“保留区”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果778532个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]极耳预焊焊头及预焊机与极片预焊系统-CN202120520047.6有效
发明人：施健峰;刘添江 -专利权人：蜂巢能源科技有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种极耳预焊焊头及预焊机与极片预焊系统，其中，极耳预焊焊头上设有用以对极耳的保留区进行焊接的第一焊接单元，以及与第一焊接单元间距布置的第二焊接单元，且第二焊接单元用以对极耳的裁切区进行焊接本实用新型所述的极耳预焊焊头，通过设置分别对保留区和裁切区进行焊接的第一焊接单元和第二焊接单元，可使裁切区裁切下的废料连接在一起，从而可有效防止废料松散、飞溅，进而可有效防止废料进入电池内部，而影响电池安全
极耳预焊焊头预焊机极片预焊系统

[发明专利]一种HD-SDI接口的传输加密方法及装置-CN202210466472.0在审
发明人：林飞;王正;周勋;殷水军;徐林杰;张步;曹雨晨;余晶;王松伟;刘立波;胡立琴;魏奕;邵玉芳;齐俊 -专利权人：武汉船舶通信研究所（中国船舶重工集团公司第七二二研究所）
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H04N21/2347 文献下载
摘要：本发明提供的一种HD‑SDI接口的图像数据加密传输方法及装置，包括步骤：构建第n帧图像的预设字节数的密钥信息；将所述预设字节数的密钥信息填充至当前第n帧图像的若干行的LN保留字段中；基于第n‑k帧图像的密钥信息，通过序列算法对第n帧图像的行消隐区数据、有效视频区数据进行加密；通过利用LN0、LN1的保留BIT位传输消息密钥和工作密钥号，采用序列算法对行消隐区数据和有效视频区数据进行加密，在完成对音视频数据的机密性保护的同时不增加算力的额外开销，对加密后的数据量影响较小，不会占用额外的传输带宽；且通过通用标准中的保留字段进行加密，不需要改变原有视频设备的连接关系和使用方式，使得加密数据的适用性和兼容性较好。
一种 hd sdi 接口传输加密方法装置

[发明专利]一种去除芦苇群落中入侵性外来植物的方法-CN201210548862.9有效
发明人：李德志;李经纶;秦艾丽 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： A01G1/00 文献下载
摘要：本发明涉及去除入侵性外来植物的方法，具体涉及一种去除芦苇群落中入侵性外来植物的方法，由以下步骤组成：考察入侵性外来植物分布区域，将不适宜芦苇生长的区域划分为保留区、将适宜芦苇生长的区域划分为去除修复区；对于保留区中的入侵性外来植物进行保留，对于去除修复区的入侵性外来植物进行刈割、留矮茬；留茬的区域采用上表面附着黑色塑料布覆盖，直至所述的入侵性外来植物窒息而死；撤除黑色塑料布，在被覆盖过的区域重新种植耐盐
一种去除芦苇群落入侵外来植物方法

[发明专利]一种底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET及其制备方法-CN202210401048.8有效
发明人：张益鸣 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET及其制备方法，其包括：漏极（11），碳化硅衬底（10），碳化硅N外延（9）；碳化硅N外延（9）内部上方左侧的Pwell区（5）、中侧的沟槽区（12）、右侧的Ppluswell区（6）；绝缘介质隔离层（2）以及源极（1）。本发明包含Pwell，Ppluswell及PBottomPlus，Pwell和Ppluswell在注入缓冲层的作用下可以使Ppluswell保留了较浓且深的掺杂，兼顾Vth调整及耐击穿的调整；选择性同时刻蚀Pwell和Ppluswell区，得到的沟槽两侧分别是Pwell和Ppluswell，沟槽底部一侧保留部分Ppluswell的区域；基于侧壁保护层，对沟槽底部的Ppluswell进行加浓注入，得到浓掺杂且较深的PBottomPlus；沟槽底部保留的Ppluswell与PBottomPlus具有良好电气连接，保证了相邻的PBottomPlus区域可以接地，夹断Pwell和PlusWell间的强电场，保护拐角处的栅氧
一种底部保护接地沟槽碳化硅 mosfet 及其制备方法

[发明专利]旱作区地膜周年全覆盖揭旧换新施肥播种一体化方法-CN201210170907.3无效
发明人：杨祁峰;张永祥;岳云;熊春蓉;张成荣;张雷 -专利权人：杨祁峰
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： A01G1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种旱作区地膜周年全覆盖揭旧换新施肥播种一体化方法，该方法包括以下步骤：⑴选择地块；⑵将复合微生物有机肥均匀地撒在地表；⑶划完全田；⑷全地面覆盖地膜；⑸土壤消毒；⑹选种；⑺拌种；⑻适时点播种植；⑼在海拔2000米以下的旱作农业区，第一年作物收获后保留地膜，第二年在原地膜上播种，作物收获后保留地膜，第三年播种时揭旧换新，同时进行施肥、土壤消毒、点播一体化种植；在海拔2000~2300米旱作农业区，第一年作物收获后保留地膜，第二年播种时揭旧换新，同时进行施肥、土壤消毒、点播一体化种植。本发明既可以大幅度提高旱作农业区降水利用率，而且又能实现机械化作业、减少种植工序、减轻劳动力、降低生产成本。
旱作地膜周年覆盖换新施肥播种一体化方法

[发明专利]通信网络中的恢复保护-CN02813237.8有效
发明人： A·J·巴克 -专利权人：马科尼英国知识产权有限公司
申请日： 2002-05-15 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H04J3/08 文献下载
摘要：通过保留连接网络节点的至少一些链路的一部分传输带宽，实现了网络上的故障链路恢复。保留的传输带宽部分用于传输从故障链路转移的业务以便为该转移的业务提供恢复路径，从而可动态确定保护路径。保留部分最好配置成区，这样，可通过保护带宽传送连续级联净荷。
通信网络中的恢复保护

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201510405436.3有效
发明人：肖志莲;赵海生;彭志龙;裴晓光;刘冲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的制备方法中，采用掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，使第一区域保留第一厚度的光刻胶，第二区域保留第二厚度的光刻胶，其中第一厚度大于第二厚度，第一区域为对应薄膜晶体管的有源区的区域，且每个第一区域均至少部分与第二区域相连，使得曝光后的光刻胶与基板接触的面积大，第一区域的光刻胶不易脱落。
一种阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]一种TEM样品以及制备TEM样品的方法-CN201911001966.6有效
发明人：邹锭 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种TEM样品以及制备TEM样品的方法，包括：在待制备样品上形成保护层；沿所述保护层的两侧向所述待制备样品的中间部分减薄，并在其中一侧减薄至预设条件时，逐步缩小加工区域，以通过在墩子和薄区之间保留阶梯状的过渡区域来形成厚度均匀的薄区由于墩子与薄区相连，且墩子位于薄区的两端，因此，通过保留阶梯状的过渡区域，可以逐步改变薄区边缘受到墩子拉力的受力点的位置，从而通过改变受力点位置可以减小薄区远离墩子的中间区域与靠近墩子的边缘区域的拉力差异，进而可以提高大范围薄区的均匀性，使得制备的TEM样品满足TEM自动拍图量测的要求。
一种 tem 样品以及制备方法

[发明专利]半导体器件及存储系统的形成方法-CN200910145884.9有效
发明人：朴尚容;沈载煌;李宁浩;朴载宽;文庆烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：去除掩模层在半导体器件的第一区中的部分并保留在半导体器件的第二区中的掩模层，其中在第一区要设置特征层的精细特征，在第二区要设置特征层的宽特征。在第一区中的特征层上及第二区中的掩模层上设置模制掩模图案。设置间隔体层在第一区及第二区中的模制掩模图案上。实施刻蚀工艺以刻蚀间隔体层从而在模制掩模图案的图案特征的侧壁处保留间隔体，及实施刻蚀工艺来刻蚀在第二区中的掩模层以在第二区中设置掩模层图案。利用第二区中的掩模层图案及第一区中的间隔体作为刻蚀掩模来刻蚀特征层。
半导体器件存储系统形成方法

[发明专利]一种基于BIOS系统的数据操作方法、系统、介质及设备-CN202110807534.5有效
发明人：王录祥;杨霖 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F9/4401 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于BIOS系统的数据操作方法、系统、介质及设备，方法包括：响应于BIOS系统初次启动，为其指定存储区中的所有数据分别设置默认值及标识符；响应于BIOS系统在使用过程中其指定存储区中有数据更新为当前值，判断是否需要在触发清CMOS操作后保留当前值；若需要，则将其标识符记录至列表中；响应于对BIOS系统触发清CMOS操作，将指定存储区的所有数据读取至缓冲区；遍历缓冲区中的所有数据，并将其中标识符存在于列表中的数据复制到备份缓冲区；且将缓冲区中的所有数据删除，并将备份缓冲区中的数据复制到缓冲区，且将指定存储区中的所有数据删除并将缓冲区中的数据写入指定存储区。本发明能够在执行清CMOS操作时将需要的数据的当前值进行保留。
一种基于 bios 系统数据操作方法介质设备

[发明专利]用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构-CN200610118772.0无效
发明人：陈军;吴汉明;高大为;朱蓓;伯凡帝·保罗 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供半导体衬底；形成上覆于半导体衬底的电介质层；形成上覆于电介质层的栅极层；形成上覆于栅极层的硬掩模；利用硬掩模作为保护层图案化栅极层，以形成栅极结构；形成上覆于栅极结构的电介质层；由电介质层形成多个隔片，同时保留上覆于栅极结构的硬掩模；利用电介质层和硬掩模作为保护层，刻蚀紧邻栅极结构的源区和漏区，而硬掩模防止栅极结构的任何部分暴露；保留硬掩模；将硅锗材料沉积到源区和漏区中，同时利用硬掩模使栅极层的任何部分保持不被暴露，所述硅锗材料使得源区和漏区之间的沟道区从形成在源区和漏区中的至少硅锗材料以压缩模式发生应变
用于应变 mos 晶体管使用硬掩模刻蚀方法结构

[发明专利]访存部件及访存部件中访存指令读取数据的方法-CN201511032209.7有效
发明人：冯睿鑫;李祖松;李明 -专利权人：北京国睿中数科技股份有限公司;中国电子科技集团公司第十四研究所
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种访存部件及访存部件中访存指令读取数据的方法，其中，访存部件包括：保留站和流水线，保留站暂存有访存指令，访存指令从保留站顺序进入流水线，并从流水线顺序进入访存执行队列，其中，访存指令包括存储指令和加载指令；数据暂存区；访存执行队列，存储指令在进入访存执行队列后，从数据暂存区中获取存储指令的数据源操作数。
部件中访存指令读取数据方法

[发明专利]一种河道生态治理系统及方法-CN202111455539.2有效
发明人：郭进生;李东杰;刘建辉;孟剑;王旭辉 -专利权人：石家庄市滹滏工程有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本申请涉及河道治理的技术领域，尤其是涉及一种河道生态治理系统及方法，包括沿河流主体流向设置在河流主体两侧的生态保留区，所述生态保留区与河流主体之间设置有隔墙坝，所述隔墙坝在位于河流主体上下游的两端均设置有过水口，所述过水口处设置有可打开或闭合的闸门，所述生态保留区内培养有水生生物。
一种河道生态治理系统方法

[发明专利]一种面料及面料处理方法、一种服饰-CN201810628055.5在审
发明人：赵尚振;李景川;李苏 -专利权人：安踏（中国）有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： D04B1/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种面料及面料处理方法、一种服饰，其中，所述面料包括一体成型的面料本体，所述面料本体包括依次间隔的平面区和立体区，所述立体区与所述平面区的面积之比为1:2，所述立体区高于所述平面区，所述立体区与所述平面区形成凹凸的结构，可以保留更多的静止空气，提高所述面料的保暖性能。
立体区平面区面料面料本体面料处理服饰一体成型的保暖性能静止空气凹凸的保留申请

[发明专利]电路板的制作方法-CN201010195875.3有效
发明人：蔡雪钧;李智勇;柳超 -专利权人：富葵精密组件(深圳)有限公司;鸿胜科技股份有限公司
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种电路板的制作方法，包括步骤：提供第一基板和第二基板，所述第一基板具有第一导电线路层，所述第一导电线路层具有暴露区及环绕暴露区的贴合区，所述第二基板具有与所述暴露区相对应的去除区及环绕所述去除区的保留区；在所述第一基板形成环绕所述暴露区的第一环形凸起，在所述第二基板上形成环绕去除区的第二环形凸起，所述第二环形凸起与第一环形凸起相对应；提供一个粘合片，所述粘合片具有开口；将所述粘合片压合于第一导电线路层的贴合区和第二基板的保留区之间，使第一导电线路层的暴露区和第二基板的去除区均暴露于所述开口，并使第一环形凸起与第二环形凸起相抵靠；以及去除所述第二基板的去除区，暴露出所述第一基板的暴露区。
电路板制作方法