专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]射频开关电路-CN201310751973.4有效
  • 赵军 - QORVO美国公司
  • 2013-12-31 - 2018-04-06 - H03K17/56
  • 实施方式提供了具有高功率模式和功率模式的射频(RF功率放大器(PA)电路。射频功率放大器电路可以包括高功率放大器,用以在第一路径上提供放大后的RF信号;以及功率放大器,用以在第二路径上提供放大后的RF信号。第一路径与第二路径可以在联结节点处相交。可以在功率放大器与联结节点之间耦接开关,以在高功率模式与功率模式之间切换所述电路。可以在第二路径上耦接匹配电路,以使得在RF信号的基频处功率放大器的输出阻抗与联结节点的联结阻抗相匹配,并且在RF信号的三次谐波处呈现开路电路。匹配电路可以促进射频功率放大器电路的高效率。
  • 射频开关电路
  • [发明专利]补偿操作下的高效多模功率放大器-CN200880108323.5有效
  • G·奥;A·赫萨因 - G·奥;A·赫萨因
  • 2008-08-18 - 2010-09-29 - H03F1/02
  • 公开一种多模RF放大器,其具有高和输出功率模式以及两个功率路径。第一RF放大器(33)将功率输送到这两个路径。当该多模RF放大器偏置到高功率HP模式时,经由这两个(第一和第二)路径输送实质功率。而在功率LP模式时,RF开关(34)断开,产生高输入阻抗,第一路径开路并且有效地隔离这两个路径。因此,第一RF放大器(33)将功率只输送到第二路径。呈现给第一RF放大器(33)的输出的阻抗等于第二路径的输入阻抗,在LP模式中可以为了最大化功率附加效率或输出功率而优化设置该阻抗。注意,在优选实施例中,即使在HP模式中,输送到第二功率路径的功率也大于输送到第一功率路径的功率
  • 补偿操作高效功率放大器
  • [发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202111030176.8在审
  • 竹内贵广;小林宪 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-09-03 - 2022-03-15 - H01J37/32
  • 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法,其使用多个高频电功率脉冲信号来提高处理的性能。等离子体处理装置具有:第一RF生成部,其生成第一RF脉冲信号,该信号在第一期间具有第一功率水平,在第二期间具有第二功率水平,在第三期间具有第三功率水平,第一期间为30μs以下;第二RF生成部,其生成第二RF脉冲信号,该信号的频率比第一RF脉冲信号的频率,在第一期间具有第四功率水平,在第二期间和第三期间中的至少一者具有第五功率水平;第三RF生成部,其生成第三RF脉冲信号,该信号的频率比第二RF脉冲信号的频率,在第二期间具有第六功率水平,并且在第一期间和第三期间中的至少一者具有第七功率水平。
  • 等离子体处理装置方法
  • [发明专利]无线通信装置和方法-CN200880114061.3有效
  • 科林·雷·布雷德;瑟奇·克雷森 - 瑞尼斯豪公司
  • 2008-10-27 - 2010-09-22 - H04B1/16
  • 本发明描述了一种无线装置(4,6),其包括扩频射频(RF)通信部件(例如,蓝牙模块)和辅助RF接收器部件(24)。所述扩频RF通信部件在所述辅助RF接收器部件(24)接收到特征RF信号时激活。所述辅助RF接收器部件(24)消耗的功率可比所述扩频RF通信部件消耗的功率小得多,因此,允许实现功率的待机模式。所述无线装置可以是供机床及类似设备使用的测量探头(4),例如温度探头。本发明还描述了用于发送所述特征RF信号的接口(2;50)。
  • 无线通信装置方法
  • [发明专利]PCVD成膜工艺-CN200510112256.2无效
  • 马哲国 - 上海广电NEC液晶显示器有限公司
  • 2005-12-28 - 2007-07-11 - C23C16/513
  • 本发明公开了一种PCVD成膜工艺,先将RF功率设定为一第一功率值,然后再将RF功率设定到工作功率。本发明中,增加一步RF功率的步骤,降低Plasma的不安定性,避免出现异常放电,并且由于较低功率所产生的电场较弱,在氮化硅分子浓度较低的情况下,能够减少工作对象上附着的杂质。
  • pcvd工艺
  • [发明专利]功率RF控制系统-CN200580009297.7无效
  • 戴维·A·萨尔;温斯顿·G·沃尔克 - SOMFY两合公司
  • 2005-03-24 - 2007-03-21 - G08C17/02
  • 控制系统允许至少部分响应于来自可由用户操纵的远程控制装置的信号来控制一个部件。它包括至少一个配置来在被激活时处理信号的接收器以及至少一个控制器,该控制器使接收器在包括至少一个激活时期(B,B′,B″)的唤醒事件期间被周期性地激活,并且在唤醒事件期间没有检测到任何信号的情况下被停用。它的特征在于:所述信号在后面跟着至少一个数据命令信号的预同步周期内包括至少一个前导脉冲(P),并且按照以下方式根据一系列唤醒事件来激活接收器:在预同步周期的整个持续时间内,至少在两个激活时期内激活接收器,并且在前导脉冲期间出现至少一个激活时期。
  • 功率rf控制系统

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