专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510654443.7在审
  • 周纪登 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
  • 2015-10-10 - 2016-01-06 - G02F1/1362
  • 本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,包括:形成在衬底基板上的栅线、数据线、公共电极线,公共电极线将显示区域划分成多个像素区域,每个像素区域内都设置有像素电极;其中,像素区域包括:至少两个像素区域像素电极像素区域对应的部分具有条状镂空,栅线和数据线相交,且栅线和数据线中至少一条形成在至少两个像素区域之间的暗纹区,栅线和数据线的交叉处形成有薄膜晶体管,薄膜晶体管连接栅线、数据线和像素电极,栅线和数据线之间间隔第一绝缘层,数据线和像素电极之间间隔第二绝缘层。本发明将数据线和栅线中至少一条形成在像素区域之间的暗纹区,提高像素开口率,从而提高透明TFT-LCD的透过率。
  • 阵列及其制作方法显示装置
  • [实用新型]阵列基板及显示装置-CN201520784685.3有效
  • 周纪登 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
  • 2015-10-10 - 2016-01-27 - G02F1/1362
  • 本实用新型涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及显示装置,包括:形成在衬底基板上的栅线、数据线、公共电极线,公共电极线将显示区域划分成多个像素区域,每个像素区域内都设置有像素电极;其中,像素区域包括:至少两个像素区域像素电极像素区域对应的部分具有条状镂空,栅线和数据线相交,且栅线和数据线中至少一条形成在至少两个像素区域之间的暗纹区,栅线和数据线的交叉处形成有薄膜晶体管,薄膜晶体管连接栅线、数据线和像素电极,栅线和数据线之间间隔第一绝缘层,数据线和像素电极之间间隔第二绝缘层。本实用新型将数据线和栅线中至少一条形成在像素区域之间的暗纹区,提高像素开口率,从而提高透明TFT-LCD的透过率。
  • 阵列显示装置
  • [发明专利]显示设备-CN201980067479.1在审
  • 郭珍午;姜锺赫;宋根圭;赵诚赞;赵显敏 - 三星显示有限公司
  • 2019-04-15 - 2021-06-04 - H01L27/12
  • 显示设备包括:衬底,包括显示区域和非显示区域;以及多个像素,设置在显示区域上,多个像素中的每个包括多个子像素。多个子像素中的每个包括像素电路层以及包括至少一个发光元件的显示元件层。显示元件层包括:第一电极和第二电极,彼此间隔开;发光元件,设置在第一电极与第二电极之间;第一接触电极,将发光元件的相对端中的一端连接到第一电极;以及第二接触电极,将发光元件的相对端中的剩余端连接到第二电极根据本发明的一个实施方式,多个子像素中的每个包括第一区域以及与第一区域相邻的第二区域,在第一区域中设置有像素电路层。第二区域包括光穿过其的透射区域
  • 显示设备
  • [发明专利]显示设备-CN202310059123.1在审
  • 朴亨埈;文重守;安俊勇;严努力 - 三星显示有限公司
  • 2023-01-17 - 2023-07-18 - H10K59/12
  • 一种显示设备包括:基底,包括组件区域、第一相邻区域、第二相邻区域和主区域,组件区域布置在第一相邻区域和第二相邻区域之间,主区域在平面图中至少部分地围绕组件区域和相邻区域;第一显示元件,在组件区域中,包括像素电极、发射层和对电极,发射层在像素电极上;第二显示元件、电连接到第一显示元件的第一像素电路以及电连接到第二显示元件的第二像素电路,在相邻区域中;信号布线,在所述组件区域中,与所述像素电极相邻,并且从所述组件区域与所述第一相邻区域接触的边界在第一方向上延伸;以及连接布线,与像素电极相邻并且将第一显示元件电连接到第一像素电路。
  • 显示设备
  • [发明专利]一种有机发光显示面板及显示装置-CN201810276763.7有效
  • 芦兴 - 武汉天马微电子有限公司
  • 2018-03-30 - 2021-03-19 - H01L27/32
  • 该有机发光显示面板包括阵列基板和多个像素单元,该阵列基板包括显示区和围绕显示区的非显示区,显示区具有异形边缘;像素单元形成在阵列基板的显示区,像素单元包括多个子像素,子像素包括依次设置的第一电极层、发光像素层和第二电极层,其中,显示区包括靠近异形边缘的异形显示区域和远离异形边缘的中心显示区域;异形显示区域的子像素的第一电极层的面积小于中心显示区域的子像素的第一电极层的面积,和/或,异形显示区域的子像素的第二电极层的面积小于中心显示区域的子像素的第二电极层的面积
  • 一种有机发光显示面板显示装置
  • [发明专利]液晶显示装置-CN200780045078.3有效
  • 正乐明大;津幡俊英 - 夏普株式会社
  • 2007-12-03 - 2009-10-28 - G02F1/1337
  • 本发明的液晶显示装置的像素区域具有:第一子像素电极(111a)、第二子像素电极(111b1)和第三子像素电极(111b2);垂直取向型的液晶层;对置电极(121);和取向膜。第二子像素电极和第三子像素电极以夹着第一子像素电极的方式配置,由与第一子像素电极对应的第一区域、与第二子像素电极对应的第二区域和与第三子像素电极对应的第三区域构成。像素区域具有任意2个倾斜方向的差大致等于90°的整数倍的第一、第二、第三和第四畴(A~D)各2个,合计具有8个畴,第一区域具有第一、第二、第三和第四液晶畴各1个,合计具有4个液晶畴,第二和第三区域各自具有选自第一
  • 液晶显示装置
  • [发明专利]一种无像素bank的TFT-OLED及制备方法-CN201510805838.2有效
  • 陈亚文 - TCL集团股份有限公司
  • 2015-11-20 - 2020-03-31 - H01L27/32
  • 本发明公开一种无像素bank的TFT‑OLED及制备方法,本发明通过在TFT阵列的S/D电极上端的挖孔区域全曝光,待制备像素电极区域半曝光,在刻蚀挖孔的过程中,待制备像素电极区域的TFT阵列的平坦层上端的光阻较薄,刻蚀过程中被刻蚀掉,因此该待制备像素电极区域的TFT阵列平坦层上形成一个凹槽,随后直接沉积像素电极,接着进行光阻剥离,以使像素电极图案化,此时的像素电极在TFT阵列平坦层的凹槽内,而没有凸出在TFT阵列平坦层表面,因而不需要额外的像素bank来覆盖像素电极边缘,以防止制备OLED时发生短路,大大简化了TFT‑OLED显示器的制备工艺,节约了制备成本。
  • 一种像素banktftoled制备方法

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