专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种优化存储逻辑分区结构的非CPU集成电路卡-CN200310100411.X有效
  • 杨敬;王隽盛;朱磊 - 大唐微电子技术有限公司
  • 2003-10-15 - 2004-09-15 - G06K19/07
  • 本发明公开一种优化存储逻辑分区结构的集成电路卡,包括地址计数存储、I/O接口及控制,所述存储的逻辑分区中包含一个可写入访问权限控制字的控制区,以及若干由所述控制字的不同控制位分别确定访问权限的用户数据区,所述控制还包含一个存储访问方式寄存,所述控制根据分区指示信号、操作指示信号以及所述寄存中相应控制位的值进行逻辑运算,控制对各用户数据区的操作使能信号的产生。本发明IC卡的多个用户数据区由发行商分别进行访问权限的设定,可以适应业务变化对IC卡存储各数据区权限和容量的不同需求,大大节省了开发时间与成本。
  • 一种优化存储器逻辑分区结构cpu集成路卡
  • [实用新型]一种优化存储逻辑分区结构的非CPU集成电路卡-CN200320100564.X无效
  • 杨敬;王隽盛;朱磊 - 大唐微电子技术有限公司
  • 2003-10-15 - 2005-05-18 - G06F12/08
  • 本实用新型公开一种优化存储逻辑分区结构的集成电路卡,包括地址计数存储、I/O接口及控制,所述存储的逻辑分区中包含一个可写入访问权限控制字的控制区,以及若干由所述控制字的不同控制位分别确定访问权限的用户数据区,所述控制还包含一个存储访问方式寄存,所述控制根据分区指示信号、操作指示信号以及所述寄存中相应控制位的值进行逻辑运算,控制对各用户数据区的操作使能信号的产生。本实用新型IC卡的多个用户数据区由发行商分别进行访问权限的设定,可以适应业务变化对IC卡存储各数据区权限和容量的不同需求,大大节省了开发时间与成本。
  • 一种优化存储器逻辑分区结构cpu集成路卡
  • [发明专利]基于存储分区的设备启动方法、装置及电子设备-CN202310686677.4在审
  • 余明;凌晓峰 - 北京地平线信息技术有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-09-08 - G06F9/4401
  • 本公开实施例公开了一种基于存储分区的设备启动方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备,其中,该方法包括:确定电子设备在预设时机通过第一启动模式的启动状态;基于启动状态,从目标存储的第一分区读取第一启动信息;基于第一启动信息,在第二启动模式下启动电子设备,并从系统更新服务端获取电子设备的系统更新信息;基于系统更新信息,更新目标存储的第二分区中的第二启动信息;基于更新后的第二启动信息,通过第一启动模式启动电子设备本公开实施例将第一启动信息和第二启动信息在存储中隔离,对第一分区和第二分区的读写操作互不影响,电子设备正常启动使用的第二启动信息可以及时更新,大大提升了电子设备启动的成功率。
  • 基于存储器分区设备启动方法装置电子设备
  • [实用新型]一种故事书-CN201020228091.1无效
  • 黄德荣 - 黄德荣
  • 2010-06-13 - 2011-05-18 - G09B5/04
  • 本实用新型提供了一种故事书,包括具有印刷精美的页面的故事书本体,还包括语音系统,所述的语音系统包括放音电路和存储,所述的存储内包括与所述的故事书本体各页面相对应的存储分区;所述的放音电路分别与所述的存储存储分区相连,在所述的放音电路与所述的存储分区之间设置开关,所述的开关设置在相对应的页面上。
  • 一种故事书
  • [发明专利]用于写入缓冲的缓冲复位命令的设备和方法-CN201911309900.3在审
  • M·斯福尔津;P·阿马托 - 美光科技公司
  • 2019-12-18 - 2020-07-07 - G11C13/00
  • 本发明包含用于写入缓冲的缓冲复位命令的设备和方法。实例设备包含存储和耦合到所述存储的控制。所述存储可以包含电阻可变存储单元的阵列,所述阵列经配置以横跨多个分区存储与被管单位对应的数据,每一分区具有与其对应的相应写入缓冲。所述控制可以经配置以通过向所述存储提供写入缓冲复位命令,后续接着写入命令来更新所述被管单位。所述存储可经配置以执行所述写入缓冲复位命令,以将所述写入缓冲置于复位状态。所述存储可进一步经配置以执行所述写入命令,以基于与所述写入命令对应的数据来修改所述写入缓冲的内容,并将所述写入缓冲的所述经修改内容写入到所述阵列中的经更新位置。
  • 用于写入缓冲器复位命令设备方法
  • [发明专利]电子设备和文件访问方法-CN202111590526.6在审
  • 王双优;董恩雪;谭少峰;马志伟 - 海信视像科技股份有限公司
  • 2021-12-23 - 2022-04-29 - G06F16/13
  • 本申请涉及一种电子设备和文件访问方法,应用于存储技术领域。该电子设备包括:内存存储;嵌入式存储;控制,被配置为:在所述第一文件的访问频率大于或等于第一频率阈值的情况下,将该嵌入式存储的文件系统分区中的第一文件,复制到该内存存储的内存文件系统存储,通过第一进程访问该内存文件系统中的第一文件通过将该嵌入式存储的文件系统分区中的第一文件,复制到该内存存储的内存文件系统存储,在应用程序需要访问第一文件时,可以做到快速访问,可以提高操作系统性能。
  • 电子设备文件访问方法
  • [发明专利]分栅存储及其制造方法-CN202110313048.8在审
  • 于涛;李冰寒 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-03-24 - 2021-06-22 - H01L29/788
  • 本发明提供了一种分栅存储及其制造方法,所述分栅存储的衬底的存储单元区包括连接分区和功能分区,所述衬底内设置有源极区,所述源极区两侧的衬底上设置有互为镜像的第一栅极结构和第二栅极结构;在所述连接分区中本发明在分栅存储存储单元区设置功能分区和连接分区,且在连接分区通过刻蚀工艺暴露第一栅极结构和第二栅极结构的控制栅及所述源极区,并通过电连接件将暴露的控制栅及源极区引出并连接,省去了存储单元区中第一栅极结构和第二栅极结构的控制栅单独布线带来的空间成本,节省存储单元区的面积,同时省去了外围控制栅解码电路,简化电路设计。
  • 存储器及其制造方法
  • [发明专利]自旋随机存储及方法-CN201910850886.1有效
  • 赵巍胜;闫韶华;蔡文龙;曹凯华;邓尔雅 - 北京航空航天大学
  • 2019-09-10 - 2021-10-01 - G11C11/16
  • 本申请提供的自旋随机存储及方法,通过在每个存储分区中设置第二磁性隧道结,第二磁性隧道结通过电流控制保持反平行态,进而可以检测每个存储分区的温度,然后传输给控制电路,从而控制电路基于接收的温度输出读写控制信号,控制读写的电压,即当温度过高时,降低写电压、增大读电压;反之亦然,进而解决了自旋随机存储的在低温区的写操作失败以及高温区的读错误问题,加大自旋随机存储的可靠性工作范围,提高自旋随机存储的使用寿命
  • 自旋随机存储器方法

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