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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]主动识别型液晶显示装置及其制作方法-CN201810239227.X有效
发明人：李岩松 -专利权人：惠州市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明的第一基板表面形成有在光照后产生光生电流的光照切换层，当激光笔发出的激光照射到两个相邻电极之间的缝隙处的光照切换层表面时引发光生电流，从而导通该两个相邻的电极，通过感知导通信号所在的位置即可方便地捕捉到激光笔光束在显示装置上指向的位置，光照切换层在光照后产生光生电流，通过驱动芯片控制光生电流的产生区域对应的液晶偏转，实现液晶显示装置对于光束位置的主动识别和图案显示。
主动识别液晶显示装置及其制作方法

[发明专利]一种ChOx‑ChE/GQDs/N‑F‑TNs光电化学生物传感器制备方法及其应用-CN201710652819.X在审
发明人：黄齐林;黄旭花;李明;史云东;林洪;周元清;曾艳萍;吴云英;仲一卉 -专利权人：玉溪师范学院
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：并修饰N‑F‑TNs电极；3)用交联法构建ChOx‑ChE/GQDs/N‑F‑TNs光电化学生物传感器；本发明提供的ChOx‑ChE/GQDs/N‑F‑TNs光电化学生物传感器能够在可见光激发下产生光电流，以胆固醇(CHO)作为底物，经ChOx‑ChE催化水解所得的Ch和CE能够捕获光生空穴抑制光生空穴与光生电子的复合，从而提高了光电流。
一种 chox che gqds tns 光电化学生物传感器制备方法及其应用

[发明专利]一种Fe₂O₃/TiO₂纳米复合光阳极材料的制备和应用-CN201910201386.5在审
发明人：裴元生;崔骏 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光生阴极保护的Fe₂O₃/TiO₂(FTNAs)纳米复合光阳极材料的制备和应用。首先通过阳极氧化法在钛基底表面原位制备TiO₂纳米管阵列(TNAs)，再通过氧化‑沉积过程将Fe₂O₃纳米颗粒负载在TNAs表面，制备FTNAs纳米复合光阳极材料本发明制备的FTNAs纳米复合光阳极材料方法简单。与TNAs相比，显示出更高的光电流密度。在模拟太阳光的照射下，被保护的碳钢电极电位降低295mV，具有优异的光生阴极保护效果。
纳米复合光阳极制备光生阴极保护制备和应用模拟太阳光阳极氧化法表面原位电位降低纳米颗粒碳钢电极光电流钛基沉积照射

[发明专利]光传感半导体单元和光传感半导体阵列-CN201910004799.4有效
发明人：宇思洋 -专利权人：深圳市环宇鼎鑫科技有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：一种光传感半导体单元，包括：衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区；位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第三掺杂区；及用于隔离所述第一掺杂区和所述第三掺杂区的隔离结构形成两个耗尽区，打入到这两个耗尽区的光生载流子才能被内建电场扫出，形成光导电流效应。两个耗尽区的设计比传统二极管一个耗尽区设计在吸收光生载流子的效率上大幅度提高；其次在两个耗尽区之外实施特定偏置电压，能够把两个耗尽扩展区特定的最大化扩展，但不形成穿通效应，这样可以形成不同电压和光生载流子吸收效率数据信息，这能够提高光分辨灵敏度。
传感半导体单元阵列

[发明专利]一种用于海洋浪花飞溅区光生阴极保护的Bi2-CN201910398849.1有效
发明人：马秀敏;马峥;王秀通;侯保荣 -专利权人：中国科学院海洋研究所
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C23F13/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种光阳极复合材料，尤其是涉及一种用于浪花飞溅区光生阴极保护光生阴极保护的Bi2O2CO3/TiO2光阳极复合材料的制备方法。本发明制备的复合材料光阳极在可见光照射下相对于TiO2基体具有更大的光生电流密度和更负的开路电位，有效的阻碍了304不锈钢的腐蚀。
一种用于海洋浪花飞溅区光生阴极保护 bi base sub

[发明专利]CIGS基薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201510311545.9在审
发明人：李艺明;邓国云;田宏波 -专利权人：厦门神科太阳能有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：这种点接触结构不妨碍光生电流的通过，又可达到降低界面缺陷态密度，降低光生载流子的表面复合速率，从而提高薄膜太阳能电池的开路电压。
cigs 薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种检测17β-雌二醇的新型光电生物传感体系-CN202110452628.5在审
发明人：颜梅;魏全勇;张晶;孙荣环;马云飞;李成芳 -专利权人：济南大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：根据光电传感体系，共催化剂FeOOH能够充分利用和输送大量的空穴，极大地减少了光生载流子的复合从而增强基底的光电流信号，通过与CoTiO3形成的异质结更好地扩大了光吸收范围且使光生载流子更好地在电极上运输
一种检测 17 雌二醇新型光电生物传感体系

[发明专利]感光传感器及其制备方法、阵列基板、显示面板-CN202010190030.9有效
发明人：肖军城;艾飞;宋继越 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本申请揭露一种感光传感器及其制备方法、阵列基板、显示面板，通过离子植入的方式，在同一层多晶硅表面分别形成N型区和P型区，兼容了离子植入的工艺；并在多晶硅上方覆盖一层非晶硅感光层，增强了吸收光能力，可增加光生电子‑空穴对，且水平方向和垂直方向上均存在内建电场，可更加有效地分离电子‑空穴对，增大光生电流，提高指纹识别的精度。
感光传感器及其制备方法阵列显示面板

[发明专利]一种光控主动适应型有机晶体管、制备方法及应用-CN202110276798.2在审
发明人：狄重安;贺紫晗;申弘光;叶德楷;刘力瑶;代小娟;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光控主动适应型有机晶体管、制备方法及应用，属于有机生物电子学领域，用于解决集成化传感器和逻辑电路的设计会导致传感控制电路复杂的技术问题，光控主动适应型有机晶体管包括：半导体中间层；所述半导体中间层包括：光感应层和载流子俘获层；所述光感应层用于感应光信号，并产生光生载流子；所述载流子俘获层用于俘获所述光生载流子；所述半导体中间层用于根据所述光信号的亮度，调整所述适应型有机晶体管输出电流的衰减时间常数。
一种光控主动适应有机晶体管制备方法应用

[发明专利]基于两种不同温度下电池电性参量预测光伏发电的方法-CN201410531020.1有效
发明人：肖文波;胡方雨 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明奖公开了一种基于两种不同温度下电池电性参量预测光伏发电的方法，首先根据光生电流约为短路电流以及并联电阻无穷大假设条件，采用泰勒公式化简光伏电池单指数二极管方程为幂律方程；然后，根据二极管反向饱和电流与光强无关假设条件，建立短路电流、开路电压以及最大功率点处电流和电压与光强和温度的关系；其次，利用2种不同温度下的短路电流等8个电气参量值，求解出短路电流温度系数等；最后，将幂律方程与短路电流等与光强和温度的关系相结合，本发明的技术效果是：通过两种不同温度下电池电性参量的测量数据，可以较精确预测出在任意光强和温度下的光伏发电特性。
基于不同温度电池参量预测发电方法

[发明专利]包括金属覆盖穿通以及改进的钝化的光生伏打电池-CN200880119239.3无效
发明人： F·德罗斯;C·阿尔贝;J·什勒夫奇克;G·博卡恩 -专利权人： IMEC公司;光伏技术公司
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种光生伏打器件，其包括半导体基片，所述基片包括接受辐射的前表面以及后表面，一种导电类型的第一区(29)，以及与前表面相邻的具有相反导电类型的第二区(20)，以及减反射层(27)。所述前表面包括收集电流的导电接触件(23)，所述后表面包括穿过所述电介质的导电接触件(31)。在通孔中提供了导电路径，用来传导来自前表面的光生电流。还避免了将结区设置在通孔附近的需求，因此减少了不希望出现的复合电流。
包括金属覆盖以及改进钝化光生伏打电池

[发明专利]具有高极化电流的光致液体极化紫外光电探测器及其制备方法-CN202211195589.6在审
发明人：林时胜;刘畅;陆阳华 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高极化电流的光致液体极化紫外光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括石墨烯、极性电解质溶液、绝缘窗口和半导体，还包括金属正电极和金属背电极。本发明的光电探测器石墨烯与半导体的费米能极差，将设于其间的极性电解质溶液极化，电解质中的离子与水分子发生相互作用，在高能光子的激发下，石墨烯中会产生载流子倍增现象，大量的光生载流子漂移到固液界面，形成瞬间光极化电流，当光照稳定之后光极化电流趋于平稳，关闭光源的时候，会产生去极化电流。
具有极化电流液体紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构-CN202310083226.1在审
发明人：王小兰;刘梦宇;张建立;高江东;郑畅达;莫春兰;潘拴;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：InGaN量子阱层在V形坑侧壁的厚度相比平台更薄，可以缩短光生载流子的传输距离，并且光生载流子在V形坑的有源区中更容易分离，可以加快光生载流子离开有源区的速度，从而达到提高响应速度的目的，同时，V形坑的存在使得耗尽层加厚，增加了对光的有效吸收和光生载流子的收集效率，光电流增大，进而提高响应度。
一种兼具响应速度 ingan 可见光探测器外延结构

[发明专利]用于光生阴极保护的锌铁铝水滑石/二氧化钛复合膜光阳极的制备方法-CN201710865494.3有效
发明人：王秀通;宁晓波;雷婧;李红;李鑫冉;南有博;邵静;黄彦良 -专利权人：中国科学院海洋研究所
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C23F13/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光生阴极保护的锌铁铝水滑石/二氧化钛复合膜光阳极的制备方法，涉及一种复合膜光阳极。本发明在二氧化钛纳米管上负载具有独特的层间结构的锌铁铝水滑石制得锌铁铝水滑石/二氧化钛复合膜光阳极。负载锌铁铝水滑石增强了二氧化钛的可见光吸收性能，且其独特的层间结构能提高光生电子和空穴的分离效率。本发明制备的复合膜光阳极较纯二氧化钛纳米管具有更大的光电流密度和电位降，能有效减缓不锈钢的腐蚀。
铝水滑石复合膜光阳极锌铁二氧化钛二氧化钛纳米管层间结构制备空穴光生阴极保护可见光吸收分离效率光生电子电位降光电流不锈钢腐蚀

[发明专利]一种光电探测器、制备方法及光电探测装置-CN202010155514.X有效
发明人：李达;张硕;陈江博;孟凡理;李凡;梁魁;李泽源 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器、制备方法及光电探测装置，通过设置第一绝缘层，并使第一绝缘层在基板的正投影与第一电极和第二电极在基板的正投影之间的间隙具有交叠区域，这样可以使第一电极和第二电极形成的电场主要分布在光感有源层中，降低电子泄漏的通道，能驱动更多光生载流子被第二电极收集。进而当光电探测器进行光探测产生光电流时，可以使光电流与暗电流的对比度提高，以及使灵敏度提高。
一种光电探测器制备方法探测装置

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