[发明专利]利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路及方法有效

专利信息
申请号: 202310658846.3 申请日: 2023-06-06
公开(公告)号: CN116388546B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 杨鑫;刘岩超;李清 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: H02M1/34 分类号: H02M1/34
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 王娟;曾利平
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路及方法,所述电路包括SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2、耦合线圈、寄生电感以及负电感模拟器;SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2依次连接并与直流母线连接构成功率回路,耦合线圈的一次侧电感串联于功率回路中,耦合线圈的二次侧电感与负电感模拟器串联构成二次侧回路;根据负电感模拟器的等效电感与耦合线圈、寄生电感之间的关系来确定负电感模拟器的等效电感,从而确定负电感模拟器中无源元件的参数。本发明可以利用负电感模拟器的等效电感来消除功率回路中的寄生电感,实现开关振荡抑制的目的。
搜索关键词: 利用 电感 消除 寄生 振荡 抑制 电路 方法
【主权项】:
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