“刘岩超”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路及方法-CN202310658846.3有效
发明人：杨鑫;刘岩超;李清 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路及方法，所述电路包括SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2、耦合线圈、寄生电感以及负电感模拟器；SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2依次连接并与直流母线连接构成功率回路，耦合线圈的一次侧电感串联于功率回路中，耦合线圈的二次侧电感与负电感模拟器串联构成二次侧回路；根据负电感模拟器的等效电感与耦合线圈、寄生电感之间的关系来确定负电感模拟器的等效电感，从而确定负电感模拟器中无源元件的参数。本发明可以利用负电感模拟器的等效电感来消除功率回路中的寄生电感，实现开关振荡抑制的目的。
利用电感消除寄生振荡抑制电路方法

[发明专利]碳化硅MOSFET干扰源建模方法、设备及存储介质-CN202310905424.1有效
发明人：杨鑫;李清;王潇迪;刘岩超 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET干扰源建模方法、设备及存储介质，该方法包括构建考虑高频寄生参数的碳化硅MOSFET等效测试电路模型；基于碳化硅MOSFET等效测试电路模型，对碳化硅MOSFET开关过程进行分析，得到漏源电压在开关过程中的通用波形；根据漏源电压在开关过程中的通用波形计算出碳化硅MOSFET在时域的分段函数表达式；根据分段函数表达式构建碳化硅MOSFET干扰源的通用波形模型。本发明可以更为精确预测电磁干扰，极大提高了预测电磁干扰的准确性。
碳化硅 mosfet 干扰建模方法设备存储介质

[发明专利]集成振荡抑制电路的功率模块及方法-CN202310405174.5有效
发明人：杨鑫;刘岩超 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成振荡抑制电路的功率模块及方法，所述功率模块包括SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2、第一过压抑制单元、第二过压抑制单元、耦合电路、负载端子、DC‑端子以及DC+端子；耦合电路是由电阻Rc与电感Lc构成的回路，电感Lc包括磁芯以及绕制在磁芯上的线圈，磁芯还与DC+端子、或DC+端子和DC‑端子通过电磁感应产生虚拟电感Lv。本发明通过引入的虚拟电感增加直流母线的寄生电感，实现了SiC MOSFET管的零电压开通，降低了开关损耗，提高了振荡抑制效果；同时，利用过压抑制单元有效抑制了SiC MOSFET管关断过程中的过电压。
集成振荡抑制电路功率模块方法

[发明专利]集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块-CN202211569894.7在审
发明人：杨鑫;刘岩超;王潇迪;许梦伟;李清;欧阳晓平 -专利权人：湖南大学;长沙半导体技术与应用创新研究院
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块，功率模块包括在高度方向由上到下依次设置的第二铜层、绝缘层、第一铜层；绝缘层上开设有凹槽，凹槽中容纳有线圈；环形结构的高度小于凹槽高度，线圈与第二铜层之间设置有绝缘材料；功率模块还包括第一电阻、第一电容；线圈与第一电阻、第一电容相互串联在第一回路中；第二铜层上设置有第一碳化硅MOSFET芯片、第二碳化硅MOSFET芯片、第二电容，第一碳化硅MOSFET芯片具有第一栅极、第一源极、第一漏极，第二碳化硅MOSFET芯片具有第二栅极、第二源极、第二漏极；第一源极与第二漏极电连接，第一漏极、第二源极之间电连接有第二电容。
集成耦合阻尼线圈碳化硅 mosfet 芯片功率模块

[发明专利]一种新型P-VRC控制器及其参数设计方法与应用-CN202011578019.6在审
发明人：刘一琦;刘岩超;陈建龙 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：本发明“一种新型P‑VRC控制器及其参数设计方法与应用”，属于电路控制技术领域技术领域，所述新型P‑VRC控制器的特征在于P‑VRC控制为一种基于αβ静止坐标系下的VRC控制，所述基于αβ静止坐标系下VRC控制系统传递函数为：所述新型P‑VRC控制器用于MMC‑STATCOM的P‑VRC谐波控制，对不平衡电流有较好的补偿控制响应速度和跟踪精度，并且控制器的参数设计是稳定、正确且有效的。
一种新型 vrc 控制器及其参数设计方法应用

[发明专利]混合型MMC子模块电容电压双向均衡拓扑-CN202110015669.8在审
发明人：刘一琦;刘岩超;金泳霖;陈建龙;李炳坤;段昭宇 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明将提出了一种基于二极管钳位电路的双向均衡的混合型MMC拓扑结构，由n/2个半桥子模块和n/2个全桥子模块以及n‑1附加系列装置组成。本发明以五电平混合MMC拓扑为例进行说明。它由两个半桥式模块、两个全桥式模块和三个附加单元组成。其中，HBSM之间连接的附加单元和HBSM与FBSM之间连接的附加单元相同。每个单元包括两个平行的分支。支路1只包含一个二极管，支路2为二极管与开关反向串联(IGBT和反向并联二极管)，电感接至支路1和支路2的公共支路上。在FBSM之间连接的附加单元，支路1与支路2的结构相同，均由串联二极管、电感和开关(IGBT和反向并联二极管)构成。与传统的软件电压平衡方法相比，该拓扑主要具有两点优势，首先，简化了控制框架，省略了电压平衡控制环节，节省控制资源；其次，减少了电压传感器的数量，降低控制系统的复杂程度，使通讯压力下降。此外，与其他一些硬件电压平衡电路相比，此拓扑不但能够实现双向均衡还减少了电路中电感的数量有效降低了硬件成本。
混合 mmc 模块电容电压双向均衡拓扑

[发明专利]MMC-STATCOM新型子模块电容电压双向均衡拓扑-CN202010183076.8在审
发明人：刘一琦;刘岩超 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：本发明将提出了一种基于二极管钳位电路的双向均衡新型MMC拓扑结构，由n个双向二极管钳位电路的MMC子模块和n‑1附加系列装置组成。每个单元包括两个平行分支。分支1是串联二极管和电感，分支2是反向串联二极管、电感和附加开关(IGBT和反向并联二极管)。对于SMi中附加开关S2i的开关状态被指定为与SMi+1中S2的开关状态相同。该均衡拓扑的第一个优点是，通过多电平方式能够提高输出无功电流的质量；第二个优点是，新型拓扑可以实现外部条件介入的均衡控制，提高其稳定性；第三个优点是，模块化结构便于灵活扩展补偿容量，以模块化取代系列化，缩短研制周期。第四个优点是，仅用硬件便可实现电容电压的双向均衡，同时可以提高均衡精度，降低装置的体积，节省控制资源。
mmc statcom 新型模块电容电压双向均衡拓扑

1
共 7 条