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[发明专利]一种大尺寸稀土硼化物SmB₆单晶体的制备方法-CN201310095466.X有效
发明人：张忻;张繁星;李晓娜;张久兴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-03-23 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：一种大尺寸稀土硼化物SmB6单晶体的制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，SmB6稀土硼化物单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，尺寸小，很难实现实际应用。本发明采用放电等离子烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法，在高真空环境下制备高质量、大尺寸的稀土硼化物SmB6单晶体。以Sm粉末和B粉末为初始原料制备出的SmB6单晶为的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象。
一种尺寸稀土硼化物 smb sub 单晶体制备方法

[发明专利]二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法-CN03820514.9无效
发明人：大谷茂树;木下博之;松波弘之;须田淳;天野浩;赤崎勇;上山智 -专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构;京都陶瓷株式会社
申请日： 2003-08-21 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：一种具有与氮化物系化合物半导体的劈开面相同的劈开面且具有导电性的二硼化物单晶衬底和使用它的半导体激光二极管与半导体装置以及它们的制造方法，其中所述二硼化物单晶衬底为二硼化物XB₂(其中，X为Zr或Ti)单晶衬底1，其特征在于：二硼化物XB₂单晶衬底1的面取向为(0001)面2且衬底的厚度设定为0.1mm或以下。使用该衬底，如果形成基于氮化物系化合物的半导体激光二极管等，则能够实现纵向构造元件。在分割元件时，通过沿(10－10)面进行分割，便能够形成损耗较少的半导体激光二极管的谐振面，并能够实现没有因切断余量引起的损耗的制造方法。
二硼化物单晶衬底使用半导体装置及其制造方法

[发明专利]大尺寸多元稀土硼化物(Ce_0.9Pr_0.1)B₆单晶体制备方法-CN201210222711.4无效
发明人：张久兴;李晓娜;张忻;包黎红;张宁;张繁星 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：多元稀土硼化物(Ce0.9Pr0.1)B6单晶体制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物单晶的研究很少，且制备出的单晶体尺寸小、纯度低，无法满足实际应用的要求。本发明采用放电等离子烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法制备高质量、大尺寸的多元稀土硼化物(Ce0.9Pr0.1)B6单晶体。以CeB6、PrB6粉末为原料制备出的(Ce0.9Pr0.1)B6单晶为φ4.5mm×40mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象。
尺寸多元稀土硼化物 ce sub 0.9 pr 0.1 单晶体制备方法

[发明专利]一种大尺寸、高性能三元稀土复合单晶材料及制备方法-CN202210632542.5在审
发明人：杨新宇;董存超;王可;张久兴;邓陈辉;王衍;罗时峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种三元稀土六硼化物(LaxPr1‑x)B6[100]单晶体，其制备方法和包含该单晶体的电子束焊机的阴极器件在所述单晶体中，0x1，并且所述单晶取向[100]。所述三元稀土六硼化物(LaxPr1‑x)B6单晶体相较于六硼化物单晶拥有更优异的热发射性能由所得样品的伏安特性曲线可知，样品具有比六硼化镧单晶更优的热发射性能。
一种尺寸性能三元稀土复合材料制备方法

[发明专利]纳米单晶二硼化锆及其合金和在轴承滚珠表面处理的应用-CN201510556918.9有效
发明人：刘宾虹;李洲鹏 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明涉及耐磨材料领域，旨在提供一种纳米单晶二硼化锆及其合金和在轴承滚珠表面处理的应用。该方法包括取锆化合物和碱金属硼氢化合物粉末，与二氧化锆球一并加入球磨罐球磨，得到机械混合物；将其置于反应器中，以2℃/min的升温速率从室温加热至300～600℃后保温2小时，释放掉气体；然后冷却至室温，水洗后在80℃下真空干燥，得到纳米单晶二硼化锆。本发明极大地降低了二硼化锆或二硼化锆合金的合成温度，提升二硼化锆合金的成分均匀性和单晶粒度一致性，有利于大规模生产的品质管理。工艺简单，能耗低，易于品质控制，具有广阔的产业化前景。
纳米单晶二硼化锆及其合金轴承滚珠表面处理应用

[发明专利]一种聚吡咯修饰TiO2-CN202011118458.9在审
发明人：刘宾虹;闫卿;李洲鹏 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： B01J31/06 文献下载
摘要：包括：将含纳米单晶硼化镧的前驱体溶胶喷雾至热空气中形成二氧化钛包覆纳米单晶硼化镧前驱体，经灼烧得到锐钛矿二氧化钛包覆纳米单晶硼化镧材料；加入聚吡咯修饰的α‑环糊精溶液中，搅拌均匀后以加热干燥，得到聚吡咯修饰本发明极大降低了硼化镧的生产成本，提升硼化镧的单晶粒度一致性，有利于大规模生产的品质管理。产品不但吸收紫外和近红外降解有机物，还能通过聚吡咯链长的调整，改变吸收光线的波长，提高光效率，提高了有机物降解速度。有助于促进有机物降解速度，提高有机物降解的程度，提升污水净化效果。
一种吡咯修饰 tio base sub

[发明专利]纳米单晶硼化镧的制备及其在电镜灯丝制备中的应用-CN201510560436.0有效
发明人：刘宾虹;李洲鹏 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明涉及场发射材料领域，旨在提供一种纳米单晶硼化镧的制备及其在电镜灯丝制备中的应用。本发明包括称取镧化合物和碱金属硼氢化合物粉末，球磨后得到机械混合物；将其置于反应器中，以2℃/min的升温速率从室温加热至300～700℃后保温2小时，释放掉氢气；然后冷却、水洗、分离，在80℃下真空干燥，得到纳米单晶硼化镧。本发明极大地降低了硼化镧的合成温度，利于硼化镧工业化生产时的品质管理，提升硼化镧的单晶粒度一致性，有利于大规模生产的品质管理。原料成本低廉，能耗低，制备工艺简单易行。
纳米单晶硼化镧制备及其灯丝中的应用

[发明专利]插拔式单晶硼化物阴极及其制备方法、和电子器件-CN202110986671.X在审
发明人：阴生毅;张永清;高向阳 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01J1/148 文献下载
摘要：本发明公开了一种插拔式单晶硼化物阴极，包括：陶瓷体，陶瓷体上设置有两个通孔；两个电极杆，从陶瓷体的第一侧延伸穿过第二侧，制作电极杆的材料与陶瓷体具有大致相同的线膨胀系数；两个夹持机构，每个夹持机构包括与从第二侧伸出的电极杆螺纹连接的基部，以及从基部延伸的夹持臂；两个热解石墨块，设置在两个夹持臂之间；以及发射体，由单晶硼化物制成，两个热解石墨块利用夹持臂的夹持力夹紧发射体。
插拔式单晶硼化物阴极及其制备方法电子器件

[实用新型]制备六硼化镧单晶用区域熔炼炉-CN91225507.2无效
发明人：秦凤启;陈瑛;曹香媛 -专利权人：冶金工业部包头稀土研究院
申请日： 1991-09-27 - 公布日： 1993-04-14 - 主分类号： C30B13/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种制备六硼化镧及其它稀土六硼化物单晶用的悬浮区域熔炼炉，该区域熔炼炉采用双电弧加热，由底座和真空室组成，底座上有一升降杆，升降杆上端为料棒支架，料棒支架两侧各有一钨电极，电极可前后运动，该区域熔炼炉可用于制备直径7～8毫米的六硼化物单晶，熔区移动速度可达3毫米/分。
制备六硼化镧单晶用区域熔炼炉

[发明专利]多元大尺寸稀土硼化物La_xCe_1-xB₆单晶块体阴极材料的制备方法-CN201110278253.1有效
发明人：张久兴;包黎红;张宁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：多元大尺寸稀土硼化物LaxCe1-xB6单晶块体阴极材料的制备方法属于稀土硼化物热阴极和冷阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物单晶体的研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，尺寸小，很难实际应用。本发明方法制备出的单晶体尺寸大、纯度高，质量好。
多元尺寸稀土硼化物 la sub ce 块体阴极材料制备方法

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺-CN201310315978.2无效
发明人：吕云安;李玉萍;李磊 -专利权人：新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，本发明的技术方案要点是：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，将称量好的三碲化二镓放置在砷化镓原材料中，再将装有三碲化二镓的砷化镓原材料、籽晶及B2O3顺序放置在热解氮化硼坩堝内，然后将热解氮化硼坩堝放置在石墨坩堝中，最后将放有物料的石墨坩堝放入单晶炉中进行单晶生长。本发明对生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制，并同时使生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺

[发明专利]一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法-CN202011411368.9有效
发明人：张忻;周宁;张伟;肖怡新;刘维康;刘燕琴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法，该方法将激光加工与机械循环电化学腐蚀相结合，先利用激光直写加工或激光扫描振镜加工对阵列结构进行粗加工，高效获得阵列结构的雏形，后利用机械循环电化学腐蚀方法去除表面激光加工变质层的同时本发明将激光加工技术和机械循环电化学腐蚀方法有机复合到单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备中，充分结合激光、机械和电化学技术的优点，实现对单晶稀土六硼化物表面阵列结构的高效率、高表面质量以及更小尖锥曲率半径的制备
一种稀土六硼化物阴极发射阵列结构制备方法

[发明专利]一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法-CN202111538090.6在审
发明人：刘岗;徐伟;甄超;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C23C22/34 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换与存储领域，具体为一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法。以金属基体或表面沉积金属涂层的基体为前驱体，将其悬置于含有卤化物的乙二醇和水的混合溶液的上方，密封于反应釜中，放入烘箱中加热处理，待冷却至室温后取出基体，用去离子水清洗并烘干，得到基体支撑的金属氧化物纳米片单晶阵列薄膜；进一步通过在含氮、硫、磷、碳和硼元素之一或两种以上混合的气氛下热处理，得到基体支撑的金属氮化物、硫化物、磷化物、碳化物、硼化物以及不同元素掺杂的金属化合物纳米片单晶阵列薄膜。从而，为基于金属化合物纳米片单晶阵列薄膜构筑高效光电转化与存储器件提供了丰富的材料储备和简易的制备方法。
一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜制备方法

[发明专利]自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法-CN202310185380.X在审
发明人：高伟;邰家劲;殷红 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法，属于单晶材料制备和半导体探测器领域。所述制备方法具体步骤包括：机械合金化制备硼源；高温熔融；偏析合成六方氮化硼；化学腐蚀剥离得到自支撑大面积六方氮化硼单晶。该方法通过预制硼源，以及在高温实验过程中将保护气体和反应气体分段通入，实现大面积六方氮化硼单晶的制备。目前对于六方氮化硼研究以及应用的过程中最主要的问题就是单晶尺寸不够大，质量不够高，无法实现商用，而该方法可以获得横向尺寸高达几厘米的六方氮化硼单晶，对于将来在六方氮化硼上进行商业应用具有重大意义，同时也对其他半导体材料或二维材料的合成
支撑大面积氮化硼单晶及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸、高性能六硼化镧单晶的制备方法-CN201711338440.8有效
发明人：张久兴;杨新宇;王衍;赵晶晶;李志 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸、高性能六硼化镧单晶的制备方法，其是结合放电等离子烧结技术与光学区域熔炼技术，首先以较快的生长速率制得区熔多晶体，再以单晶为籽晶，以较慢的生长速率逐步制得直径均匀且尺寸≥10mm的六硼化镧单晶体本发明制备的六硼化镧单晶体的直径大于现有所有文献的报道，且单晶体的质量高、性能好，为单晶体的进一步工程化应用奠定了基础。
一种尺寸性能六硼化镧单晶制备方法

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