专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制模设备-CN200710300485.6无效
  • 木原信宏;山本真伸 - 索尼株式会社
  • 2007-12-28 - 2008-07-02 - B29C67/00
  • 一种制模设备,用于通过对光固化树脂进行光照而顺序地形成硬化的方式形成所需形状的模型。所述装置包括第一光源,其为在光固化树脂上绘图而发射光束,扫描装置,其在所述树脂上扫描由第一光源射出光束,第二光源,其发射每次照射所述树脂的一个固定区域的,空间调制器,其空间调制由第二光源射出并全面曝光所述树脂的特定区域,和曝光位置调节器,其在至少一个方向上移动由所述空间调制器射出的。来自所述扫描装置的光束和来自所述空间调制器的形成每个硬化
  • 光制模设备
  • [发明专利]偏振无关的开关-CN202010575864.1在审
  • 曹伟杰;储涛 - 浙江大学
  • 2020-06-22 - 2022-01-07 - G02F1/03
  • 本发明公开了一种偏振无关的开关,涉及半导体领域,开关为左右对称结构,包括:下包层、铌酸锂波导、上包层和氮化硅,铌酸锂波导集成在下包层上方,氮化硅在铌酸锂波导上方,铌酸锂波导与氮化硅中间填充上包层;沿着传播方向依次在氮化硅刻蚀均匀分光多模干涉耦合器和上下层间耦合结构的上半部分;在铌酸锂波导刻蚀上下层间耦合结构的下半部分和偏振无关调制波导;在铌酸锂波导的偏振无关调制波导两侧制作金属电极,根据铌酸锂波导调制特征调整金属电极的位置该开关利用氮化硅材料,实现了基本无源器件的偏振无关,同时利用铌酸锂材料的电光特性,实现了低损耗高速的调制特性。
  • 偏振无关开关
  • [发明专利]基于量子点的Micro LED结构及其制备方法-CN202310737620.2在审
  • 谢峰;张羽;岳大川;蔡世星;李小磊;伍德民 - 季华实验室;深圳市奥视微科技有限公司
  • 2023-06-21 - 2023-07-25 - H01L33/50
  • 本公开涉及一种基于量子点的Micro LED结构及其制备方法,属于Micro LED显示技术领域,该结构包括阵列排布的像素,且每个像素包括:发光元件、第一调制以及阳极反射;发光元件包括相对的第一表面和第二表面,以及衔接第一表面和第二表面的衔接面;发光元件的第一表面对应Micro LED结构的出光面;第一调制层位于发光元件的至少部分第二表面和/或至少部分衔接面;第二颜色的的波长大于第一颜色的的波长;阳极反射层位于第一调制背离发光元件的一侧如此,通过利用阳极反射对第一调制发出的进行反射,使发光元件的第二表面和/或衔接面的光能够进一步被反射至出光面,提高了Micro LED结构的利用率并降低了整体能耗。
  • 基于量子microled结构及其制备方法
  • [发明专利]一种提高向列相液晶调制器件衍射效率的方法-CN201710140201.5有效
  • 孙长俐;陆建钢;张彬;刘诗雨;查升毫 - 上海交通大学
  • 2017-03-10 - 2019-12-06 - G02F1/133
  • 本发明公开了一种提高向列相液晶调制器件衍射效率的方法,包括以下步骤:步骤一、将向列相液晶材料灌入液晶空间调制器件中;步骤二、搭建相位深度测量系统,进行相位深度测量,电场加到公共电极和像素电极两端,记录下相位深度‑灰度曲线;步骤三、搭建衍射效率测量系统,进行光束偏转衍射效率测量;步骤四、调制调制器件,对其加载调制灰度图,依据相位深度‑灰度曲线对其进行调制,形成理想折射率形貌曲线。本发明的一种提高向列相液晶调制器件衍射效率的方法,可在近红外波段达到6π高相位深度调制,能够提高向列相液晶调制器件衍射效率,增大调制器件的最大光束偏转角度。
  • 一种提高液晶调制器件衍射效率方法
  • [发明专利]一种基于钙钛矿的空间太赫兹调制器及制备方法-CN202011166034.X有效
  • 刘竞博;毛淇;朱云龙 - 季华实验室
  • 2020-10-27 - 2023-01-31 - G02F1/00
  • 本发明公开了一种基于钙钛矿的空间太赫兹调制器及制备方法,通过利用钙钛矿材料具有较高的光电转换效率,在低功率泵浦激励下即可产生大量生载流子电子空穴对,为高效太赫兹调控奠定基础;而且由于石墨烯材料具有较高的迁移率,少量的电子与空穴注入,即会使石墨烯薄膜的载流子浓度与电导率显著增加,进而获得较高的太赫兹调制深度;本技术方案采用底部电子调制与顶部空穴调制的双层调制结构,充分利用电子与空穴在调制的集聚效应,增加了生载流子的利用效率,因而对太赫兹波具有更好的调制深度;此外,本基于钙钛矿的空间太赫兹调制器的结构简单,制作方便,适于推广应用。
  • 一种基于钙钛矿空间赫兹调制器制备方法

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