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[发明专利]差动可变电容元件-CN201110201347.9有效
发明人：李岳勋;陈正雄;王梦凡 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种差动可变电容元件，其包括具有第一导电类型的基底、具有第二导电类型的井区、具有第二导电类型的五个掺杂区以及第一栅极、第二栅极、第三栅极与第四栅极。井区设于基底中，且掺杂区设于井区中，并沿着同一方向排列。第一栅极、第二栅极、第三栅极与第四栅极分别设于任两相邻的掺杂区之间的井区上，且沿着第一方向依序排列。
差动可变电容元件

[发明专利]瞬态电压抑制器、其静电防护元件及其阵列-CN201510045415.5有效
发明人：洪根刚;温兆均 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：该电压抑制器包括：衬底、具有第一导电型的井区、具有第二导电型的第一掺杂区以及具有第二导电型的第二掺杂区。衬底为电性浮置。井区位于衬底中。第一掺杂区位于井区中，以构成二极管，且第一掺杂区与第一电压电性连接。第二掺杂区位于井区中，且第二掺杂区与第二电压电性连接。
瞬态电压抑制器静电防护元件及其阵列

[发明专利]静态随机存取存储器(SRAM)阵列-CN201811099889.8在审
发明人：包家豪;林建隆;张峰铭;洪连嵘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：带状单元包括H形N型井区、H形P型井区以及深N型井(DNW)区。H形N型井区和H形P型井区的每一者包括沿着第一方向延伸的两个带状部分和沿着第二方向延伸的连接部分。连接部分的两个末端与两个带状部分接触。深N型井区位于H形N型井区和H形P型井区下方。
单元阵列位元带状单元静态随机存取存储器阵列方向设置方向延伸深N型井静态随机存取存储器

[发明专利]一种压裂井多井系统试井分析方法、装置及存储介质-CN202011307055.9有效
发明人：王帅;张利军;谭先红;朱国金;梁斌;夏阳;田波;李南;彭世强;王泰超 -专利权人：中海石油（中国）有限公司;中海石油（中国）有限公司北京研究中心
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： E21B43/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种压裂井多井系统试井分析方法、装置及存储介质，其特征在于，包括如下步骤：a确定低渗透油藏压裂井多井系统试井模型计算所需的地层、流体、压裂的相关参数；b基于a中的相关参数，建立低渗透油藏压裂井多井系统试井模型；c对b中的低渗透油藏压裂井多井系统试井模型进行分析，得到低渗透油藏压裂井多井系统试井模型曲线。本发明提供了一种定量化、可操作性强、精度高的压裂井多井系统不稳定渗流数学模型，可在任意形状油藏中考虑启动压力梯度影响，并且采用有限元数值方法进行求解，并通过拉普拉斯变换和Stethfest反演考虑了井筒储集效应及表皮效应对井底压力的影响
一种压裂井多井系统试井分析方法装置存储介质

[发明专利]一种新型多回电缆环型综合检修井-CN202211125944.2在审
发明人：安之焕;陈杰;韦克强;唐占元;卢志超;高健;苏延章;冯娜;贾乃仓;王渊龄 -专利权人：国网青海省电力公司经济技术研究院;国网青海省电力公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H02G9/10 文献下载
摘要：一种新型多回电缆环型综合检修井，涉及检修井技术领域，检修井向下挖掘至与电缆沟平齐，其特征在于，其由余缆区(1)、电缆引上区(2)、主检修区(3)、终端杆(4)组成，余缆区(1)和主检修区(3)组成8字形，电缆(6)沿余缆区(1)和主检修区(3)边沿布设最后通过电缆引上区(2)引入终端塔。本发明的有益效果在于：在保证电缆、沟道、终端塔等各项设施安全的前提下，重新调整了终端塔处电缆井的外形结构，并对电缆井的功能性进行了整合优化。
一种新型回电缆环型综合检修

[发明专利]具有减少外部能量粒子冲击的半导体装置-CN200510071916.7有效
发明人：李崇荣;翁烔城 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-05-23 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：NMOS晶体管位于深N型井区的P型井区上。PMOS晶体管位于该深N型井区的N型井区上。第一电压耦合至PMOS晶体管的源极节点。第二电压高于第一电压，且第二电压耦合至N型井区，其中第二电压用以扩展PMOS与NMOS晶体管的空乏区，以吸收外部的能量粒子所形成的电子及电洞。
具有减少外部能量粒子冲击半导体装置

[发明专利]直平联合开发井区井间流动关系自动识别的方法及系统-CN202310855074.2有效
发明人：贾德利;张吉群;平晓琳;常军华;李夏宁;吴丽;王利明;崔丽宁;王全宾 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明涉及直平联合开发井区井间流动关系自动识别的方法及系统，所述方法包括以下步骤：步骤1：收集水平井的井型、井轨迹数及射孔数据；步骤2：根据水平井的井型、井轨迹数及射孔数据构建水平井虚拟井点；步骤3：计算注入井与直井生产井、水平井虚拟井点之间的最小阻力路径；步骤4：根据最小阻力路径识别直平联合开发井区的井间流动关系。该方法和系统可以快速识别注水井和直井生产井及水平井生产井之间的连通关系和流动关系，提升了直平联合开发井区井间流动关系的识别速度和精度；克服了其它方法需要依靠人为因素的局限，为后续开发调整方案的制定和剩余油挖潜提供依据
联合开发井区井间流动关系自动识别方法系统

[发明专利]井下方法-CN202080007477.6在审
发明人： C·克鲁格 -专利权人：韦尔泰克油田解决方案股份公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： E21B29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种井下方法，该井下方法用于在现有井中于预定位置处在位于井孔的壁部与金属井管结构之间的环空中提供区域隔离，该金属井管结构具有纵向延伸方向，该井下方法包括将井下工具插入金属井管结构中、对着预定位置定位该井下工具、通过沿该金属井管结构的周向对该金属井管结构进行机加工来将该金属井管结构的第一区段从该金属井管结构的第二区段分离、在该第一区段与该第二区段之间插入未膨胀的环状屏障和使该环状屏障膨胀以在该预定位置处提供区域隔离
井下方法

[发明专利]半导体结构-CN200510126898.8无效
发明人：许村来;陈佑嘉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括第一导电型衬底、第一导电型井区、集成电路区、隔离结构及第二导电型掺杂区。第一导电型井区设置于第一导电型衬底中。集成电路区设置于第一导电型井区上。隔离结构设置于第一导电型衬底中并环绕集成电路区。第二导电型掺杂区设置于第一导电型衬底中并环绕隔离结构。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN200520132125.6无效
发明人：许村来;陈佑嘉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括第一导电型衬底、第一导电型井区、集成电路区、隔离结构及第二导电型掺杂区。第一导电型井区设置于第一导电型衬底中。集成电路区设置于第一导电型井区上。隔离结构设置于第一导电型衬底中并环绕集成电路区。第二导电型掺杂区设置于第一导电型衬底中并环绕隔离结构。
半导体结构

[发明专利]高压组件及其制造方法-CN200410062438.9无效
发明人：宋自强;徐振富 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-07 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高压组件，包括一基底、第一及第二井区、栅极、以及第一、第二及第三掺杂区。基底具有一第一型导电性；第一及第二井区形成于基底中，分别具有第一及第二型导电性；栅极形成于基底上；第一及第二掺杂区均具有第二型导电性，分别形成于第一及第二井区中，以与栅极的两侧；第三掺杂区具有第一型导电性，形成于第一井区中且与第一掺杂区连接。
高压组件及其制造方法

[实用新型]高压组件-CN200420077521.9无效
发明人：宋自强;徐振富 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-07 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高压组件，包括一基底、第一及第二井区、栅极、以及第一、第二及第三掺杂区。基底具有一第一型导电性；第一及第二井区形成于基底中，分别具有第一及第二型导电性；栅极形成于基底上；第一及第二掺杂区均具有第二型导电性，分别形成于第一及第二井区中，以与栅极的两侧；第三掺杂区具有第一型导电性，形成于第一井区中且与第一掺杂区连接。
高压组件

[发明专利]一种多井声波测井曲线一致性处理方法、装置及存储介质-CN202010216043.9有效
发明人：于承业;韦学锐;陈鸿安;于浩忙 -专利权人：大庆油田有限责任公司;中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： E21B47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多井声波测井曲线一致性处理方法、装置及存储介质，涉及油田领域，其中，一种多井声波测井曲线一致性处理方法，包括：获取所有井的声波测井曲线；根据所述所有井的声波测井曲线得到一致性处理后的声波测井曲线；根据所述一致性处理后的声波测井曲线进行每口井的反演，得到所述每口井反演结果；所述每口井反演结果均达到第一设定反演结果符合率，则根据所述一致性处理后的声波测井曲线进行所有井的反演，得到所述所有井反演结果；利用验证井检验多井反演结果，所述验证井的反演结果达到第二设定反演结果符合率，则完成多井声波测井曲线一致性处理。以解决多井测井曲线的一致性差，多井约束反演及多井建模结果失真的问题。
一种声波测井曲线一致性处理方法装置存储介质

[实用新型]一种多功能型生物滞留池-CN202221618707.5有效
发明人：汤伟;李秀玉 -专利权人：江苏海绵城市技术研究院有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： E03B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能型生物滞留池，包括多个相连的单体模块、设备井以及布水管网，所述设备井与所述单体模块之一相连，其中，每个所述单体模块从上至下依次设置有种植区、一级过滤区、二级过滤区、三级过滤区以及储水区，所述种植区内设有种植板，所述一级过滤区、二级过滤区、三级过滤区内分别设有一级过滤筛、二级过滤筛以及三级过滤筛，每个所述单体模块内设有伸缩传动装置，所述种植区内还设有自灌溉结构，包括主管和多根支管，所述主管固定在所述种植板上
一种多功能生物滞留

[发明专利]一种超浸润汗液传感器-CN201810597277.5在审
发明人：许太林;何学成;许利苹;张学记 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：所述超浸润汗液传感器包括超疏水涂层区和超亲水微井检测区；利用所述超疏水涂层区的疏水性和所述超亲水微井检测区的亲水性，能够实现所述超亲水微井检测区对汗液的定点收集；所述超亲水微井检测区包括超亲水微井，对所述超亲水微井进行功能化修饰，以使所述超亲水微井检测区修饰有比色试剂，能够实现对汗液的检测。
超亲水汗液传感器井检测浸润汗液超疏水涂层功能化修饰比色试剂柔性PET 家庭化可穿戴亲水性疏水性检测传感器基材修饰精密赋予制作