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[发明专利]位移传感器-CN201710131958.8在审
发明人：陶骋;汪洋洋;彭思达;吴小芳;付继祥 -专利权人：赛卓电子科技（上海）有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G01D5/244 文献下载
摘要：本发明提供一种位移传感器，包括：固定模块，在固定模块上设有激励线圈及接收线圈；其中激励线圈用于通过高频周期性交流电压和电流，在固定模块区域内产生交变电磁场；接收线圈设置在激励线圈产生的交变电磁场区域内，并产生感应电动势；移动模块用于影响激激励线圈和接收线圈之间的电磁耦合强度；处理电路与固定模块连接，处理电路处理从接收线圈上得到的电压信号输出物体位移信号。接收线圈重复周期越小，在物体位移范围内得到的接收信号数量越多，输出信号的分辨率越高，这样做可以提高编码信号精度，同时加快处理电路计算速度。
接收线圈固定模块激励线圈处理电路交变电磁场位移传感器物体位移电压信号输出几何图形结构感应电动势周期性重复编码信号电磁耦合交流电压输出信号移动模块重复周期分辨率

[发明专利]高速电平位移器-CN201711219152.0在审
发明人：杨宇滔;周文昇;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种高速电平位移器。在一方面，本发明实施例涉及一种电平位移器电路，其包含：锁存器模块，其具有第一多个PMOS晶体管及第二多个NMOS晶体管；MOS模块，其具有可操作地连接到所述锁存器模块的第三多个MOS晶体管；第四多个晶体管，其可操作地连接于所述MOS模块与接地之间；及第五多个电容器，其可操作地连接于所述锁存器模块与第四多个晶体管的栅极之间。
电平位移器锁存器模块可操作地晶体管电容器接地电路

[发明专利]位移传感器-CN201811104935.9在审
发明人：中野泰志;井上直也;东城孝一;加藤英雄;久保山丰 -专利权人：新光电机株式会社;纳博特斯克有限公司
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：提供一种位移传感器。RC低通滤波器(30)根据因流过线圈(6)的直流电流引起的压降来检测线圈(6)的直流电阻值的变化。微处理器(38)基于RC低通滤波器(30)的输出来调整晶体管(12)的输出电平。
并联谐振电路位移传感器输出电平直流电流晶体管输出电容器直流电调整晶体管微处理器检测线圈振荡电路测量物恒流源输入侧振荡压降反馈

[发明专利]位移传感器-CN202110358037.1在审
发明人：白成基;李基旭;丁细那 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本发明实施例的位移传感器包括：线圈结构，由缠绕的线圈构成；遮蔽构件，形成为包围线圈结构的外周；以及罩体；罩体包括：上端侧壁部，包围遮蔽构件的外周；以及下端侧壁部，从上端侧壁部延伸而形成；下端侧壁部的内周面形成为比上端侧壁部的内周面更向罩体的内侧凸出
位移传感器

[发明专利]位移传感器-CN202110381154.X在审
发明人：叶田壮兵;大津信一郎;吴哲庸 -专利权人：株式会社基恩士
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：提供了具有允许进一步小型化的模块化结构的位移传感器。头部的壳体由主壳体和盖构件构成，主壳体和盖构件都是由金属材料制成的精密模制品。
位移传感器

[发明专利]位移传感器-CN202211253945.5在审
发明人：吴会刚;谢嘉玮;张昊;徐龙;万新成 -专利权人：北京天玛智控科技股份有限公司;北京煤科天玛自动化科技有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种位移传感器，所述位移传感器包括主体、伸缩杆、端头和骑缝连接件，主体设有沿第一方向延伸的伸缩腔，伸缩杆的一端位于伸缩腔内，且伸缩杆的一端的外壁面上设有凸出部，伸缩杆相对于主体可沿第一方向移动本发明实施例的位移传感器通过骑缝连接件连接端头和主体，使端头和主体便于拆装，同时能够避免端头产生松动。
位移传感器

[发明专利]位移传感器-CN202180082421.1在审
发明人：高岛润 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01C3/06 文献下载
摘要：提供一种位移传感器，其能够抑制移动分辨率及受光量的下降，并且实现适当的计测精度、计测速度。位移传感器(11)包含：光源(110)，其输出白色光；导光部(201)，其包含至少一个光纤；传感器头(300)，其收纳使经由导光部(201)入射的白色光沿着光轴方向产生色差的衍射透镜(310)，将产生了色差的光照射至计测对象物(TA)；以及分光器(120)，其经由导光部(201)取得被计测对象物(TA)反射并由传感器头(300)会聚后的反射光，计测反射光的光谱，与传感器头(300)连接的光纤具有比与分光器(120)连接的光纤大的芯径
位移传感器

[发明专利]位移传感器-CN202280015416.3在审
发明人：佐野真人;大野真司;中村凉子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：位移传感器(10)具备包含投光元件(11a)的投光部(11)、包含图像传感器(12a)的受光部、控制部(13)以及存储部(14)。受光部(12)输出与图像传感器(12a)所接收的来自被检测物(W)的反射光(L2)对应的图像信号(S12)。控制部(13)执行反馈控制，即，基于从受光部输出的图像信号(S 12)的受光水平，对包含投光元件(11a)的投光量以及图像传感器(12a)的受光量的至少一个的操作量进行调整。
位移传感器

[发明专利]位移传感器-CN201510030424.7有效
发明人：中野泰志;井上直也;东城孝一;加藤英雄;久保山丰 -专利权人：新光电机株式会社;纳博特斯克有限公司
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：提供一种位移传感器。RC低通滤波器(30)根据因流过线圈(6)的直流电流引起的压降来检测线圈(6)的直流电阻值的变化。微处理器(38)基于RC低通滤波器(30)的输出来调整晶体管(12)的输出电平。
位移传感器

[发明专利]紧凑电平位移器-CN201410233883.0有效
发明人： P.卢 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明的实施方案提供用于将输入信号电平位移的装置。该装置包括输出缓冲器，其具有：输出节点、耦合到高参考电压的p‑FET和耦合到低参考电压的n‑FET。该装置也包括两个锁存器。第一锁存器具有经逆变电路元件驱动p‑FET栅极的第一锁存器输出。第二锁存器具有经非逆变电路元件驱动n‑FET栅极的第二锁存器输出。该装置也包括复位信号脉冲发生器，其接收输入信号并响应于输入信号的跃迁生成复位信号脉冲。锁存器都由复位信号脉冲置于复位态。
紧凑电平位移

[发明专利]位移传感器-CN201811056644.7有效
发明人：千田直道;节田和纪;西田和史;胜山纯 -专利权人：横河电机株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：位移传感器具有将线状的光线射出的线状光源、光束分离器、线传感器和成像透镜。所述线状光源相对于所述成像透镜的光轴的垂线具有规定角度的倾斜度而配置。所述光束分离器配置于所述线状光源和所述成像透镜之间。所述线传感器经由所述成像透镜和所述光束分离器，在与通过所述成像透镜形成的像共轭的位置，配置为所述成像透镜的光轴相对于由所述光束分离器反射出的光轴的垂线具有所述规定角度的倾斜度。
位移传感器

[发明专利]位移测定器-CN200410029492.3有效
发明人：菅井力;筱原利行 -专利权人：株式会社三丰
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种位移测定器(1)，通过从外部操作的提升手柄(20)强制地使给出位移量的主轴(25)移动，所述主轴(25)贯通于表本体(11)中并能相对该表本体(11)滑动地支承于其中，支承与上述提升手柄(
位移测定

[发明专利]位移传感器-CN201610662236.0有效
发明人：许凌波;程鑫;王之剑;贾维银 -专利权人：安徽容知日新科技股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了位移传感器，包括稳压电源、振荡器和检测电路。振荡器，其供电输入端与稳压电源的输出端耦接，具有相对金属导体设置的线圈。在金属导体逐渐靠近线圈时振荡器逐渐降低振荡幅度，以便稳压电源逐渐减小其输出端的电流。检测电路适于检测对应于稳压电源输出端的电流值的电信号。
位移传感器

[发明专利]位移传感器-CN03106006.4有效
发明人：宇野徹也;滝政宏章;菅孝博 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2003-02-17 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G01B21/06 文献下载
摘要：能进行高精度位移测量、并能缩短测量时间的位移传感器，具备：投光单元(1)、具有遮光掩模(901a)和受光元件(902a)的受光单元(9)、将投光单元(1)射出的光束聚焦于被测物体(8)的第1聚光元件(3
位移传感器

[发明专利]位移传感器-CN200810098981.2有效
发明人：丹羽正久;西田结希子;冈田邦孝 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：振荡电路输出有与位移检测线圈的感应系数相对应的频率的振荡信号。振荡周期测量电路测量从振荡电路输出的振荡信号的周期，并且输出与所述测量的周期相对应的信号。通过计算和输出振荡信号的周期的平方，感应系数与电容分量的乘积的平方根分量被消除，因而，输出信号相对位移体的位移线性地变化。结果，输出信号相对于位移体的位移的线性可以被改善。
位移传感器