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[实用新型]一种避光性好的药用低硼硅玻璃管-CN202020784791.2有效
发明人：孙世增 -专利权人：濮阳市新和实业发展有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： B65D81/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种避光性好的药用低硼硅玻璃管，包括保护外管和设置于保护外管内的低硼硅玻璃管本体；所述保护外管内部上表面设有限位软垫，保护外管和低硼硅玻璃管本体之间为空腔，空腔内部设有避光塑料套，所述保护外管外表面的下部设有环形凸起，保护外管的下端设有橡胶底座，低硼硅玻璃管本体的上端设为开口端，低硼硅玻璃管本体的下端设为封口端；通过支撑垫对低硼硅玻璃管本体的底部进行保护，防止低硼硅玻璃管本体因受到碰撞而破碎，通过环形凸起使得橡胶底座与保护外管连接的更加牢固，本实用新型避光性能好，能够对低硼硅玻璃管进行保护，防止低硼硅玻璃管破碎，使得低硼硅玻璃管内部存放的药物更加的有保障。
一种避光药用低硼硅玻璃管

[发明专利]一种提高低硼硅玻璃管制注射剂瓶强度的瓶体处理工艺-CN202211300291.7在审
发明人：周建栋;周军 -专利权人：南通鑫德医药包装材料有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C03B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高低硼硅玻璃管制注射剂瓶强度的瓶体处理工艺，包括一种提高低硼硅玻璃管制注射剂瓶强度的瓶体处理工艺，原料配比、制备、退火、研磨、抛光、储备。本发明通过将退火后的低硼硅玻璃管制注射剂瓶用磨料和研磨盘对玻璃表面进行机械磨削处理，把低硼硅玻璃管制注射剂瓶表面的微观凸起部分磨去，用氢氟酸和硫酸的腐蚀作用来抛光低硼硅玻璃管制注射剂瓶表面，氢氟酸破坏低硼硅玻璃管制注射剂瓶表层的硅氧结构，使低硼硅玻璃管制注射剂瓶表层剥离而获得新的光洁表面；从而使得制造的低硼硅玻璃管制注射剂瓶的瓶身硬度较高，降低导致低硼硅玻璃管制注射剂瓶的损伤，增加低硼硅玻璃管制注射剂瓶的使用便捷性。
一种提高低硼硅玻璃管制注射强度处理工艺

[发明专利]一种低硼多晶硅及其制备方法-CN201710084961.9在审
发明人：石兵兵;刘胜明 -专利权人：石兵兵
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明提供一种低硼多晶硅及其制备方法，涉及冶金领域。低硼多晶硅由硼含量小于0.3ppm的碳原料和硼含量小于0.15ppm的二氧化硅原料按照质量比为1：1～3.5混合后冶炼制得。低硼多晶硅的制备方法包括：将硼含量小于0.3ppm的碳原料和硼含量小于0.15ppm的二氧化硅原料按照质量比为1：1～3.5混合后冶炼制得。低硼多晶硅由低硼碳原料和低硼二氧化硅原料制得，无需再次脱硼即满足太阳能级多晶硅的要求。
一种多晶及其制备方法

[发明专利]一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法-CN201010581857.9有效
发明人：李柏榆;汪云华;李海艳;张济祥;许金泉;周金民;王钟钰;王春琴;陈小番;方来鹏;付刚 -专利权人：云南乾元光能产业有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法，本发明涉及采用湿法冶金、氧化造渣和电子束熔炼去除多晶硅中硼、磷及其它杂质。包括：用湿法冶金酸洗方式去除硅中的杂质获得低杂质多晶硅，再用中频感应加热对低杂质多晶硅进行氧化造渣熔炼，通过造渣剂的氧化方式去除多晶硅中的杂质硼，从而获得低硼多晶硅，再次用电子束熔炼去除低硼多晶硅中的磷杂质获得低金属低硼低磷多晶硅其特点是：低投入、低成本、环境污染小、工艺简单、回收率高，形成了一整套适合于工业化生产太阳能级多晶硅中间产品的可实施工艺。
一种去除工业硅中硼其它杂质综合利用方法

[发明专利]感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置-CN201010128923.7有效
发明人：战丽姝;李国斌;谭毅;董伟;姜大川 -专利权人：大连隆田科技有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置，所述方法包括：用电子束熔炼方式去除硅中的杂质磷获得低磷多晶硅的步骤，再用感应线圈对低磷多晶硅进行熔炼，通过蒸发的方式去除多晶硅中的杂质硼从而获得低磷低硼多晶硅的步骤它应用电子束和感应加热的方式去除多晶硅中杂质磷和硼，产量大，实现连续熔炼，磷硼杂质去除效果良好，去除效率高，同时有效应用了感应线圈加热温度高的特点，方法简单易行，集成了除磷和除硼的双重效果，提纯效果稳定
感应电子束熔炼去除多晶杂质方法装置

[发明专利]一种无机氮化硼粉体改性聚硅氮烷及其制备方法-CN202310767368.X在审
发明人：彭喆;柴笑笑;李松;董和谦;安楠 -专利权人：北京玻钢院复合材料有限公司;中国建材集团有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C08L83/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种无机氮化硼粉体改性聚硅氮烷及其制备方法；包括如下步骤：制备低活性无机氮化硼，将低活性无机氮化硼研磨，获得微米级粒径的低活性无机氮化硼粉末；将聚硅氮烷和低活性无机氮化硼粉末加入反应溶剂中，在惰性气氛下搅拌后，获得混合液；对混合液进行加温、升至设定温度后，保温一定时间，冷却至室温，经减压蒸馏处理后，去除混合液中的溶剂，获得改性聚硅氮烷；通过无机氮化硼粉体改性聚硅氮烷方法的提出以解决现有的聚硅氮烷改性方法繁琐，并且没有针对提高聚硅氮烷耐高温方面提高的方法的技术问题。
一种无机氮化体改性聚硅氮烷及其制备方法

[发明专利]感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法及装置-CN201010108252.8有效
发明人：战丽姝;李国斌;谭毅 -专利权人：大连隆田科技有限公司
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法及装置，所述方法是在高真空气氛中，采用感应线圈对高硼多晶硅进行熔炼至液态；再将所得液态硅蒸发并沉积出低硼多晶硅；最后将低硼多晶硅加以收集的工艺过程；所述高硼多晶硅的含硼量为0.0001％～0.001％，低硼多晶硅的含硼量为0.00002％～0.0001％。本发明利用感应加热去除多晶硅中杂质硼，产量大，去除效果好、效率高，提纯效果稳定，方法简单易行，适合大规模工业生产。
感应蒸发去除多晶杂质方法装置

[发明专利]非晶高硬的硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法-CN201310625253.3有效
发明人：杨治华;梁斌;贾德昌;段小明;王胜金;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：非晶高硬的硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法，它涉及硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有的非晶/纳米晶硅硼碳氮陶瓷材料烧结温度高、致密度低的问题。硅硼碳氮陶瓷材料由硅粉、石墨和六方氮化硼制成。本发明的硅硼碳氮陶瓷材料呈非晶态，致密度高，硬度高，且制备工艺简单、成本低。本发明主要用于制备非晶高硬的硅硼碳氮陶瓷材料。
非晶高硬硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺-CN201410123650.5有效
发明人：李鹏廷;姜大川;李佳艳;任世强;谭毅;石爽 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺，属于多晶硅生产领域。一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺，所述工艺于铸锭炉中进行，包括原料装料步骤，所述原料装料步骤：在坩埚底部均匀铺设若干块状高硼硅料，铺设面积为坩埚底面积的1/5～1/3，厚度为3～10mm，其上放置普通硅料与硅硼合金原料，且将硅硼合金原料按照自坩埚底部向上含量依次减少的分布规律置于坩埚中。本发明提供的多晶硅铸锭工艺可以实现硼元素在铸锭内的均匀分布、特别是补偿铸锭底部的低硼元素含量区，硅锭的出成率可以提高5%；均匀的硼元素分布、低的位错密度使得硅锭的效率提高0.1～0.2%。
一种底部补偿元素多晶铸锭工艺

[实用新型]低硼硅玻璃管制注射剂瓶设备芯子抹油润滑装置-CN201620373617.2有效
发明人：张华;高航;范媛媛;宋会凤 -专利权人：濮阳市鲁蒙玻璃制品有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： F16N7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及低硼硅玻璃管制注射剂瓶生产设备技术领域，具体涉及一种低硼硅玻璃管制注射剂瓶设备芯子抹油润滑装置。低硼硅玻璃管制注射剂瓶设备芯子抹油润滑装置，包括举升装置、储油容器，所述举升装置上端设置伸缩装置，伸缩装置前端设置夹持机构，夹持机构的钳体为中空结构并连通储油容器，钳体内壁开有出油孔，钳体内壁设置海绵，本实用新型可自动实现对低硼硅玻璃管制注射剂瓶制瓶机芯子抹油润滑，减轻了工人劳动强度，可有效防止芯子变形或损坏，避免低硼硅玻璃管制注射剂瓶瓶口划伤出现划痕，提高低硼硅玻璃管制注射剂瓶的质量和制瓶的合格率。
低硼硅玻璃管制注射设备芯子润滑装置

[发明专利]聚硼硅氧烷及其制备方法-CN200980107588.8无效
发明人：朱弼忠 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C08G77/56 文献下载
摘要：具有低含量与硼键合的羟基的聚硼硅氧烷，和制备该聚硼硅氧烷的方法。
聚硼硅氧烷及其制备方法

[发明专利]一种适用于工业硅造渣低硼低磷的碳酸钙的制取方法-CN201810653418.0在审
发明人：孙坤泽;史兰庆;吴章荣 -专利权人：新疆中诚硅材料有限公司
申请日： 2018-06-23 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C01F11/18 文献下载
摘要：本发明涉及硅提纯技术，具体涉及一种适用于工业硅造渣低硼低磷的碳酸钙的制取方法。碳酸钙作为造渣剂在工业硅除硼中得到广泛的运用，该工艺所需要的碳酸钙需要具有低硼低磷的特性，属于比较特殊的要求。本发明包括以下步骤：（1）采用工业用石灰石作为原料，用盐酸浸出，生成氯化钙溶液；（2）得到的氯化钙溶液经过特别选定的除硼树脂和除磷树脂进离子交换，得到的干净中低硼低磷的氯化钙溶液；（3）氯化钙溶液在和碳酸氢铵进行复分解反应，后经过固液分离后；（4）把得到的碳酸钙进行烘干，得到低硼低磷的碳酸钙。本发明得到碳酸钙硼磷很低，可以大大提高工业硅除硼的效率。
碳酸钙低磷低硼氯化钙溶液工业硅除硼树脂造渣制取碳酸氢铵复分解反应石灰石固液分离离子交换工业用硅提纯造渣剂除磷烘干浸出硼磷盐酸

[发明专利]一种耐高温阻燃聚硼硅氧烷材料及其制备方法-CN201711349409.4在审
发明人：马海红;李方彬;徐伟强;沈宏坤;王傲;李子威;彭泽林;陈诚 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C08G77/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐高温阻燃的聚硼硅氧烷材料。所述聚硼硅氧烷材料为主链含萘结构的聚硼硅氧烷材料，耐热温度为500℃以上，阻燃等级为UL94‑5VA；由聚硼硅氧烷低聚物、主链含萘结构的聚硅氧烷低聚物和聚硅氧烷低聚物在溶剂中缩合制得。聚硼硅氧烷材料由于硼氧键的存在，使得由它制备的硅橡胶的耐热性有了大幅度提高，本发明在此基础上引入刚性萘环结构会进一步提高聚硼硅氧烷材料的耐热性和阻燃性。
一种耐高温阻燃聚硼硅氧烷材料及其制备方法

[发明专利]一种改性SiBCN陶瓷材料及其制备方法-CN202310072275.5在审
发明人：石皓帆;李金平;孟松鹤;易法军;解维华;许承海;方国东;杨强 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种改性SiBCN陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷基复合材料技术领域，该陶瓷材料的制备方法包括：S1.将液态聚硼硅氮烷进行交联固化、粉碎，得到聚硼硅氮烷粉末；S2.将聚硼硅氮烷粉末与活性填料进行球磨混合、筛分，得到改性聚硼硅氮烷粉末；S3.将所述改性聚硼硅氮烷粉末与液态聚硼硅氮烷混合，经热压成型，得到素坯；S4.将所述素坯进行热解处理，得到所述改性SiBCN陶瓷材料。本发明提供的制备方法工艺简单，成本低，制得的陶瓷材料介电常数低、介电损耗角正切低、耐氧腐蚀，可在极端环境下使用。
一种改性 sibcn 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种低硼磷高纯硅的制备工艺-CN201811088653.4在审
发明人：章宇斌;杨少敏 -专利权人：南京合创工程设计有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种低硼磷高纯硅的制备工艺，涉及低硼磷高纯硅生产技术领域。包括以下步骤：制备原料、酸洗除金属杂质、氧化精炼除磷、改进型热交换法除硼、还原提纯。本发明采用酸洗的方式除去工业硅内的金属杂质，再通过氧化精炼和改进型热交换法除去工业硅内的磷和硼，使得磷和硼均被氧化形成易挥发物质，使得硅的纯度达到99.9％以上，除杂效果好，除杂效率高。
一种低硼磷高纯制备工艺

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