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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]精确结构POSS杂化低介电材料的制备方法-CN200810041996.5无效
发明人：徐洪耀;张超;光善仪 -专利权人：东华大学
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种精确结构POSS杂化低介电材料的制备方法，该法以包含活性基团的POSS单体与可发生点击化学反应的双功能团有机小分子为精确结构杂化低介电材料制备的前驱体，利用环境友好的点击化学合成方法，把精确结构的POSS分子和有机小分子有序地连接到低介电材料结构中，通过改变连接POSS的有机分子链的组成、结构和性能，实现对精确结构杂化低介电材料结构、孔隙率、热性能、力学性能及介电常数的调控。
精确结构 poss 杂化低介电材料制备方法

[发明专利]低介电UV电子胶-CN202310460439.1在审
发明人：刘军文;钟志杰;刘中文 -专利权人：东莞市精鼎盛高分子材料有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B05C17/005 文献下载
摘要：本发明涉及UV电子胶技术领域，且公开了低介电UV电子胶，包括胶体机构，所述胶体机构包括存胶筒，所述存胶筒的端头处通过螺纹活动套接有出胶头，所述出胶头上嵌入安装有出胶管，用于出胶，所述出胶头的外侧滑动套接有遮挡罩
低介电 uv 电子

[发明专利]低介电树脂组合物-CN201680009168.6有效
发明人：吉川和男;田井诚;岩野畅行 -专利权人：株式会社有泽制作所
申请日： 2016-02-08 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C08L75/04 文献下载
摘要：本发明提供一种低介电树脂组合物，其含有(A)聚氨酯树脂、(B)环氧树脂、和(C)填料，所述(A)聚氨酯树脂是使聚碳酸酯二醇与异氰酸酯反应而得到的，(A)聚氨酯树脂的羧基当量为1,100～5,700g/当量
低介电树脂组合

[发明专利]低膨胀介电组合物-CN200510107159.4无效
发明人：何国仁;威廉·D·瓦内尔;托马斯·J·威廉斯 -专利权人：波利克莱德拉姆内替斯有限公司
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本文介绍说明介电组合物，该介电组合物含有第一种组分和第二种组分，其中第二种组分的数量约为5份～60份/100份第一种组分。在某些实例中，第一种组分包括聚亚苯基醚、聚环氧化物以及可选择的相容剂和催化剂。本文所述介电组合物的某些实例具有较低的热膨胀系数。本文还对使用这些介电组合物的预浸坯料、层压制件、模制部件及印刷电路板进行了说明。
膨胀组合

[实用新型]低介电损耗电缆-CN201320484765.8有效
发明人：张尚勇;顾铭 -专利权人：上海新启电缆科技有限公司
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及电缆领域，具体是一种低介电损耗电缆，包括：外护套、绝缘线芯；所述外护套内部设有蜂窝状的空腔，所述绝缘线芯位于所述空腔内并存有间隙。本实用新型提供的低介电损耗电缆采用蜂窝状的空腔支撑内部绝缘线芯并减少绝缘线芯与空腔的接触面积，利用空气较低的介电常数降低介电损耗，是一种用途广泛的低介电损耗电缆。
低介电损耗电缆

[实用新型]发泡低介位磁性浮子-CN200720169700.9无效
发明人：孙兴武 -专利权人：北京博瑞特智能仪器有限公司
申请日： 2007-07-12 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G01F23/76 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发泡低介位磁性浮子，它由浮体、支架、磁性元件和配重体构成。所述浮体采用低密度发泡材料制成，为扁平的柱体，其底面为平面；它位于整个浮子的最下方，其底面漂浮在界面下方附近位置。本实用新型的优点是可以测量低介位液体高度。
发泡低介位磁性浮子

[发明专利]多孔低K介电蚀刻-CN201880034128.6在审
发明人：艾利克·哈德森;沙尚克·德希穆克;桑尼·李;王家俊;普拉帕格拉·卡帕拉达苏;欧阳子皓 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种用于将特征蚀刻到多孔低k介电蚀刻层中的方法。在等离子体处理室中执行多个循环。每个循环包括沉积阶段和活化阶段。活化阶段包括：使包含稀有气体和碳蚀刻添加剂的活化气体流动；使用所述活化气体在所述等离子体处理室中产生等离子体；在所述等离子体处理室中提供活化偏置，其中所述活化偏置引起对所述低k介电层的蚀刻，其中消耗所述含碳氟化合物或氢氟碳化合物层
等离子体处理室活化氢氟碳化合物沉积气体活化气体等离子体含碳氟化合物沉积阶段流动偏置蚀刻蚀刻添加剂碳氟化合物低k介电层特征蚀刻稀有气体蚀刻层介电沉积消耗

[发明专利]低介电玻璃纤维-CN200780048402.7有效
发明人：道格拉斯·S·伯斯内克;J·罗纳德·冈特曼;奥莱格·A·普罗克荷伦可 -专利权人： AGY控股公司
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： B32B17/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低介电常数和低介电损耗角正切的玻璃纤维，其作为一种玻璃组合物，以重量计实质上包含52-60％的SiO₂、11-16％的Al₂O_{3<该玻璃纤维可理想地用于加强印刷电路板，并在约18GHz或更高的频率下具有良好的介电性能。}
低介电玻璃纤维

[发明专利]有机热传递系统、方法和流体-CN202180082184.9在审
发明人： A·阿吉拉尔;P·E·莫热;E·帕什科夫斯基;A·L·肖特 -专利权人：路博润公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：所公开的技术涉及一种介电油质热传递系统、方法和流体，该介电油质热传递流体包含a)非导电、非水的且非与水混溶的介电油质流体和b)至少一种高分子量。具体地，该技术涉及一种具有低电导率、低剪切粘度和低易燃性的介电油质热传递系统、方法和流体，其在诸如用于冷却电动车辆的电池组或动力系统的热传递系统中提供温度降低。
有机传递系统方法流体

[发明专利]一种聚酰亚胺基低介电纳米复合薄膜及其制备方法-CN202211649910.3在审
发明人：叶会见;平梦瑶;徐立新 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚酰亚胺基低介电纳米复合薄膜及其制备方法。所述聚酰亚胺基低介电纳米复合薄膜是以聚酰亚胺为基体，以实心的ZIF‑8纳米晶体或者具有中空结构的ZIF‑8纳米晶体为改性填料，所述改性填料分散在基体中；所述改性填料与聚酰亚胺基体的质量比为0.5‑6：100本发明制备的聚酰亚胺基低介电纳米复合薄膜与聚酰亚胺纯膜相比，介电常数显著下降，介电损耗维持在较低水平。
一种聚酰亚胺基低介电纳米复合薄膜及其制备方法

[发明专利]积层式共模滤波器的制程-CN200410080914.X无效
发明人：谢明谚 -专利权人：西北台庆科技股份有限公司
申请日： 2004-09-27 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01P1/215 文献下载
摘要：本发明公开了一种积层式共模滤波器的制程，其主要将一主体内的成对导电线路对称印设于一介质层间，其中该主体由高导磁率、高介电系数的磁性材料所构成(如：氧化铁)，而该介电层则由低导磁率、低介电系数的非磁性材料(如：玻璃)所构成，藉以最简洁的设计提升共模阻抗，同时维持绕线式共模滤波器所具有的低常模阻抗的电性匹配。
积层式共模滤波器

[发明专利]一种低介微波介质陶瓷及其制备方法-CN201810404575.8在审
发明人：谢天翼;林慧兴;张奕;任海深;姚晓刚;何飞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明提供一种低介微波介质陶瓷及其制备方法，所述低介微波介质陶瓷的化学组成为Li₂Mg_0.45TiO_3.45。
低介微波介质陶瓷制备化学组成

[发明专利]层间介电层的形成方法-CN202111231177.9在审
发明人：李凯楠;金立培;许隽 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种层间介电层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件和高深宽比沟槽，高深宽比沟槽是高度和深度的比值大于2的沟槽；采用HDP CVD工艺沉积低k介质形成第一介电层，第一介电层覆盖衬底、半导体器件和高深宽比沟槽的表面；采用SA CVD工艺在第一介电层上沉积低k介质形成第二介电层，第一介电层和第二介电层形成层间介电层。本申请通过在半导体器件的后道工艺中，依次采用HDP CVD工艺和SA CVD工艺形成层间介电层，使得形成的层间介电层的形貌易于后续的填充，提高了器件的可靠性。
层间介电层形成方法

[发明专利]一种具有低介电损耗的聚氟苯酯聚合物的制备方法-CN202210523518.8在审
发明人：成永红;张磊;于德梅 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C08G64/28 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低介电损耗的聚氟苯酯聚合物的制备方法，通过高饱和电子定域结构和低可极化电子云结构，减小极化损耗，从而降低聚合物的介电损耗。本发明低介电损耗的聚氟苯酯聚合物的原料来源广泛，材料成本低廉，可用于聚合物薄膜电容器。
一种具有低介电损耗聚氟苯酯聚合物制备方法

[发明专利]软性扁平电缆-CN202210309388.8在审
发明人：李星佑;陈冠吾 -专利权人：贝尔威勒电子股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：本发明公开一种软性扁平电缆，其包括一低介电粘着层、多条导线、两屏蔽层及两绝缘保护层。所述多条导线位于该低介电粘着层的内部且间隔并排。两个该屏蔽层分别直接叠合于该低介电粘着层的上下表面。
软性扁平电缆

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