涉及一种水平布置型高灵敏湿度探测装置。第一导电部、光敏半导体部、第二导电部置于衬底层上，第一导电部和第二导电部置于光敏半导体部的两侧，并与光敏半导体部固定连接，光敏半导体部中设有孔洞，第一电极和第二电极分别设置在第一导电部和第二导电部上。在本发明中，孔洞不仅增强了光敏半导体部对入射光的吸收，而且让水汽更多地、更深入地改变光敏半导体部的导电特性。因此，本发明具有湿度探测灵敏度高的优点，在湿度探测领域具有良好的应用前景。
一种水平布置灵敏湿度探测装置

[发明专利]双弹丸同时着靶坐标测量装置及测量方法-CN201710045683.6在审
发明人：董涛;倪晋平;谢潇潇 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： F41J5/02 文献下载
摘要：本发明属于靶场光电测试设备技术领域，具体涉及一种基于圆形光电探测阵列的双弹丸同时着靶坐标测量装置及测量方法。本发明的技术方案包括三个半导体一字线激光器，圆形半导体光电探测阵列，圆形靶框，滤光片，控制与信号处理装置和支撑靶架，所述三个半导体一字线激光器均匀分布于圆形半导体光电探测阵列上，圆形半导体光电探测阵列分为三个部分，每一部分接收一个激光光源的光线；本发明还公开了利用前述装置用于2发弹丸同时着靶的坐标测量方法，通过对半导体光电探测阵列输出信号的处理，确定被弹丸遮挡的半导体光电探测器件的编号和位置，进一步通过基于两条直线相交确定一点的数学模型求解两发弹丸的弹着点坐标
弹丸同时坐标测量装置测量方法

[发明专利]半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法-CN201410325923.4有效
发明人：李成敏;严冬;王林梓;刘健鹏;张瑭;马小超 -专利权人：北京智朗芯光科技有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法，属于半导体制造领域。该方法首先利用第一探测装置标定出与黑体炉靶心处温度T₀相对应的黑体炉辐射光强P₀，再利用第二探测装置调节光源的光强至已知的P₀，可以将光源等效为一个温度为T₀的热辐射源，之后将已经调节好光强的光源置于半导体薄膜反应腔的狭缝窗口底部，并将此时探测到经过半导体薄膜反应腔后的光线的最大光强P₀＇等效为半导体薄膜反应腔内温度T₀时温度探测装置探测到的热辐射强度，最后，在已知T₀和P₀＇的条件下，对半导体薄膜反应腔的温度探测装置进行校准。该光源能够模拟温度为T₀时的黑体辐射P₀＇，为半导体薄膜反应腔温度校准提供支持。
半导体薄膜反应辅助温度校准方法

[发明专利]半导体开尔文测试探针-CN201010542982.9无效
发明人：金英杰 -专利权人：金英杰
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体测试器件，尤其是半导体开尔文测试探针。它包括探针探测本体，所述探针探测本体上套装一弹簧，探针探测本体的探测端露出于弹簧外，探测尖端为单斜面与圆柱面形成的尖端；探测本体由两个相互平行对称于中心轴平面，将探测本体切割成腰形柱体；所述弹簧包括探针探测本体套接部和探针设备固定端套接部，所述弹簧的探针探测本体套接部直径，大于探针的探测端；弹簧的探针设备固定端套接部直径，大于探针的设备固定端。本发明的半导体开尔文测试针成对使用时，使探针探测尖端的间距实现了微间距，0.10mm，的探测。从而实现了高密度半导体引脚的精密的四线测试。
半导体开尔文测试探针

[发明专利]基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法-CN202111558649.1在审
发明人：王启胜;王立;吴形;吴识腾;王震东 -专利权人：南昌大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法，包括基底、半导体薄膜、两个电极，基底贴合在半导体薄膜下方，半导体薄膜上左右两端各有一电极，半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜，半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发，电子跃迁到光热电转化层导带边上方，具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子，电极两端形成较稳定的温度梯度，以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场，从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测相比于现有光热电探测器，本发明不仅简化了制备工艺，缩小了器件体积，降低了大规模集成的难度，还提高了量子效率，缩短了响应时间。
基于带晶界半导体薄膜室温红外探测器及其探测方法

[发明专利]平面型原位放大电子探测器及电子探测装置-CN202210411539.0在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;任嘉莹;罗浒;张旭;曹明霞 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种平面型原位放大电子探测器及电子探测装置，电子探测器包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；底部掺杂区，形成于第一半导体层的第二面的表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面上；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区和第二掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将平面P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。
平面原位放大电子探测器探测装置

[发明专利]一种深槽半导体光探测结构及其制造方法-CN201910513109.8有效
发明人：谭开洲;崔伟;张霞;张静;陈仙;唐昭焕;吴雪;张培健 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种深槽半导体光探测结构及其制造方法，其中，所述深槽半导体光探测结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设欧姆接触掺杂区和多个深槽，所述欧姆接触掺杂区为具有第一导电杂质类型的掺杂区，所述深槽向其槽壁外扩散形成具有第二导电杂质类型的深槽扩散区，深槽扩散区在半导体材料里形成PN结，所述深槽位置形成具有第二导电杂质类型的深槽填充区，所述深槽填充区和深槽扩散区作为光探测电极A，欧姆接触掺杂区作为光探测电极B，本发明可以避免使用价格较贵且不易获得的极低掺杂的高阻半导体材料，并大幅度降低光探测反向偏置电压，降低相关偏置电压电路复杂度和难度。
一种半导体探测结构及其制造方法

[发明专利]探测装置和晶片搬送单元-CN201310090834.1有效
发明人：秋山收司;雨宫浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明在于提供一种与现有技术相比能够实现资源节省、削减制造成本的探测装置和晶片搬送单元。探测装置为进行形成于半导体晶片的半导体器件的电检查的探测装置，具备测定部，其使探针与载置于载置台上的上述半导体晶片的上述半导体器件接触而进行电测定；装载部，其载置半导体晶片收纳容器；晶片搬送机构，其具有上下驱动机构、旋转驱动机构和水平驱动机构，能够在上述半导体晶片收纳容器和上述载置台之间搬送上述半导体晶片；盖开闭机构，其通过上述晶片搬送机构的上述上下驱动机构能够上下移动，打开和闭合上述半导体晶片收纳容器的盖。
探测装置晶片单元

[发明专利]一种插板组件及其用于探测组件与半导体制冷器连接及热耦合的方法-CN201310183987.0有效
发明人：闫浩;许宜名;杜文飞;单伟根;高瑶;李汉卫;刘婷 -专利权人：中国电子科技集团公司第十六研究所
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： F16B1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种插板组件及其用于探测组件与半导体制冷器连接及热耦合的方法，主要用于探测组件与半导体制冷器冷端面进行连接及热耦合。插板组件由两块形状结构相同的呈L形的插板组成。安装时插板顺着半导体制冷器冷端面陶瓷面板一边底部插入，依靠定位槽的台阶面进行定位，另一块再与其进行插合，插合后形成插板组件，插板组件环扣在半导体制冷器两面板之间，在制冷器冷端面板上均匀涂一层导热硅脂，再将探测组件放置在半导体制冷器冷端面陶瓷面板上，用螺钉将探测组件与插板组件上的定位孔进行紧固，插板组件将半导体制冷器冷端面陶瓷面板与探测组件紧紧连在一起，半导体制冷器冷端面板与探测组件底面直接接触，制冷器产生的冷量高效传递给探测组件而且无传热热阻，
一种插板组件及其用于探测半导体制冷连接耦合方法

[发明专利]真空‑半导体混合型光电探测器-CN201611178930.1在审
发明人：徐鹏霄;赵文锦;王霄;唐家业;周剑明;唐光华;戴丽英;姚勇;汪述猛 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空‑半导体混合型光电探测器，包括输入光窗、光电阴极、陶瓷环、聚焦装置、半导体探测器、阳极底座和信号输出装置；光电阴极固定在输入光窗上，半导体探测器固定在信号输出装置上，信号输出装置固定在阳极底座上，光电阴极和半导体探测器的中间设置有聚焦装置，输入光窗与聚焦装置之间以及聚焦装置与阳极底座之间都通过陶瓷环控制距离并实现绝缘。本发明的混合型光电探测器将真空器件与半导体器件有机结合，具有探测光敏面积大、响应光谱灵活、响应速度快、动态范围大、增益高、暗计数低等优点，并且加工简单、装配方便、成本低、可靠性高。
真空半导体混合光电探测器

[发明专利]具有增强型漏极的像素-CN202080091473.0在审
发明人：托德·雷里克;法尔希德·卡西米 -专利权人：宽腾矽公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一些实施例涉及一种集成电路，包括：像素，其包括：光电探测区域；以及漏极，其被配置为丢弃该光电探测区域外的像素的半导体区域内的电荷载流子。一些实施例涉及一种集成电路，包括：像素，其包括：光电探测区域；以及漏极，其被配置为丢弃来自该光电探测区域的电荷载流子，其中漏极包括半导体区域，并且该半导体区域通过金属触点来接触。一些实施例涉及一种集成电路，包括：像素，其包括：光电探测区域；以及漏极，其被配置为丢弃来自该光电探测区域的电荷载流子，其中该漏极包括半导体区域，其中通过不包括多晶硅电极的导电路径形成到该半导体区域的电接触
具有增强型漏极像素

[发明专利]光伏型有机紫外半导体探测器-CN201010296652.6有效
发明人：姬荣斌;唐利斌;宋立媛;陈雪梅;马钰;王忆锋;庄继胜 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：光伏型有机紫外半导体探测器，涉及光电技术领域，尤其是一种光伏型的有机紫外半导体探测器。本发明的一种光伏型有机紫外半导体探测器，在特殊材料衬底上设置特殊材料各功能层构成三层、五层或七层结构。相对于光导探测器而言，光伏探测器具有响应速度快、功耗低、易于形成阵列、无需偏置等优势。此外，有机半导体材料克服了无机半导体材料的缺点，使得制备成本更低，易于实现大面积、大阵列，光敏材料电阻率可控、无需制冷、可实现柔性加工，因此有机紫外光伏探测器在军事、民用以及一些特定领域具有重要的潜在应用价值
光伏型有机紫外半导体探测器

[实用新型]一种同轴封装的半导体光探测器-CN202021404960.1有效
发明人：李国英 -专利权人：上海矽昊电子技术有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同轴封装的半导体光探测器，包括基板，所述基板的上表面螺纹连接有罩壳，所述罩壳的上表面中心固接有透镜，所述基板的上表面设有接头，所述接头的内部设有引脚，所述引脚的顶端连接有贴片台。该同轴封装的半导体光探测器，通过基板、罩壳、透镜、接头、引脚、贴片台、半导体光探测器芯片和保质机构之间的配合，同时通过圆形坡槽将引脚与金属盘之间进行焊接，即可完成对半导体光探测器芯片与基板之间的对接安装，期间半导体光探测器芯片与透镜之间的距离较为容易进行把控，利于装配人员进行高效作业进行，不易出现探测器灵敏性欠缺情况出现，使得产品的质量得以保障。
一种同轴封装半导体探测器