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[发明专利]光电半导体装置及其制造方法-CN201210409900.2无效
发明人：施权峰;傅圣文;吴炫达;赖志铭;郭钟亮 -专利权人：乐利士实业股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电半导体装置及其制造方法。该光电半导体装置包括一基板、一光电半导体元件、一黏着层、多条导线及一封胶材料。该光电半导体元件是利用该黏着层附着至该基板，且部分该光电半导体元件显露于该基板的贯穿孔结构。所述导线电性连接该光电半导体元件至该基板。该封胶材料包覆该光电半导体元件及所述导线。本发明的光电半导体装置可有效地降低该光电半导体装置的工作温度。
光电半导体装置及其制造方法

[发明专利]光电半导体装置-CN201710446677.1有效
发明人：陈显德 -专利权人：优显科技股份有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种光电半导体装置。光电半导体装置包括磊晶基材以及多个微尺寸光电半导体元件。这些微尺寸光电半导体元件间隔设置于磊晶基材的表面，各微尺寸光电半导体元件的边长分别介于1微米与100微米之间，且两个相邻的微尺寸光电半导体元件的最小间距为1微米。
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置及光电半导体的封装方法-CN202210152381.X在审
发明人：江协志;邱崇哲;阮智伟;曾释锋 -专利权人：鸿富泰精密电子（烟台）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/0232 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电半导体装置，包括底座、光电半导体、导电件及还上盖；所述上盖盖设于所述底座上，且与所述底座共同围成收容腔，所述上盖具有与所述收容腔连通的通孔；所述导电件垂直固定于所述底座上远离所述上盖的一侧；所述光电半导体固定于所述底座上并收容于所述收容腔内，所述光电半导体与所述导电件电连接，所述光电半导体面向所述通孔以供所述光电半导体上的激发光穿过所述上盖。本申请还提供了一种光电半导体的封装方法。上述光电半导体装置及光电半导体的封装方法将导电件垂直设置于所述底座上远离所述光电半导体的一侧，使光电半导体在与其他电子元件焊接时，将导电件远离所述底座的一端与电子元件对齐即可，方便了焊接操作。
光电半导体装置封装方法

[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法-CN201480053518.X有效
发明人：托马斯·施瓦茨;弗兰克·辛格;于尔根·莫斯布格尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种具有光电子半导体芯片的光电子半导体器件。尤其光电子半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述半导体器件构成为侧向发射器。此外，提出一种用于制造这种光电子半导体器件的方法。
光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]光电探测结构及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201710543971.4有效
发明人：任庆荣;孙建明;李禹奉;李良坚;王珂;刘英伟;杨维 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提出了光电探测结构及其制作方法、显示装置，该光电探测结构包括至少一个PIN单元，且该PIN单元包括：P型半导体；I型半导体；以及N型半导体，该N型半导体与I型半导体、P型半导体并排同层设置，且I型半导体设置在P型半导体与N型半导体之间。本发明所提出的光电探测结构，采用水平型设计的PIN光电探测结构，可有效地避免P型半导体对I型半导体的光吸收率的影响，从而可提高该光电探测结构的光电效率和识别能力，并且该水平型PIN光电探测结构的制作工艺步骤更简化
光电探测结构及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]光电子的半导体器件和用于制造光电子的半导体器件的方法-CN201480069338.0在审
发明人：托马斯·施瓦茨;弗兰克·辛格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：提出一种具有光电子半导体芯片的光电子的半导体器件。特别地，光电子的半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述发射辐射的半导体器件构成为侧向发射器。此外，提出一种用于制造这种光电子的半导体器件的方法。
光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]半导体光电组件及其切割方法-CN200710000100.4有效
发明人：程志青;蔡棋 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体光电组件的切割方法，其是包括以下的步骤：准备半导体光电组件芯片：该半导体光电组件芯片是包含有一基板，于基板表面形成有一外延硅层；镭射划线：以镭射于半导体光电组件芯片表面划设导引沟槽；钻石刀切割：以钻石刀于沟槽中进行切割；形成半导体光电组件晶粒：将半导体光电组件芯片沿已划设的沟槽劈裂，形成半导体光电组件晶粒。本发明的半导体光电组件是具有一基板与一外延硅层，外延硅层是形成于基板的一表面，基板的侧面设有粗糙表面，该粗糙表面是为于半导体光电组件芯片表面进行镭射划线而产生导引沟槽，再于导引沟槽内进行钻石刀切割所形成
半导体光电组件及其切割方法

[实用新型]一种半导体光电材料生产用打磨设备-CN202121995643.6有效
发明人：华铁军;黄春城 -专利权人：江苏海创微电子有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B24B27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体光电材料技术领域，尤其涉及一种半导体光电材料生产用打磨设备，解决了现有技术中在进行半导体光电材料朝外侧的面的打磨时，不能进行半导体光电材料四周侧壁的打磨，造成效率低下的问题。一种半导体光电材料生产用打磨设备，包括加工箱，加工箱的左端设有用于放置半导体光电材料的开口，所述加工箱内设有用于固定半导体光电材料的安装框，所述加工箱的右端设有用于打磨半导体光电材料的第一打磨机构，所述安装框内设有用于打磨半导体光电材料的第二打磨机构本实用新型能够在打磨光电材料技术朝外侧的面的同时进行四周的侧壁的打磨，同时还能够避免砂轮破坏PIN针。
一种半导体光电材料生产打磨设备

[发明专利]基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料及其制备方法和光电导天线结构-CN202011471933.0在审
发明人：芦红;张克冬;李晨;孟亚飞;李艺文;王枫秋;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料，包括半绝缘的半导体衬底以及依次设于所述半导体衬底上的下层半导体层、半金属层、上层半导体层。本发明还公开了一种基于半导体/半金属/半导体异质结的光电导天线结构，由基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料以及偶极天线组成。基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料无需低温生长，具有高晶体质量，由半导体/半金属之间的界面态以及半金属的价带提供快速弛豫通道，可在1550nm波段实现亚皮秒量级的超快弛豫；基于半导体/半金属/半导体异质结的光电导天线可用作1550nm激发的太赫兹光源和太赫兹探测器。
基于半导体金属异质结光电材料及其制备方法电导天线结构

[实用新型]一种散热效果好的光电半导体器件-CN202221462825.1有效
发明人：牛瑞鹏 -专利权人：牛瑞鹏
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型提供一种散热效果好的光电半导体器件，包括光电半导体本体和用于安装光电半导体本体的安装板，安装板的上端面竖向设有安装槽，光电半导体本体的前后两侧均设有多个引脚，光电半导体本体设置于安装槽的槽底处，且引脚与安装板的上端面相连；安装槽的槽底处内凹形成散热空腔，散热空腔的底部竖向设有多个间隔设置的散热铜管，光电半导体本体的下端设有散热铜片，散热铜片设置于散热空腔内且与散热铜管的上端面相连，散热空腔的底部设有竖向通透设置的散热通道，且散热通道与散热铜管相连通，用于解决光电半导体在安装时与安装板相接触，致使光电半导体不便于散热，热量堆积过多后，会对光电半导体的使用造成一定的影响的问题。
一种散热效果光电半导体器件

[发明专利]光电半导体戳记及其制造方法与光电半导体装置-CN201811477304.1有效
发明人：陈显德 -专利权人：优显科技股份有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光电半导体戳记及其制造方法与光电半导体装置。该制造方法包括以下步骤：压合光电半导体衬底至紫外光胶带，其中多个光电半导体组件的电极黏着在紫外光胶带上；移除磊晶基材，并使至少一部分的这些光电半导体组件黏着在紫外光胶带上；降低紫外光胶带的至少一部分的黏性；以及通过导热衬底拾取至少一部分的黏性降低位置对应的多个光电半导体组件，使至少一部分黏性降低位置对应的多个光电半导体组件脱离紫外光胶带而得到光电半导体戳记。
光电半导体戳记及其制造方法装置

[发明专利]一种光电转换结构及其制备方法、显示装置-CN202011456158.1有效
发明人：闫雷;方业周;李峰;姚磊;高云;王成龙;李凯;苏海东;候林;杨桦;孟艳艳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电转换结构及其制备方法、显示装置，用以提高光电转换结构的外量子效率以及灵敏度。本申请实施例提供的一种光电转换结构，所光电转换结构包括：第一半导体层，以及位于所述第一半导体层之上的第二半导体层；所述第一半导体层包括N型掺杂半导体；所述第二半导体层包括：本征半导体，以及位于部分所述本征半导体背离所述第一半导体层一侧的、图案化的P型掺杂半导体。
一种光电转换结构及其制备方法显示装置

[发明专利]光倍增管、图像传感器及使用PMT或图像传感器的检验系统-CN201480028203.X有效
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;戴维·L·布朗;约翰·费尔登 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示一种光倍增管，其包含半导体光电阴极及光电二极管。值得注意地，所述光电二极管包含：p掺杂型半导体层；n掺杂型半导体层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第一表面上，以形成二极管；及纯硼层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第二表面上。在所述半导体光电阴极与所述光电二极管之间的间隙可为小于约1毫米或小于约500微米。所述半导体光电阴极可包含氮化镓，例如一或多个p掺杂型氮化镓层。在其它实施例中，所述半导体光电阴极可包含硅。此半导体光电阴极可进一步包含在至少一个表面上的纯硼涂层。
倍增图像传感器使用 pmt 检验系统

[发明专利]光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法-CN201310062459.X有效
发明人：下津佐峰生;市川武史;关根康弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。
光电转换装置图像拾取系统以及制造方法

[发明专利]光电转换装置、图像拾取系统及制造光电转换装置的方法-CN201610171227.1有效
发明人：下津佐峰生;市川武史;关根康弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。
光电转换装置图像拾取系统制造方法

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