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[发明专利]一种储能型准-Z源单相光伏发电系统的设计方法-CN201210160713.5无效
发明人：葛宝明;孙东森 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种储能型准-Z源单相光伏发电系统的设计方法，包括系统所需要的储能电池电压和容量参数设计，光伏电池模块选取，准-Z源网络电感、电容参数设计，H桥逆变器电压、电流等级设计，Z-源网络二极管设计，准-Z源逆变器损耗计算等。该设计方法基于用户电压和功率要求，光伏发电系统用途，及当地气候特点。所设计的储能型准-Z源单相光伏发电系统能够满足光伏电池电压1∶2宽范围变化，无论其电压如何变化，系统都输出负载需求电压，而且适合单级功率变换完成升/降压、逆变和储能要求。本发明为储能型准-Z源单相光伏发电系统的设计、实现提供了简便、有效、快捷的方法。
一种储能型准单相发电系统设计方法

[发明专利]一种高增益宽输入双准Z源逆变电路-CN201811247551.2有效
发明人：陈艳慧;朱康杰;江鸿翔 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及一种高增益宽输入双准Z源逆变电路，其特征在于：包括直流电源、第一准Z源电路、逆变器和第二准Z源电路；所述直流电源分别连接第一准Z源电路和第二准Z源电路输入端；所述逆变器一端连接第一准Z源电路，另一端连接第二准Z电路。本发明具有器件电压应力小，输入波动时器件电压变化小，故特别适合于工作在高增益宽输入的工作情况。
一种增益输入源逆变电路

[发明专利]一种准Z源直流-直流升压变换器电路-CN201410062621.2无效
发明人：丘东元;杨立强;张波;张桂东;黄子田 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明提供了一种准Z源直流-直流升压变换器电路，包括电压源，由第一电感、第二电感、第一电容、第二电容和二极管构成的准Z源阻抗网络，MOS管，第三电感，输出电容和负载。本发明所述的准Z源直流-直流升压变换器电路，以电压源，准Z源阻抗网络和MOS管依次串联构成升压电路；以第三电感，输出电容和负载构成输出电路。整个电路结构简单，只有一个MOS管，输入输出共地，具有较高的输出电压增益，且准Z源阻抗网络电容电压应力低，电路不存在启动冲击问题，MOS管开通瞬间，输出电容不会对MOS管造成瞬时电流冲击。
一种直流升压变换器电路

[发明专利]电压位准移位电路-CN200610066395.0有效
发明人：陈建儒;陈英烈;卜令楷;张育瑞 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：一种电压位准移位电路，包括输入缓冲单元、位准移位单元以及稳压电容。输入缓冲单元耦接于第一电压源与第一接地端之间，位准移位单元则耦接于第二电压源与第二接地端之间，此位准移位单元的输入端耦接于输入缓冲单元的输出端。而稳压电容则耦接于第一电压源与第二接地端之间，用以当位准移位单元发生转态时，维持输入缓冲单元的输出端与第二接地端之间的电压差。
电压移位电路

[实用新型]控制电压位准的电路及偏压电压侦测电路-CN200520002322.6无效
发明人：邹宗成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-02-06 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本实用新型是一种控制电压位准的电路及偏压电压侦测电路，所述控制电压位准的电路，其包括第一PMOS晶体管、MOS次门坎电流源以及第一不随偏压改变电流源。第一PMOS晶体管耦接第一电压耦合器，第一PMOS晶体管的栅极与漏极彼此耦接。MOS次门坎电流源耦接第二电压耦合器。第一不随偏压改变电流源耦接于MOS次门坎电流源与第一PMOS晶体管之间。本实用新型于制程、电压及温度变化的不同环境下，可产生预期字符线电压位准的电路。此允许字符线电压位准不仅只对温度反应。
控制电压电路偏压侦测

[发明专利]MOSFET准饱和效应模型及其建模方法-CN202310796786.1在审
发明人：顾鸣远 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET准饱和效应模型及其建模方法。所述建模方法包括：在满足判定条件时，以准饱和特性修正公式将MOSFET经典模型中源漏电流表达式内的Vgs修正为Vgscorr，以建立能够表征MOSFET准饱和特性的修正模型；所述判定条件为Vgs≥Vtsat，所述源漏电流表达式以Vgs和Vds作为自变量，Vgs、Vds分别为MOSFET的栅源电压、漏源电压，Vgscorr为具有准饱和特性的栅源电压，Vtsat为MOSFET的准饱和特性起始电压。本发明的MOSFET准饱和效应模型及建模方法具有适用性强、可操作性强、准确度和收敛性高等优点。
mosfet 饱和效应模型及其建模方法

[发明专利]LVDS系统及其差动信号控制方法、装置-CN202211612855.0有效
发明人：陈廷仰;廖志洋;谢玉轩 -专利权人：禹创半导体（深圳）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H04L25/02 文献下载
摘要：本发明涉及驱动电路技术领域，提供了一种LVDS系统及其差动信号控制方法、装置，所述LVDS系统包括：低压电压源、发送器、位准偏移电路以及高速接收器；其中，所述发送器、位准偏移电路以及高速接收器依次电连接，所述高速接收器接入所述低压电压源；所述位准偏移电路用于接收到所述发送器输入的DP/DN差动信号，向下进行位准偏移，并将位准偏移后的差动信号输入至所述高速接收器。本发明中的LVDS系统只需要接入低压电压源，无需接入中压电压源，因此不会对其它接入低压电压源的电路造成影响，克服了电路不好控制的缺陷。
lvds 系统及其差动信号控制方法装置

[实用新型]一种准Z源直流-直流升压变换器电路-CN201420078873.X有效
发明人：丘东元;杨立强;张波;张桂东;黄子田 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种准Z源直流-直流升压变换器电路，包括电压源，由第一电感、第二电感、第一电容、第二电容和二极管构成的准Z源阻抗网络，MOS管，第三电感，输出电容和负载。本实用新型所述的准Z源直流-直流升压变换器电路，以电压源，准Z源阻抗网络和MOS管依次串联构成升压电路；以第三电感，输出电容和负载构成输出电路。整个电路结构简单，只有一个MOS管，输入输出共地，具有较高的输出电压增益，且准Z源阻抗网络电容电压应力低，电路不存在启动冲击问题，MOS管开通瞬间，输出电容不会对MOS管造成瞬时电流冲击。
一种直流升压变换器电路

[发明专利]控制电压位准的电路、偏压侦测电路以及补偿方法-CN200510007328.7有效
发明人：邹宗成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-02-06 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明是一种控制电压位准的电路、偏压侦测电路以及补偿方法，所述控制电压位准的电路，其包括第一PMOS晶体管、MOS次门坎电流源以及第一不随偏压改变电流源。第一PMOS晶体管耦接第一电压耦合器，第一PMOS晶体管的栅极与漏极彼此耦接。MOS次门坎电流源耦接第二电压耦合器。第一不随偏压改变电流源耦接于MOS次门坎电流源与第一PMOS晶体管之间。本发明于制程、电压及温度变化的不同环境下，可产生预期字符线电压位准的电路。此允许字符线电压位准不仅只对温度反应。
控制电压电路偏压侦测以及补偿方法

[发明专利]一种输出容量可控的高增益直流电压变换器-CN201710231534.9在审
发明人：陈艳峰;陈柱;张波;丘东元 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种输出容量可控的高增益直流电压变换器，包括电压源、第一开关管、第二开关管、第一准Z源模块、第二准Z源模块、输出模块，第一准Z源模块由第一电容、第二电容、第一电感、第二电感和第一二极管组成，第二准Z源模块由第三电容、第四电容、第三电感、第四电感和第二二极管组成，输出模块由第三二极管、第五电容和负载组成。本发明采用两组准Z源模块，具有较高的输出电压增益，降低了二极管和开关管的电流应力，提高了功率容量，且准Z源模块的电容应力低，电路不存在启动冲击问题。
一种输出容量可控增益直流电压变换器

[实用新型]高电压增益且低电容电压应力的准Z源三电平逆变器电路-CN201720272252.9有效
发明人：侯涛;张志腾;蔡智林 -专利权人：兰州交通大学
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：一种高电压增益且低电容电压应力的准Z源三电平逆变器电路，直流电源的输出端与准Z源网络电路的输入端连接，准 Z源网络电路的输出端与三电平逆变桥电路的输入端连接。该准Z源三电平逆变器电路能够实现单级逆变增益高、功率大、谐波小、效率高、稳定性强的优点。
电压增益电容应力电平逆变器电路

[发明专利]一种基于准Z源逆变器的光伏供电自抗扰控制系统及方法-CN201910533120.0有效
发明人：衣文雨;宗西举;刘依明;程新功;陈镇镇;唐文杰;刘大志;刘蕊 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于准Z源逆变器的光伏供电自抗扰控制系统、方法及光伏电站，包括光伏供电模块和自抗扰控制模块，所述光伏供电模块包括依次连接的光伏电池阵列、准Z源逆变器和滤波网络；所述自抗扰控制模块利用光伏阵列的参考输出电压和实际输出电压获取直通时间占空比，利用光伏阵列的参考输出电压与准Z源逆变器的电容电压获取非直通时间占空比，通过直通时间占空比和非直通时间占空比生成PWM调制信号并发送到准Z源逆变器中，用于去除输出电压中的扰动信号；通过ADRC对准Z源逆变器的输出电压进行控制，即使输入电压扰动、负载有波动，也几乎不影响输出电压的稳定性，使得系统具有很强的抗扰性和鲁棒性，提高了并网电流的电能质量。
一种基于逆变器供电控制系统方法

[实用新型]一种输出容量可控的高增益直流电压变换器-CN201720371636.6有效
发明人：陈艳峰;陈柱;张波;丘东元 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种输出容量可控的高增益直流电压变换器，包括电压源、第一开关管、第二开关管、第一准Z源模块、第二准Z源模块、输出模块，第一准Z源模块由第一电容、第二电容、第一电感、第二电感和第一二极管组成，第二准Z源模块由第三电容、第四电容、第三电感、第四电感和第二二极管组成，输出模块由第三二极管、第五电容和负载组成。本实用新型采用两组准Z源模块，具有较高的输出电压增益，降低了二极管和开关管的电流应力，提高了功率容量，且准Z源模块的电容应力低，电路不存在启动冲击问题。
一种输出容量可控增益直流电压变换器

[发明专利]一种车用双向准Z源逆变器电机驱动系统-CN201610363360.7有效
发明人：康劲松;王硕;蒋飞;武松林 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H02P21/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种车用双向准Z源逆变器电机驱动系统，包括调速控制模块、传感器单元，以及依次连接的电源模块、双向准Z源前级无源网络、三相桥式逆变器和电机，双向准Z源前级无源网络和三相桥式逆变器构成双向准Z源逆变器，调速控制模块分别连接传感器单元和双向准Z源逆变器，双向准Z源前级无源网络包括电感L₁、L₂、电容C₁、C₂、IGBT与现有技术相比，本发明构建双向准Z源逆变器系统作为单级逆变器结构，取代传统电驱动领域两级变换DC\DC和DC\AC变换，避免电池组电压波动，维持直流母线电压稳定可调，由于不存在传统逆变器死区时间的问题，可以降低输出电压的畸变，降低转矩脉动和电磁噪声。
一种双向逆变器电机驱动系统

[发明专利]双向功率流电压型准阻抗源逆变器及其控制方法-CN201510164619.0有效
发明人：房绪鹏;陈志巧;李昊舒 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明公开的双向功率流电压型准阻抗源逆变器，包括准阻抗源网络、逆变桥、直流电压源DC和交流负载M；准阻抗源网络中的双向电力电子开关S和逆变桥中的双向电力电子开关均工作在高频开关状态；通过调节双向电力电子开关的直通占空比来控制输出电压，使其低于或高于输入电压；此外通过双向电力电子开关和双向电力电子开关S的配合来控制功率流的方向，当将直流电压源DC替换为直流负载、交流负载M替换为交流电压源后，则功率流可实现双向流动，最终可解决电压型阻抗源逆变器的阻抗源网络电容器的电压应力偏大的问题
双向功率流电压型准阻抗逆变器及其控制方法

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