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[发明专利]一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺-CN201410041954.7有效
发明人：周建华 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，包括步骤：一、预热：采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料预热，并将铸锭炉加热温度逐步提升至T1；预热时间为6～10h，T1=1165～1185℃；二、熔化，熔化温度为T1～T5；T5=1540～1560℃；熔化过程中，向铸锭炉内充入惰性气体并将炉内气压保持在Q1，Q1=550～650mbar；三、排杂，过程如下：第11步、降压：将铸锭炉气压由Q1降至Q2，降压时间为8～本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能将炉内含碳气体及时排出，并提高多晶硅铸锭质量。
一种多晶铸锭料及杂工

[发明专利]基于硅片刻穿的体硅加工工艺-CN201410141817.0有效
发明人：涂良成;刘金全;范继;伍文杰;罗俊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。包括如下步骤：在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；在硅片背面镀金属膜；用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构
基于硅片加工工艺

[发明专利]耐低温加成型室温硫化硅橡胶的制备方法-CN201310322504.0有效
发明人：冯圣玉;马德鹏;程阳;刘春泽;张圣有 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明涉及耐低温加成型室温硫化硅橡胶的制备方法，该方法步骤为：将八甲基环四硅氧烷、六乙基环三硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷和乙烯基封端剂混合均匀，加热至80～170℃
低温成型室温硫化硅橡胶制备方法

[发明专利]大丝束PAN基碳纤维原丝油剂-CN201110369956.5有效
发明人：唐泓;畅延青;施冲 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： D06M15/643 文献下载
摘要：本发明通过采用一种大丝束PAN基碳纤维原丝油剂，为V与W的混合物，V与W的混合重量比为V∶W＝3∶1～3，V以重量份数计包括以下组份：a)5～20份氨基改性聚二甲基硅氧烷A；b)40～60份氨基改性聚二甲基硅氧烷B；c)10～30份聚醚改性聚二甲基硅氧烷；d)5～20份乳化剂；W为二乙烯三胺与硬脂酸反应而得的酰胺化合物的环氧基加成物的技术方案，较好地解决了该问题，可用于大丝束PAN基碳纤维原丝的工业生产中。
丝束 pan 碳纤维原丝油剂

[发明专利]一种晶体硅太阳能电池用铝浆及其制备方法-CN201510719537.8有效
发明人：李秋明;付婷婷;杨国英;黄超峰;兰金国 -专利权人：杭州杭硕新材料科技有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池用铝浆及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，有效解决了现有技术中的电池用铝浆在烧结后铝浆料易出现硅片附着力不佳、铝膜表面易出现微裂纹等技术问题。本发明的晶体硅太阳能电池用铝浆，包括以下组分，各组分质量百分比为：通用铝粉50～80％；纳米铝悬浮液1～15％；无机粘结剂1～13％；有机粘结剂1～30％；无机填料0.1～1％；各组分的质量百分比之和为其制备方法是按照比例称取各组分，使用分散机混合均匀后，用三辊研磨机研磨至粒径为15～20微米，粘度为25000～35000mPa·s，即可得到晶体硅太阳能电池用铝浆。
一种晶体太阳能电池用铝浆及其制备方法

[发明专利]模式空间分离的新型光通讯波导-CN201310026924.4有效
发明人：彭茹雯;胡青;王牧 -专利权人：南京大学
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种模式空间分离的新型光通讯波导，具有1550纳米、1310纳米和850纳米三个低损耗传输窗口，包括芯层、包层，所述芯层为空气层，其特征在于所述包层由折射率、厚度按Thue-Morse迭代规则变化的介质多层膜构成进一步地所述介质分别为硅和石英，硅和石英的厚度分别为70±4纳米和100±5纳米，硅和石英的排列顺序为Thue-Morse序列第3代重复8次，波导外直径为28.2±1.4微米。
模式空间分离新型通讯波导

[发明专利]小丝束PAN基碳纤维原丝油剂-CN201110369157.8有效
发明人：唐泓;畅延青;施冲 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： D01F11/06 文献下载
摘要：本发明通过采用一种小丝束PAN基碳纤维原丝油剂，为V与W的混合物，V与W的混合重量比为V∶W＝3∶1～3，V以重量份数计包括以下组份：a)40～60份氨基改性聚二甲基硅氧烷A；b)5～20份氨基改性聚二甲基硅氧烷B；c)10～30份聚醚改性聚二甲基硅氧烷；d)5～20份乳化剂；W为二乙烯三胺与硬脂酸反应而得的酰胺化合物的环氧基加成物的技术方案，较好地解决了该问题，可用于小丝束PAN基碳纤维原丝的工业生产中。
丝束 pan 碳纤维原丝油剂

[发明专利]一种高含碳量低合金化的高强度灰铸铁及其熔炼方法-CN201310032966.9有效
发明人：汤雄;汤伟;汤志贤 -专利权人：南京市溧水中山铸造有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C22C37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高含碳量低合金化的高强度灰铸铁，包括如下原料配比（按质量百分比）：废钢28~30%，新生铁22~25%，回炉料15~18%，留用铁水28~30%，硅铁0.3～0.5%，锰铁0.1～0.3%，锡0.07~0.12%，铬0.2~0.5%和硅钡孕育剂0.2~0.4%；本发明的灰铸铁的抗拉强度达到300N/mm2以上，同时铁水的流动性好，铸件的各项性能指标都表现良好，在添加合金后获得最好的强度和断面均匀性，可防止硅增加铁素体、粗化珠光体或中和合金元素，同时在机加工后没有内部缩松的信息，三角试块的宽度降低至3mm以下，而铸件的硬度仍可保持在HB180~220，铸件薄壁处未出现白口现象。
一种高含碳量低合金强度灰铸铁及其熔炼方法

[发明专利]有机硅改性端羟基超支化聚酯树脂及其制备方法与应用-CN201310039857.X有效
发明人：瞿金清;汤柳燕;刘瑞源 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C08G63/695 文献下载
摘要：本发明公开了有机硅改性端羟基超支化聚酯树脂及具制备方法与应用，该方法由以下步骤组成：将三元醇和间苯二甲酸混合均匀后加热至70～90℃，加入端氨基硅油和二甲苯；在180～210℃下加热1～3h后，升温至220～240℃，加热1～3h后；降温至90℃，加入有机溶剂，有机硅低聚物和1～5％的交联催化剂；加热至110～120℃，加热2～3h；降温至90℃，最后加入有机溶剂调整固含量为60～70％。该方法将在合成聚酯时加入端氨基硅油，提高聚酯的耐热性能和柔韧性；将有机硅低聚物和聚酯进行交联反应，提高聚酯的耐热性能。本发明所述方法制备的树脂可以用于制备耐高温涂料。
有机硅改性羟基超支聚酯树脂及其制备方法应用

[发明专利]一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法-CN201110324618.X有效
发明人：汤佳杰;罗乐;丁晓云;徐高卫;陈骁 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法，其特征在于设计了一种使用与高频可替代同轴线结构的穿硅通孔传输线结构，此结构使用多个TSV环绕一个传输信号的TSV芯的结构，环绕在周围的TSV接地使用穿硅传输结构降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免损耗过大。该工艺步骤简单，与其他工艺相兼容。
一种用于微波频段圆片级穿硅传输结构制造方法

[发明专利]一种利用高岭土制备EUO型分子筛的方法-CN201210267048.X有效
发明人：顾建峰;罗万明;金德浩;何观伟;王军峰;杜彩霞;李铖;徐西娥;王新星;崔楼伟 -专利权人：西北化工研究院;陕西延长石油（集团）有限责任公司炼化公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用高岭土制备EUO型分子筛的方法，该方法为：一、将高岭土研磨成高岭土粉体，或将高岭土、水玻璃、铝溶胶和水混合搅拌均匀后喷雾干燥得到高岭土微球；二、将高岭土粉体或高岭土微球焙烧活化得到活化高岭土；三、将活化高岭土、辅助硅源、无机碱、晶种和模板剂加入水中搅拌均匀得到浆料；或将活化高岭土、辅助硅源、辅助铝源、无机碱、晶种和模板剂加入水中搅拌均匀得到浆料；四、浆料水热晶化，过滤后洗涤干燥；五、焙烧脱除模板剂本发明利用高岭土作为原料，大大降低生产成本，增加生产效率，而且可以有效利用高岭土基质调变分子筛自身的硅铝比，使合成的分子筛具有很好的酸性可调性和高的稳定性。
一种利用高岭土制备 euo 分子筛方法

[发明专利]一种金刚石/ CdTe薄膜太阳能电池的制备方法-CN201210342053.2有效
发明人：苏青峰;史伟民;王林军;黄健;周平生;李杰;袁安东;钱隽 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种金刚石/CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，电池结构为硅衬底/p型金刚石/n型CdTe三层结构。该方法具有以下工艺步骤：首先，对硅衬底/p型金刚石薄膜进行清洗预处理和表面修饰与改性，在p型金刚石薄膜上进行n型CdTe薄膜沉积形成异质结，CdTe薄膜沉积结束后进行CdCl2退火处理，刻蚀掉窗口层光吸收区的硅衬底
一种金刚石 cdte 薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]一种建筑保温用新型环保阻燃聚氨酯材料-CN201510957684.9有效
发明人：刘爱华 -专利权人：刘爱华
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C08G18/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种建筑保温用环保阻燃聚氨酯材料，其包括多异氰酸酯、聚醚多元醇、扩链剂、催化剂、发泡剂、阻燃剂，其中发泡剂为物理发泡剂和化学发泡剂，物理发泡剂为HFC‑245fa和HFC‑365mfc，化学发泡剂为水，阻燃剂包括有机硅阻燃剂和膨胀型阻燃剂，有机硅阻燃剂包括含有9,10‑二氢‑9‑氧杂‑10‑磷杂菲‑10‑氧化物的聚倍半硅氧烷，膨胀型阻燃剂为以多聚磷酸/二氨基双酚A/三聚氰胺为原料的膨胀型阻燃剂。
一种建筑保温新型环保阻燃聚氨酯材料

[发明专利]毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法-CN201110293931.1有效
发明人：马林宝;马利行;金龙 -专利权人：南京国盛电子有限公司
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及硅外延片，具体涉及毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法，其所采用的技术方案为：毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法的特征在于：首先用HCl来气腐衬底表面的杂质和金属原子并用大流量氢气吹除；其次是在高浓度的衬底表面生长第一层外延并对衬底片表面和边缘进行包封；然后生长第二层的N型外延层；最后生长第三层的P型外延层；其具有的有益效果是：可以形成洁净的生长区；在N型、P型外延层生长前预通N型、P型掺杂剂可以获得稳定的外延层厚度且采用较低的生长温度和较低的淀积速率
毫米波雪崩二极管用外延制造方法

[发明专利]一种提高可控硅电源功率因数的主电路-CN201110209549.8有效
发明人：杨君宽;魏栋梁;曹祖国 -专利权人：扬州双鸿电子有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：一种提高可控硅电源功率因数的主电路，涉及大功率可控硅电源及其变压器的技术领域，特点是变压器有至少两组次级绕组，每组次级绕组与一个三相全波整流桥和一个电感器、一个电容器、一个电子开关和一个导流二极管构成一个基本低压电源当电源实现连续可调时，变压器初级的可控硅能始终保持较大的导通角，一般在120度左右，这样能始终保持电网的较高功率因数，而保持较低的谐波电流的峰值，保持较小的对电网的污染。
一种提高可控硅电源功率因数电路