[发明专利]图形化聚酰亚胺层工艺在审
| 申请号： | 202311147714.0 | 申请日： | 2023-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN116936349A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 温斐旻;李海涛;闫丽荣 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 239004 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
一种图形化聚酰亚胺层工艺包括步骤：S1，在基层上形成钝化层；S2，在钝化层上形成聚酰亚胺层；S3，在聚酰亚胺层上形成硬掩膜层；S4，在硬掩膜层上设置光刻胶；S5，图案化光刻胶以形成沟槽，以使沟槽露出用于形成孔的部分的硬掩膜层而孔周围的硬掩膜层覆盖有光刻胶；S6，主刻蚀，采用CF |
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| 搜索关键词： | 图形 聚酰亚胺 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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