专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种液相剥离制备量子点的方法-CN201910443897.8有效
  • 吴幸;王超伦 - 华东师范大学
  • 2019-05-27 - 2022-08-09 - C01B19/04
  • 本发明公开了一种液相剥离制备量子点的方法,所述方法采用甲酰胺有机溶剂剥离金属性粉体,向粉体中加入适量的甲酰胺后,通过超声仪预剥离和探头式超声波细胞粉碎机破碎粉体,然后通过离心收集和纯化量子点由于甲酰胺的表面张力接近的表面能,因此能高效的剥离得到量子点。采用甲酰胺的另一个优势是制备的量子点能在甲酰胺中长时间稳定存在。本发明可以实现高效大量的制备尺寸均匀的金属性量子点,在生物检测和光电子领域具有广泛的应用前景。
  • 一种剥离制备二硒化钒量子方法
  • [发明专利]基于的光电探测器及其制备方法-CN202211596081.7在审
  • 李京波;张洁莲;霍能杰 - 浙江芯科半导体有限公司
  • 2022-12-12 - 2023-03-07 - H01L31/032
  • 本申请公开了基于的光电探测器以及制备方法,制备方法包括以下步骤:(1)将单晶转移至氧化硅层上,形成层;(2)对层进行高温退火,得到2H相的层;(3)通过光刻工艺和电子束蒸镀方法在氧化硅层上形成第一金属电极和第金属电极;(4)通过干转移法把第一金属电极和第金属电极转移至经过步骤(2)加工得到的氧化硅片上。本申请选用机械剥离工艺制备获得薄层1T相的层后,通过无氧环境下的高温退火得到2H相的层,随后在退火后的层上面转移金属电极,得到在红外波段的高响应率光探测器。
  • 基于二硒化钒光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种单层维材料的制备方法-CN201710665732.6有效
  • 王业亮;刘中流;武旭;邵岩;高鸿钧 - 中国科学院物理研究所
  • 2017-08-07 - 2021-01-29 - C01B32/21
  • 本发明公开了一种单层维材料的制备方法,包括如下步骤:1)将石墨基底进行机械剥离,将剥离后的石墨基底在真空环境下进行预处理,得到表面干净平整的石墨基底;2)将预处理后的石墨基底加热至250‑300℃,然后将原子和原子蒸发沉积到加热的石墨基底上,沉积反应30‑60min,反应结束后将石墨基底保温5‑10min,得到单层维材料。本发明通过外延法在石墨基底上生长单层维材料,由于石墨与仅通靠范德瓦尔斯力相互吸附,不会影响单层的电学性质,不仅有利于单层性质的研究,而且在未来信息电子学特别是自旋电子器件开发研究方面具有广发的应用潜力
  • 一种单层二硒化钒二维材料制备方法

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