专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]后站管幕桩法开挖车站结构-CN202021122359.3有效
  • 胡庄;胡俊;黄吉俪;刘文博;陈璐 - 海南大学
  • 2020-06-17 - 2021-02-02 - E21D9/14
  • 本实用新型公开了一种后站管幕桩法开挖车站结构,其上下两层分别设置四个导,其中上层导中有一先行导,利用先行导作为管幕打设的工作空间,先行导和四个下部导上方无管幕支护,设有初期支护且为拱顶直墙结构,导作为边桩、中柱钢管柱的工作空间,在管幕打设完成,上层其余三个上部导采用平顶直墙结构开挖。本实用新型能有效缩短了地铁施工的工期,节约时间成本,管幕桩暗挖法具有结构安全性高、地层变形控制效果好、结构形式灵活、对环境设施影响极小等优势,具有极强的实际使用价值,可广泛应用到相关工程中使用。
  • 先隧后站管幕洞桩法开挖车站结构
  • [发明专利]利用硼参杂制作P型非晶半导体以改善穿效应膜层-CN201110283723.3无效
  • 戴嘉男;刘幼海;刘吉人 - 吉富新能源科技(上海)有限公司
  • 2011-09-22 - 2013-04-03 - H01L31/20
  • 本发明是利用硼参杂制作P型非晶半导体以改善穿效应膜层。其主要是在PECVD内进行,制作非晶硅P.I.N型半导体薄膜,制作P、I、N型非晶三层,接着本发明,在N型微晶半导体,利用硼参杂作P型非晶,控制硼参杂制作非晶,由于穿效应中,要将两层之间的N/P键结产生电场缩小,故制作缺陷薄膜,让载子在内部作复合,将内建电场缩小,硼参杂的P型非晶结构,内部缺陷严重,此层较薄可保持高穿透率,让光易进入I层非晶硅内,较低电阻值作穿效应,完成P型非晶,连接P型微晶,两者界面恰当,再作微晶I型及非晶N型,完成薄膜太阳能,再作背电极得发电效率,此发明P型半导体于穿效应中可让电子电流通顺利,故可提高太阳能薄膜电池效率。
  • 利用参杂制作型非晶半导体改善效应

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