[发明专利]基于二维材料Nb8在审

专利信息
申请号: 202310857557.6 申请日: 2023-07-12
公开(公告)号: CN116936667A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 于鹏;刘萍威;张曰理 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 薛建强
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明属于光电探测器技术领域,公开了基于二维材料Nb8PtSe20的红外响应探测器及其制备方法。该红外响应探测器,从下往上,依次包括基底、二维材料Nb8PtSe20、电极。本发明的红外光探测器含有特定的结构,以及利用二维材料Nb8PtSe20,不仅能够在室温下正常工作,而且在1064nm波段(短红外)和10.6μm波段(中红外)有较高的响应。
搜索关键词: 基于 二维 材料 nb base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310857557.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 基于二维材料Nb8-202310857557.6
  • 于鹏;刘萍威;张曰理 - 中山大学
  • 2023-07-12 - 2023-10-24 - H01L31/09
  • 本发明属于光电探测器技术领域,公开了基于二维材料Nb8PtSe20的红外响应探测器及其制备方法。该红外响应探测器,从下往上,依次包括基底、二维材料Nb8PtSe20、电极。本发明的红外光探测器含有特定的结构,以及利用二维材料Nb8PtSe20,不仅能够在室温下正常工作,而且在1064nm波段(短红外)和10.6μm波段(中红外)有较高的响应。
  • 一种高稳定性石墨烯光电探测器及其制备方法-202311039825.X
  • 朱兆玮;黄丽婷;高阳 - 中国农业大学
  • 2023-08-17 - 2023-09-29 - H01L31/09
  • 本发明涉及一种高稳定性石墨烯光电探测器及其制备方法,该探测器至少包括:基底,其作为光电探测器的承载部件;电极对,其能够形成电场;石墨烯层,其能够用于吸收光线并产生光生载流子;电极对的若干电极沿第一方向排布在基底上,并且,电极对之间至少留存有第二距离的空余的基底;石墨烯层以降低悬挂高度的方式布设在电极对与空余的基底表面,并且,石墨烯层远离电极对与基底的表面上真空沉积有Parylene保护层;该探测器能够极大降低石墨烯层的悬挂高度,减少石墨烯层在制备过程中产生的物理损伤,降低非均匀局部内应力的产生;该方法通过在石墨烯层上真空沉积Parylene保护层以避免石墨烯层在制备过程中受到损伤。
  • 一种纸基宽光谱光电探测器及其制备方法-202310941035.4
  • 姜天才;陶金;肖希 - 武汉邮电科学研究院有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-09-12 - H01L31/09
  • 本申请涉及一种纸基宽光谱光电探测器及其制备方法,其包括衬底、有源区和两个电极,所述衬底采用纸片制作而成,所述有源区设于所述衬底上,两个所述电极设于所述有源区上。本申请采用纸片作为衬底,可以解决相关技术中难以降解的基材会产生大量的电子垃圾,对环境不友好的问题。本申请成本低廉,易于控制,且有利于光电集成,容易产业化,本申请器件上升时间达到0.066s,下降时间达到0.066s,具有响应速度快的优点,同时,探测宽的光谱范围为254nm~1550nm,具有探测宽的光谱范围的优点。由于本申请具有低成本,绿色环保等优势,将为应用在生物医学、大健康、光通信、人机交互等柔性便携光电子器件提供参考。
  • 一种中红外探测器及其制备方法-202210874512.5
  • 周炜;江林;段嘉欣;黄志明;郑国彬;高艳卿;吴敬;周强国;李永振;姚娘娟;褚君浩 - 中国科学院上海技术物理研究所
  • 2022-07-25 - 2023-09-12 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种中红外探测器及其制备方法。本发明基于SiGe介质‑周期金属方块的磁共振吸收结构提供中红外吸收,利用Si‑SiO2微桥上的锰钴镍氧敏感元将入射红外光转换为电学信号。具体结构为:Si‑SiO2衬底上制备有绝热微桥,微桥上方依次制备有氧化铝缓冲层,锰钴镍氧敏感元,Cr/Au周期金属方块,双层SiGe介质‑周期金属方块吸收结构,锰钴镍氧薄膜敏感元两侧制备有外接电极及引线。双层SiGe介质‑周期金属方块吸收结构主要针对8‑12μm中红外窗口设计,可在降低锰钴镍氧敏感元电阻、热容的同时实现中红外高吸收,且探测器具备‑40~120℃宽温度区间范围内电阻温度系数较为稳定的优势特点,可应用于环境监测、夜视成像、工业测温等方面。
  • 一种局域场调控增强的二维材料中长波红外探测器-202210115565.9
  • 李绍娟;安君儒 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2022-02-07 - 2023-08-15 - H01L31/09
  • 一种局域场调控增强的二维材料中长波红外探测器涉及二维材料中长波红外探测器技术领域,解决了现有探测器的光吸收绝对值低、环境适用性弱的问题,该装置包括基底、位于基底上的二维材料层、连接二维材料层的电极、位于二维材料层上的光刻胶纳米森林结构。制备方法包括:在基底上表面上制备的二维材料层;制备连接二维材料层的电极;在二维材料层上利用光刻胶材料制备纳米森林结构。本发明的探测器利用纳米森林的局域等离激元特性提高光与物质的相互作用,极大提高器件对光的吸收能力,进而提高中长波红外光探测器件的探测性能;利用的惰性和空气稳定性好的纳米森林作为钝化层提高探测器的寿命和环境适用性。制备方法与传统半导体工艺兼容。
  • 一种光电探测器、具有记忆功能的运算处理器及制备方法-202110740607.3
  • 巫江;杜文;李彩虹;龙自扬;黄一轩 - 电子科技大学
  • 2021-06-30 - 2023-07-25 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种光电探测器、具有记忆功能的运算处理器及制备方法。所述光电探测器从下到上依次包括衬底层、光响应层、电极层;所述光响应层为富含缺陷的MoxWySz合金薄膜;所述MoxWySz合金薄膜以氯化钠促融制备。本发明通过将光响应层设置为富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜,从而使得光电探测器具有持续光电导效应;通过设置比较器模块,使得图像逻辑运算处理器单元能够执行逻辑运算。所述限域倾斜CVD法中的NaCl能够促进MoS2和WS2的融合,从而生长富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜,该薄膜中的缺陷可以束缚光生载流子,从而阻碍光生载流子的复合。
  • 一种高可靠性的砷化镓光导开关及其制备方法-202310460205.7
  • 李昕;杨迎香;胡龙;耿莉;杨向红;李明;文章;童仁皓 - 西安交通大学
  • 2023-04-25 - 2023-07-21 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种高可靠性的砷化镓光导开关及其制备方法,该光导开关包括SI‑GaAs衬底,SI‑GaAs衬底的两侧相对的表面均设有n+‑GaAs层,n+‑GaAs层上设有欧姆金属电极,两处欧姆金属电极分别作为砷化镓光导开关的阳极和阴极,两处欧姆金属电极的表面均设有外接电极;SI‑GaAs衬底的表面设有钝化层,钝化层在欧姆金属电极正对的位置设有裸露区域,欧姆金属电极的表面钝化层的裸露区域处设有外接电极;欧姆金属电极包括依次堆叠设置的Pd层、Ge层、Ti层、Pt层和Au层,其中,Pd层设置于n+‑GaAs层的表面。本发明能够提高GaAs PCSS寿命和可靠性,能够解决现有GaAs PCSS由电极边缘电场集中、热累积引起电极烧蚀、脱落,最终导致器件失效的问题。
  • 自驱动N型半导体/极性液体/P型半导体光致液体极化紫外光电探测器及其制备方法-202210726313.X
  • 林时胜;刘畅;戴越;陆阳华 - 杭州格蓝丰科技有限公司
  • 2022-06-23 - 2023-06-30 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种自驱动N型半导体/极性液体/P型半导体光致液体极化紫外光电探测器及其制备方法,该光电探测器包括P型半导体、极性液体、绝缘窗口和N型半导体,还包括金属正电极和金属背电极。本发明的光电探测器利用极性液体的表面张力与N型半导体和P型半导体紧密连接。在费米能级差的作用下,极性液体会被极化。在光子的激发下,大量的空穴扩散到N型半导体/极性液体表面,大量的电子扩散到P型半导体/极性液体表面。首先会产生瞬间光极化电流,当光照稳定之后光极化电流趋于平稳,在关闭光源的时候,会产生去极化电流。该紫外光电探测器结构简单、由于没有晶格匹配的限制,响应波长可以灵活选择、便于推广。
  • 光检测元件-202211547006.1
  • 野尻武司;福泽英明;柴田哲也;水野友人;青木进 - TDK株式会社
  • 2022-12-05 - 2023-06-27 - H01L31/09
  • 本发明提供一种新的光检测元件。该光检测元件具备磁性元件和光波导,所述磁性元件具有第一铁磁性层、第二铁磁性层、被所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持的间隔层,所述光波导至少由芯和包覆所述芯的至少一部分的包层形成,在所述光波导中传播的光向所述磁性元件照射。
  • 光检测元件-202211546866.3
  • 水野友人;福泽英明;柴田哲也 - TDK株式会社
  • 2022-12-05 - 2023-06-20 - H01L31/09
  • 本发明提供一种光检测能力高的光检测元件。该光检测元件具备在被照射光时产生电压的光感受层、第一电极以及第二电极,所述光感受层位于所述第一电极和所述第二电极之间,所述第二电极是含有选自钌、钼、及钨中的至少一种元素的金属。
  • 一种宽波段快响应自驱动型光电探测器及其制备方法-202310067629.7
  • 潘毅;林煜楠;胡永琪;毛家彤;张又麒;张一诺;王栋立 - 西安交通大学
  • 2023-01-29 - 2023-05-12 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种宽波段快响应自驱动型光电探测器及其制备方法,包括衬底、二维过渡金属碲化物和两个金属电极;二维过渡金属碲化物位于衬底上方,两个金属电极位于二维过渡金属碲化物上方,两个金属电极位于二维过渡金属碲化物的顶面轴心线两侧,且电极的功函数非对称设置。制备方法为S1:提高衬底表面亲水性;S2:在衬底表面通过化学气相沉积法得到二维过渡金属碲化物;S3:在二维过渡金属碲化物表面蒸镀两个非对称设置的金属电极。提高二维过渡金属碲化物的制备效率,能够在衬底较大范围内获得连续均匀的二维过渡金属碲化物。
  • 一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器-201710421123.6
  • 宋世金;虞澜;刘安安;胡建力;黄杰;崔凯 - 昆明理工大学
  • 2017-06-07 - 2023-05-12 - H01L31/09
  • 本发明公开一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器,结构中包括单晶基片、原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜、吸收层、封装层、金属电极,单晶基片为c轴斜切的单晶基片,单晶基片的c轴斜切角度0°θ30°,原子层热电堆薄膜沿c轴倾斜外延生长在单晶基片上,在原子层热电堆薄膜上表面相对中心位置对称设置两个金属电极,两个金属电极由导线与电压表输入端连接,铁磁性薄膜生长在单晶基片上并设置在原子层热电堆薄膜的两侧,吸收层覆盖在原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜和金属电极上,封装层覆盖在吸收层上;本发明探测器体积小、响应电压峰值大、灵敏度高、响应时间快,能实现宽光谱探测和热辐射探测。
  • 一种具有纳米孔阵列的超导微米线单光子探测器及其制备方法-201911055454.8
  • 王强;徐明升;侯雷 - 山东大学
  • 2019-10-31 - 2023-05-02 - H01L31/09
  • 本发明涉及一种具有纳米孔阵列的超导微米线单光子探测器及其制备方法,该单光子探测器包括自下到上依次设置的衬底、金属薄膜反射镜、介质层、超导微米线;衬底上超导微米线的占空比为20%‑80%,超导微米线中设置有纳米孔阵列,纳米孔内设置有金属纳米颗粒。该单光子探测器具有较大的超导微米线结构使得器件整体有效探测面积变大;通过超导微米线上制备纳米孔阵列,并在纳米孔内设置金属纳米颗粒,利用金属纳米颗粒的光场局域增强效应,大大提高了的入射光以及由金属薄膜反射镜反射回的光的吸收效率。
  • 双模式非制冷红外探测器热敏层结构及其制备方法-202110443599.6
  • 黄立;陆浩;马占锋;汪超;方明;蔡光艳;王春水;高健飞;黄晟 - 武汉高芯科技有限公司
  • 2021-04-23 - 2023-04-28 - H01L31/09
  • 本发明提供了一种双模式非制冷红外探测器热敏层结构及其制备方法,该热敏层结构包括保护层以及位于保护层上方的热敏薄膜层,所述热敏薄膜层包括分两侧设置的非晶锗硅薄膜和VOx薄膜。本发明可以用于双模式非制冷红外探测器,在需要NETD低的场景,VOx薄膜投入工作,探测器进入VOx基红外探测模式;在需要响应率高的场景,非晶锗硅薄膜投入工作,探测器进入非晶锗硅基红外探测模式;需要高质量静态红外场景拍摄时,VOx薄膜和非晶锗硅薄膜同时投入工作,两种模式共同工作;因此本发明适用于不同的工作场景,应用范围广,成本低。
  • 一种提升α-In2-202310047894.9
  • 王金斌;罗云帆;侯鹏飞;钟向丽 - 湘潭大学
  • 2023-01-31 - 2023-04-18 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种提升α‑In2Se3基二维光电探测器性能的方法,属于光电响应探测领域。本发明通过由Ar2+和CF22+组成的混合离子束对α‑In2Se3基二维光电探测器施加辐照,发现功能Ar2+离子在α‑In2Se3中创造浅层能级空位的同时CF22+离子能够钝化α‑In2Se3中深层能级空位,即两种离子协同发挥各自的优势,加快α‑In2Se3基光电探测器的光响应速度,提升α‑In2Se3基光电探测器的光电流;且本发明限定的方法简单易行,具有很强的实用性。
  • 红外线吸收热电池-202111146828.4
  • 郑五星;郑惠中 - 焦作市常通电子科技有限公司
  • 2021-09-22 - 2023-04-07 - H01L31/09
  • 红外线吸收热电池,简称红外热电池或热电池,其由多组金属薄膜和半导体薄膜叠加制成的热电池膜片(Hd)、绝缘外封装层(MB)、紧固微孔(MK)、正极接线片JC+、负极接线片JC‑、内连接线(LX)所组成;热电池膜片(Hd)上有多个紧固微孔(MK),绝缘外封装层(MB)包覆热电池膜片(Hd),并填充紧固微孔(MK);正极接线片Jx+、负极接线片Jx‑分别粘贴镶覆于绝缘外封装层(MB)外表,经内连接线(LX)联接热电池膜片(Hd)两电极膜层,配储能器件用于免充电手机、时钟、剃须刀、手机电脑等日用移动电器及其他仪器用电场合。
  • 光探测器及其制备方法-202111239248.X
  • 薛春来;王啸宇;丛慧;徐驰;万丰硕;徐国印;谢长江 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-10-25 - 2023-04-07 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种光探测器,包括:衬底;二氧化硅层,覆盖于衬底上;脊型波导结构,设置于二氧化硅层上,脊型波导结构包括:第一氮化硅层,设置于二氧化硅层上;石墨烯层,设置于第一氮化硅层上;绝缘层,设置于石墨烯层上,所述绝缘层上设有至少一对电极孔;以及第二氮化硅层,设置于绝缘层上,并位于成对的电极孔之间,使得第二氮化硅层相对于绝缘层突出,以形成脊形部;以及第一电极和第二电极,分别设置于成对的电极孔中,并与所述石墨烯层电连接。
  • 一种ZnO/Ti3-202011164466.7
  • 季小红;曹发 - 华南理工大学
  • 2020-10-27 - 2023-03-21 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种ZnO/Ti3C2Tx线形紫外探测器及其制备方法。该方法包括:在衬底上采用垂直提拉的方法制备氧化锌凝胶层;对所述氧化锌凝胶层采用退火处理,制备得到ZnO层;在ZnO层的表面上用垂直提拉的方法制备Ti3C2Tx层;对ZnO层和Ti3C2Tx层上分别刷银浆,在保护气氛下进行退火处理,形成欧姆接触,得到所述ZnO/Ti3C2Tx线形紫外探测器。本发明提供的ZnO/Ti3C2Tx线形紫外探测器,采用类金属导电性的二维Ti3C2Tx纳米片修饰ZnO提升了器件的响应度和外量子效率,可应用在光开关和图像传感器领域。
  • 具有高极化电流的光致液体极化紫外光电探测器及其制备方法-202211195589.6
  • 林时胜;刘畅;陆阳华 - 浙江大学
  • 2022-09-28 - 2023-01-31 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种具有高极化电流的光致液体极化紫外光电探测器及其制备方法,该光电探测器包括石墨烯、极性电解质溶液、绝缘窗口和半导体,还包括金属正电极和金属背电极。本发明的光电探测器石墨烯与半导体的费米能极差,将设于其间的极性电解质溶液极化,电解质中的离子与水分子发生相互作用,在高能光子的激发下,石墨烯中会产生载流子倍增现象,大量的光生载流子漂移到固液界面,形成瞬间光极化电流,当光照稳定之后光极化电流趋于平稳,关闭光源的时候,会产生去极化电流。该紫外光电探测器结构简单、由于没有材料晶格匹配的限制,响应波长可以灵活选择、便于推广。
  • 一种等离激元中红外线偏振光窄带完美吸收超表面器件-202210537586.X
  • 张凤春 - 华南师范大学
  • 2022-05-18 - 2023-01-31 - H01L31/09
  • 本发明涉及一种等离激元中红外线偏振光窄带完美吸收超表面器件,该器件自下而上包括基底层、周期性阵列排布于基底上的“超分子”单元,和布置于基底及“超分子”单元上的表面金属层。“超分子”单元包括两根相距一定间隔布置的立柱和布置于两根立柱一侧的横杆,两根立柱的形状一致,高度为亚波长,横杆的长度方向与立柱的布置方向相同,横杆与两根立柱之间的距离相等,立柱为其横截面半径由其基底侧至其顶端侧逐渐收缩的类圆锥体,横杆的高度小于立柱,横杆的纵截面为尺寸一致的半椭圆面;该器件在中红外线偏振光正入射情况下,呈现窄线宽完美吸收峰,对比需要倾斜入射的器件,本申请极大地提升了器件的实用性和易用性。
  • 柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法-201811605620.2
  • 冯雪;王志建;陈颖 - 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
  • 2018-12-26 - 2022-12-20 - H01L31/09
  • 一种柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法,包括下电极、氮化铝膜层及上电极,所述下电极包括铝基底,所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层,所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述下电极上,所述上电极形成于所述第二氮化铝膜层上,所述第一氮化铝膜层由所述铝基底的表面经过氮化处理而形成。该柔性日盲型紫外光探测器中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。
  • 基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法-202010588569.X
  • 殷红;李冬冬;高伟 - 吉林大学
  • 2020-06-24 - 2022-12-13 - H01L31/09
  • 一种基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法,包括衬底、紫外光敏层和叉指电极,其中紫外光敏层为高质量六方氮化硼厚膜,对日盲波段有很好的响应。所述六方氮化硼厚膜本身具有的固有性能非常卓越,通过离子束溅射沉积方法制备六方氮化硼厚膜纯度非常高,具有良好的稳定性、厚度可控、无毒无污染等优点,通过掺杂目标杂质可以调整带隙宽度,从而提高了深紫外光电探测器的光电导增益和短波段光响应,实现紫外光电探测器对日盲波段的有效探测。
  • 雷达传感器-201710924853.8
  • 李健胜;朱玉珍 - 深圳市雷克斯托通信有限公司
  • 2017-10-02 - 2022-11-25 - H01L31/09
  • 本发明涉及半导体集成电路技术领域,尤其涉及一种具有共用结构的半导体雷达传感器,包括多个在垂直与水平方向上排列成为二维行列分布的光电传感器;其中,光电传感器包括两个三极管、五个N晶体管与二个P晶体管。优点:该雷达传感器解决了电子标签、无人车、无人机等基于电磁介质传播领域的易干扰、功耗大的问题。
  • 一种红外焦平面阵列及其制备方法-202111317545.1
  • 薛春来;徐国印;丛慧;徐驰 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-11-08 - 2022-11-11 - H01L31/09
  • 本公开提供了一种红外焦平面阵列及其制备方法,其中,红外焦平面阵列包括:图形衬底;IV族材料外延层,生长于上述图形衬底上;钝化层,覆盖于上述IV族材料外延层上,且设有第一电极孔和第二电极孔;第一电极,设置于上述第一电极孔内,与上述图形衬底相连接;第二电极,设置于上述第二电极孔内,与上述IV族材料外延层相连接;抗氧化层,覆盖于上述钝化层上,且设有通孔;互联金属层,设置于上述通孔内。本公开提供的红外焦平面阵列中的带有图形的图形衬底能够增加进入IV族材料外延层中的光,并且能够改善外延材料的应力,提高外延材料质量,同时,采用IV族材料还可以提高红外焦平面阵列的读出电路的兼容性,以及降低制作成本。
  • 带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器-202210911667.1
  • 张庆芳;卢温翔;张吉涛;陈芊羽;张培;秦自瑞;曹玲芝 - 郑州轻工业大学
  • 2022-07-30 - 2022-11-01 - H01L31/09
  • 本发明属于光电子硅基集成电路技术领域,涉及带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器,包括由下至上依次设置的:衬底层、赝衬底层、驰豫层、有源区;驰豫层为n+型GeSn驰豫层,有源区由下至上依次为n+型GeSn层、本征GeSn层和p+型GeSn层;有源区为空心圆柱,有源区周围包裹一层应变薄膜;在p+型GeSn层上设置第一金属电极,在驰豫层顶端、有源区外侧设置第二金属电极。发光器制备过程中应变薄膜内残余应力释放,向有源区引入张应变,有源区张应变的引入使导带Γ能谷比L能谷更加剧烈下降,促进GeSn合金向直接带隙材料转变,器件发光波长向中红外2~5μm拓展,并有效提高GeSn发光效率。
  • 一种基于无定形态In掺杂Ga2-202210903894.X
  • 阮圣平;周瑞恒;刘彩霞;周敬然;李昕;马艳 - 吉林大学
  • 2022-07-29 - 2022-11-01 - H01L31/09
  • 一种基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。由石英衬底、无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层和Au金属叉指电极组成。首先将石英衬底清洗干净并干燥,然后在去离子水中加入九水合硝酸镓、四水合硝酸铟、聚氧乙烯月桂醚和柠檬酸,得到In掺杂的Ga2O3前驱体溶液;再在石英衬底上旋涂前驱体溶液,经烘干、衬底冷却、烧结后得到无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层;最后经过光刻、磁控溅射,在光敏感层上得到Au金属叉指电极;从而制备出工艺简单易行、工序少、成本低廉、对紫外光有较高响应的基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top