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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]二次生长法制备高镍三元正极材料的方法-CN202011051779.1有效
发明人：魏东;张敬捧 -专利权人：山东精工电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次生长法制备高镍三元正极材料的方法，首先通过共沉淀法制备8‑10um粒径三元前驱体Ni1‑x‑yCoxMy(OH)2，完成第一次生长，前驱体高温预氧化处理；然后向反应釜中投入前驱体、去离子水、氢氧化钠及氨水，完成二次生长，所得沉淀进行洗涤过滤，然后高温预氧化；将二次生长所得前驱体与锂源混合后投入烧结炉中，通氧气周期性的保压、泄压烧结。二次生长法制备的前驱体，在一次生长的基础上继续生长，实现二次生长，提高了材料的粒径，一次生长的前驱体高温预氧化解决了内部在烧结过程中与氧接触不充分的问题；采用的呼吸式烧结方法，在烧结时提供足量的氧气，最终获得粒度大结构有序性好的高镍三元材料
次生长法制备三元正极材料方法

[发明专利]一种多层结构型分子筛膜的制备方法-CN201510121411.0有效
发明人：刘旭光;刘勇;王壮瑞;张宝泉 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明提供一种多层结构型分子筛膜的制备方法——周期性二次生长法。它包括如下步骤：第一步，动态润湿法制备晶种层；第二步，周期性二次生长法制备分子筛膜；第三步，分子筛膜活化。周期性二次生长是指对分子筛膜晶化过程的温度进行程序控制，其中，程序升温、恒温晶化、程序降温冷却，称之为一个晶化周期，晶化过程可以包含多个晶化周期。本发明与传统的二次生长法相比较，利用周期性晶化的方式能形成的多层结构型分子筛膜。这种分子筛膜的优点是无针孔缺陷，具有很好的致密性。
一种多层结构分子筛制备方法

[发明专利]一种分子筛膜的制备方法-CN201310411136.7有效
发明人：刘旭光;刘勇;马欣;张宝泉 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：本发明提供一种分子筛膜的制备方法，它包括如下步骤第一步，动态润湿法制备晶种层；第二步，二次生长法制备分子筛膜；第三步，分子筛膜活化；本发明与传统的二次生长法相比较，改进了晶种层的涂覆方法—传统浸涂法，采用动态润湿法涂覆晶种层，利用固‑液界面铺展润湿原理，采用低表面张力的醇作分散液，将晶种均匀分散在载体表面的缺陷中；然后采用二次生长法制备分子筛膜；再经过温和的活化后，使得分子筛膜能够保持完好的致密性；具有很好的可重复性和很高的成功率
一种分子筛制备方法

[发明专利]一种全硅CHA分子筛膜的制备方法-CN202210390502.4在审
发明人：周荣飞;王娜娜;杜靖;柳波;王斌;邢卫红 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种全硅CHA分子筛膜的制备方法，利用二次生长法在无氟体系中制备全硅CHA分子筛膜。包括以下步骤：(1)全硅CHA分子筛晶种制备；(2)多孔载体上预涂敷晶种；(3)二次生长法制备全硅CHA分子筛膜。本发明采用的溶胶态无氟二次生长法大幅提升了膜制备重复性和过程的环境友好性。
一种 cha 分子筛制备方法

[发明专利]一种微波二次生长法制备MFI分子筛膜的方法-CN201810161344.9在审
发明人：马来波;张琦;张欣;姚颖;武海虹;王颖;张文燕;王泽江 -专利权人：国家海洋局天津海水淡化与综合利用研究所
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波二次生长法制备MFI分子筛膜的方法，采用首先将载体晶种层面向上放置进行传统水热生长，有效避免晶种的脱落，又可避免膜表面的沉积，增强载体与晶种之间的作用力，然后将短时间反应后的分子筛膜载体晶种面向下放置继续微波水热二次生长
晶种制备微波二次生长法分子筛膜沉积短时间反应二次生长合成过程水热生长微波水热膜表面成核放大

[发明专利]一种取向型分子筛膜及其制备方法-CN201810073211.6有效
发明人：刘旭光;张一鸣;葛佩佩;张宝泉 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明提出一种取向型分子筛膜及其制备方法，能够通过简单易行的方法获得用于引导二次生长的高生长活性的分子筛晶种，从而获得致密的取向型分子筛膜。该技术方案包括制备多级孔型分子筛晶种、动态润湿法制备晶种层及二次生长法制备分子筛膜三个步骤。本发明制备的取向型分子筛膜具有很好的分离性能，可重复性好且有很高的成功率，可适于工业化放大应用。
一种取向分子筛及其制备方法

[发明专利]一种利用二次生长法制备取向分子筛膜的方法-CN200910263978.6无效
发明人：黄伟;王晓东;延静 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C01B39/38 文献下载
摘要：一种利用二次生长法制备取向分子筛膜的方法是采用静电吸附-超声法将分子筛晶种担载在载体上形成晶种层。然后再经二次生长制备致密连续的b轴取向分子筛膜。本发明易于控制分子筛膜的厚度和取向性，具有重复性，适用于规模化生产。
一种利用次生长法制备取向分子筛方法

[发明专利]一种在氮化镓衬底上二次生长氧化镓的方法-CN202310160130.0在审
发明人：徐明升;滕达;孙振;葛磊;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种在氮化镓衬底上制备氧化镓薄膜的方法，该方法第一步热氧化氮化镓衬底制备氧化镓薄膜，第二步在低压化学气相沉积设备中在热氧化后的衬底上进行二次生长。MOCVD在蓝宝石衬底上生长的(002)面氮化镓为衬底，热氧化方法在传统管式炉内通入氧气作为氧化气体高温下热氧化氮化镓制备氧化镓薄膜。该方法制备工艺较为简单，重复性较高，成本较低，通过二次生长法可以在氮化镓衬底上制备出高质量的氧化镓薄膜。
一种氮化衬底二次生长氧化方法

[发明专利]一种脱醇用silicalite-1沸石膜的制备方法-CN201811637840.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：林贤贵
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B01D61/36 文献下载
摘要：本发明通过二次生长法在氧化铝载体上制备除了脱醇用的silicalite‑1沸石膜，与现有计算的不同点在于所用晶种包含ZSM‑5沸石颗粒和Silicalite沸石颗粒，通过合理的晶种涂敷和处理方式提高了silicalite
一种脱醇用 silicalite 沸石膜制备方法

[发明专利]一种在氧化铝载体上合成silicalite-1沸石膜的方法-CN201811643210.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：淄博恒亿化工科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B01D61/36 文献下载
摘要：本发明通过二次生长法在氧化铝载体上制备除了透醇用的silicalite‑1沸石膜，与现有计算的不同点在于所用晶种包含ZSM‑5沸石颗粒和Silicalite沸石颗粒，通过合理的晶种涂敷和处理方式提高了silicalite
一种氧化铝载体合成 silicalite 沸石膜方法

[发明专利]一种在Al2-CN201811643221.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：吴乐毅
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B01D61/36 文献下载
摘要：本发明通过二次生长法在氧化铝载体上制备除了透醇用的silicalite‑1沸石膜，与现有计算的不同点在于所用晶种包含ZSM‑5沸石颗粒和Silicalite沸石颗粒，通过合理的晶种涂敷和处理方式提高了silicalite
一种 al base sub

[发明专利]一种复合型SSZ-13/MFI分子筛膜的制备方法-CN202210222050.9在审
发明人：周荣飞;武世杰;何胜男;王宇磊;王斌;柳波 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合型SSZ‑13/MFI分子筛膜的制备方法，包括以下步骤：（1）制备SSZ‑13和MFI分子筛晶种；（2）真空抽吸法在多孔载体表面涂覆SSZ‑13晶种层；（3）二次生长法在多孔载体表面制备一层致密的SSZ‑13分子筛膜；（4）浸渍提拉法在SSZ‑13分子筛膜表面引入MFI晶种层；（5）二次生长法在SSZ‑13分子筛膜上制备连续的MFI分子筛膜层，得到SSZ‑13/MFI复合分子筛膜。
一种复合型 ssz 13 mfi 分子筛制备方法

[发明专利]一种原位制备高硅CHA分子筛膜的方法-CN202210392986.6在审
发明人：周荣飞;黄伟杰;周俊静 -专利权人：南京方膜高科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位制备高硅CHA分子筛膜的方法，多孔载体经有机结构导向剂预处理，直接将预处理的多孔载体放入配制的合成溶胶中，微波加热进行晶化反应，通过原位生长法在多孔载体上快速生长一层连续致密的高硅CHA本发明的原位生长法比二次生长法合成步骤简单，晶化速度快，提高了可重复性和合成效率。
一种原位制备 cha 分子筛方法

[发明专利]一种促进石墨烯二次生长的方法和在制备双层石墨烯中的应用-CN202211634985.4在审
发明人：郝玉峰;张海峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种促进石墨烯二次生长的方法和在制备双层石墨烯中的应用。本发明以由金属形成的限域空间作为石墨烯生长衬底，以化学气相沉积法生长石墨烯，通过一次生长、刻蚀、二次生长，促进了限域空间内表面石墨烯二次生长，得到了双层石墨烯。
一种促进石墨二次生长方法制备双层中的应用

[发明专利]石墨烯单晶及其快速生长方法-CN201510931329.4在审
发明人：刘忠范;彭海琳;林立;孙禄钊 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯单晶及其快速生长方法。该方法包括：将退火后的铜箔进行一次钝化，再在恒定温度的条件下，依次进行一次生长、二次钝化、二次生长，再降温至室温停止生长，得到沉积在铜箔上的所述石墨烯单晶；其中，所述一次生长和二次生长步骤中，生长气氛均由还原性气体和碳源气体组成；且所述二次生长步骤中，碳源气体在所述生长气氛中的分压高于所述一次生长步骤中碳源气体的分压。
石墨烯单晶及其快速生长方法

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