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[发明专利]一种聚酰亚胺厚膜和量子碳基膜、及其制备方法-CN201910055344.5有效
发明人：刘萍 -专利权人：深圳丹邦科技股份有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚酰亚胺厚膜和量子碳基膜、及其制备方法，其中聚酰亚胺厚膜的制备方法，包括：将含有苯基的酐与二胺杂化，得到热塑性聚酰亚胺树脂前驱体；将热塑性聚酰亚胺树脂前驱体与单体反应物混合，通过架桥反应使聚酰亚胺树脂前驱体的两末端形成单体结构，得到酰亚胺中间体组合物；将酰亚胺中间体组合物进行酰亚胺化，得到树脂溶液混合物；采用井喷式喷涂方法将树脂溶液混合物连续均匀喷涂在传送带上，经固化、干燥，得到聚酰亚胺厚膜。本发明提出的聚酰亚胺厚膜和量子碳基膜、及其制备方法，平整性好且无倾斜翘曲。
一种聚酰亚胺量子碳基膜及其制备方法

[发明专利]一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法-CN201810565524.3有效
发明人：高洁;于盛旺;郑可;黑鸿君;田武;潘雪楠;王月月;马永 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法，采用双层辉光等离子渗金属方法在硅基片表面渗钼处理形成钼促形核层；采用化学气相沉积方法在上述钼促形核层上沉积成纳米金刚石膜；继续反复交替进行在纳米金刚石膜上渗钼处理形成钼促形核层，以及在钼促形核层上沉积纳米金刚石膜的步骤；以上所述钼促形核层厚度为0.1‑1µm，纳米金刚石膜厚度控制在20‑100µm，最终在硅基片表面形成厚度为0.5‑3mm厚膜后，将硅基片腐蚀处理，得到所述的自支撑纳米金刚石厚膜该方法通过不断施加钼促形核层，提高金刚石成核速率，抑制晶粒长大，实现纳米金刚石厚膜的制备，该厚膜具有良好的强韧性及耐磨性等综合性能。
形核层厚膜纳米金刚石膜纳米金刚石硅基片自支撑制备沉积双层辉光等离子渗化学气相沉积耐磨性表面形成腐蚀处理厚度控制晶粒长大综合性能金刚石表面渗强韧性成核渗钼施加金属

[发明专利]一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法-CN201610027359.7有效
发明人：殷红;赵艳;高伟;李英爱;李红东 -专利权人：吉林大学
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明的一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法，属于超硬材料及其制备的技术领域。以硅片为衬底，以h‑BN或单质硼靶为溅射靶材，采用两步沉积法制备c‑BN厚膜。在Ar/N2混合气体气氛下先溅射第一层氮化硼膜，再通入H2，按质量流量计H2用量为气体总流量的4％～15％，保持衬底温度、调节衬底负偏压溅射第二层氮化硼膜。本发明的方法在不使用过渡层、加H2量较少的条件下，直接在硅衬底上获得立方相含量75％以上，甚至超过95％的c‑BN厚膜，膜厚可达4μm以上，其稳定性得到了显著提高。
一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜方法

[发明专利]一种聚酰亚胺厚膜或超厚膜及其制备方法-CN201910650702.7有效
发明人：蒋耿杰;唐必连;周福龙;白小庆;黄孙息;全光好 -专利权人：桂林电器科学研究院有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B29C69/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚酰亚胺厚膜或超厚膜及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤：1)制备高粘度的聚酰胺酸树脂溶液；2)将所得高粘度的聚酰胺酸树脂溶液稀释得到粘度为8‑14万厘泊的低粘度聚酰胺酸树脂溶液；3)向低粘度聚酰胺酸树脂溶液中加入相当于高粘度的聚酰胺酸树脂溶液重量0.5‑1.5％、沸点为100‑240℃的流动促进剂，混匀后消泡，得到消泡后的聚酰胺酸树脂溶液；4)将消泡后的聚酰胺酸树脂溶液流涎成膜，控制下烘道的温度为175‑185℃，所得自支撑膜经纵横向拉伸、预热本发明所述方法工艺简单，所得聚酰亚胺厚膜或超厚膜力学性能较好且热膨胀系数较低。
一种聚酰亚胺超厚膜及其制备方法

[发明专利]利用种膜作籽晶液相外延生长铁电厚膜的方法-CN200410024682.6无效
发明人：姚忻;曾新华;秦奋 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L41/24 文献下载
摘要：一种利用种膜作籽晶液相外延生长铁电厚膜的方法，首先按照通常铌镁酸铅－钛酸铅(PMNT)或铌锌酸铅－钛酸铅(PZNT)晶体生长采用的组分进行氧化物原料配料，然后把配好的粉料在玛瑙球磨罐中球磨并进行煅烧，最后将煅烧后的粉料与助熔剂氧化铅混合均匀，经过高温下一段时间的泡料后，在镀有种膜的基片上外延生长制备PZNT或PMNT厚膜。本发明工艺简单，操作方便，拓展了液相外延方法在铁电厚膜材料制备方面的应用，制备的铁电材料厚膜不仅取向可控，而且可以按照层状模式生长，克服直接从基片岛状生长难以大面积成片的问题，使其更易于实现产业化的应用
利用种膜作籽晶外延生长铁电厚膜方法

[发明专利]一种PTC稀土厚膜电路智能电热元件及其制备方法-CN201210170105.2有效
发明人：王克政 -专利权人：王克政
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H05B3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种PTC稀土厚膜电路智能电热元件及其制备方法，其特征在于，它包括金属基板及其上设置的PTC厚膜电路热敏电阻和稀土厚膜电阻电路，PTC厚膜电路热敏电阻是以厚膜电路的形式和稀土厚膜电阻电路叠加或处于同一平面内，来控制厚膜电路电热元件的温度，使控制精度和灵敏度得以大幅度提高；又可单独以厚膜电路形式做成可控电热元件。
一种 ptc 稀土电路智能电热元件及其制备方法

[发明专利]一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法-CN202210282043.8有效
发明人：帅世荣;李阳;李俊;魏占涛;刘庆元;陈运茂;游斌;蓝江河;肖礼康 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B19/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理，再经酸煮、清洗得到表面光滑平整的铁氧体单晶厚膜；经本发明退火处理的单晶厚膜厚，介电损耗、铁磁共振线宽、光损耗降低，累积应力得以释放，使单晶膜质量得以显著提升。
一种基于外延生长铁氧体单晶厚膜高温退火方法

[发明专利]一种锆钛酸钡陶瓷厚膜及其制备方法和应用-CN201610696265.9有效
发明人：鲁圣国;简晓东;路标;姚英邦;陶涛;梁波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆钛酸钡陶瓷厚膜及其制备方法。所述BaZr_xTi_(1‑x)O₃陶瓷厚膜，其中x＝0.05～0.30，所述陶瓷厚膜的厚度为5～50μm。采用流延法按所需锆钛酸钡化学计量比，以碳酸钡、二氧化钛和二氧化锆经过常压空气烧结工艺制成厚度为5～50μm的锆钛酸钡陶瓷膜。本发明的方法简便，制作成本低，周期短，易于工业流程化生产。可制备多层陶瓷器件所需的各单层厚膜，广泛应用于传感器、固态制冷以及储能器件领域。
一种钛酸钡陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种芳纶涂覆隔膜及其制备方法-CN202210268442.9在审
发明人：周阳;刘杲珺;董浩宇;李论;董秋春;高飞飞;杜敬然;杨冬梅;白耀宗 -专利权人：中材锂膜有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01M50/406 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池技术领域，更具体地，涉及一种湿法制备芳纶涂覆隔膜的方法，以及由该法制备得到的芳纶涂覆隔膜。该方法包括：将聚烯烃组合物熔融挤出、过滤、挤出塑化、铸片冷却；然后进行双向拉伸，切边后，得到厚膜；将芳纶浆料涂覆在所述厚膜上；将涂覆后的厚膜进行萃取、干燥、横向拉伸。本发明提供的方法能够提高涂覆膜的生产效率，降低设备投入。
一种芳纶涂覆隔膜及其制备方法

[发明专利]一种大冷量传输全碳柔性冷链结构的制备方法-CN202110780775.5有效
发明人：刘金龙;周吉;李成明;石志城;白明洁;李世谕;李淑同;魏俊俊;陈良贤;安康;郑宇亭;张建军 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种大冷量传输全碳柔性冷链结构的制备方法，属于新型导热材料制备技术领域。一种大冷量传输全碳柔性冷链结构，是中间为高导热柔性石墨膜，两端为CVD金刚石厚膜焊接而成的高导热柔性导热体。其工艺步骤为：1)裁剪高导热石墨膜；2)石墨膜通过表面金属离子注入与镀膜的方式实现金属化；3)将金属化后的石墨膜边缘通过热压扩散焊的方式焊接，形成石墨膜导热带；4)将高导热CVD金刚石厚膜进行研磨或抛光；5)根据石墨膜导热带宽度，在CVD金刚石厚膜表面加工相应尺寸的嵌入型沉槽结构；6)对表面加工后的CVD金刚石厚膜进行金属化后成为金刚石端头；7)将热压扩散焊焊接后的石墨膜导热带边缘置于CVD金刚石厚膜端头沉槽中
一种大冷量传输柔性链结制备方法

[发明专利]厚膜电阻板及其制造方法-CN201110143084.0有效
发明人：张飞林;高红梅;王旭;张晓武;刘宏;谷云峰;宋毅华 -专利权人：四平市吉华高新技术有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜电阻板，包括基板、电极、导带、至少一个电阻膜层、还可以包括覆盖于导带上的保护层；所述基板为挠性基板。本发明还公开了一种制作厚膜电阻板的方法，包括在一块挠性基板上设置多个呈矩阵排列的厚膜电阻板单元。本发明厚膜电阻板可以曲翘和折弯，具有耐磨性强、线性好、寿命长等特点；本发明提供的厚膜电阻板的制备方法适合于工业化、大批量生产制造。
电阻及其制造方法

[发明专利]一种消除SiO2膜厚下降的方法-CN201510656705.3在审
发明人：戚艳丽;刘忆军;曹晓杰 -专利权人：沈阳拓荆科技有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明属于二氧化硅薄膜半导体制备设备领域，具体地来讲为一种消除SiO2膜厚下降的方法。本发明通过增大喷淋头螺钉扭矩消除SiO2膜厚下降趋势问题的方法，通过增大喷淋头螺钉扭矩时设备不仅能沉积膜厚稳定的SiO2薄膜，也可以沉积膜厚稳定的SiO2厚膜。通过本发明的方法，能够简单有效地消除SiO2厚膜的膜厚下降趋势。
一种消除 sio2 下降方法

[发明专利]薄膜成型方法及薄膜成型设备-CN202210117973.8在审
发明人：黎敏荣;杨智韬;覃昌壬;连嘉鑫 -专利权人：广州华新科智造技术有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B29D7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜成型方法及薄膜成型设备；该薄膜成型方法包括以下步骤：制备熔体；将熔体制备为膜胚，膜胚呈筒状；对膜胚进行至少两次横向拉伸，每次拉伸后膜胚的壁厚小于拉伸前膜胚的壁厚；将拉伸后的膜胚制备为薄膜该薄膜成型方法，通过对膜胚进行至少两次横向拉伸，且每次拉伸后的膜胚的壁厚均变小，以提高制成薄膜的横向力学性能；相比传统压延或吹膜成型方法几乎无横向拉伸以及受限于膜吹胀而导致横向拉伸有限，确保了薄膜的横向、纵向性能均匀性，还避免了吹膜时膜抖动严重的问题，使得所制成薄膜的性能更加稳定。
薄膜成型方法设备

[发明专利]一种厚膜吸气材料的制备方法-CN201711277777.2有效
发明人：张艳;崔建东;徐晓强;李洋 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜吸气材料的制备方法，属于电真空吸气元件制备技术领域。先将非蒸散型吸气材料粉末与有机粘结剂均匀混合，得到厚膜浆料；同时将低熔点玻璃粉与硝棉溶液或焊料与硝棉溶液混合均匀，在器件基材上均匀涂覆一层低熔点玻璃粉浆料或焊料浆料；采用浇铸、印刷、喷涂、刷涂或刮刀涂层工艺将厚膜浆料在低熔点玻璃粉或焊料涂层表面沉积；最后进行真空烧结，得到非蒸散型厚膜吸气材料。本发明的厚膜吸气材料克服体吸气材料和薄膜吸气材料的劣势，有效地同时解决装配空间和吸气容量不能兼容的问题，并且采用了一种由底层焊接层和吸气材料层组成的复合双层结构，提高了非蒸散型厚膜吸气材料在器件基底上的附着强度
一种吸气材料制备方法

[发明专利]一种厚膜抗开裂无机硅酸锌防锈漆及其制备方法-CN202110653569.8有效
发明人：苏雅丽;杨名亮;彭毛来;宋志生 -专利权人：厦门双瑞船舶涂料有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及涂料技术领域，特别涉及一种厚膜抗开裂无机硅酸锌防锈漆及其制备方法。厚膜抗开裂无机硅酸锌防锈漆包括甲组分和乙组分，所述甲组分包括锌粉；所述乙组分包括硅酸乙酯或/和硅酸乙酯预聚物、增韧树脂、玻璃纤维、溶剂以及酸性溶液；所述增韧树脂为异氰酸酯、异氰酸酯加成物中的一种或多种组合该厚膜抗开裂无机硅酸锌防锈漆所制得的涂层膜厚达180μm不开裂，适用于厚膜喷涂施工，同时其能保持无机成膜的特性，仍保持优异的耐高温性能，达到400℃以上的耐热性，且耐腐蚀性能优异，可满足海洋环境中各种钢结构长效重防腐应用需求；此外，其原料易得，制备工艺简便，适用于大规模生产。
一种厚膜抗开裂无机硅酸防锈漆及其制备方法

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