[发明专利]一种用于提高砷化镓光导开关光能利用率的光学结构在审
| 申请号： | 202310744520.2 | 申请日： | 2023-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN116931244A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李嵩;韦金红;樊鹏;付泽斌;葛行军;贺军涛;钱宝良 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G02B17/08 | 分类号： | G02B17/08;G02B27/09;H01L31/08;H01L31/0232;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 陈晖 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于提高砷化镓光导开关光能利用率的光学结构，目的是解决能量浪费，导通电阻高的问题。本发明由砷化镓光导开关、柱面透镜、4个反射镜、平凹柱面镜组成；第一反射镜、柱面透镜、砷化镓光导开关和第二反射镜中心相对依次从上到下水平排列；柱面透镜的左端面与第三反射镜的反射面粘接，右端面与第四反射镜的反射面粘接，轴线穿过第三、第四反射镜的中心；第一反射镜中间位置的圆形通孔内部设置平凹柱面镜；砷化镓光导开关、第三反射镜、第一反射镜、平凹柱面镜和第四反射镜构成内部包含柱面透镜的密闭空间。本发明可使入射脉冲激光被砷化镓光电导衬底充分吸收，提高了脉冲激光能量的利用率，并降低了砷化镓光导开关的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 砷化镓光导 开关 光能 利用率 光学 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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