[发明专利]一种二维铟掺杂的铋氧硒及其制备方法和应用

摘要

本发明属于半导体材料在器件中的应用技术领域，公开了一种二维铟掺杂的铋氧硒(In‑Bi2O2Se)及其制备方法和在半导体器件上的应用。所述二维铟掺杂的铋氧硒是将硒化铋和氧化铋作为生长源，硒化铟作为掺杂源，以放置在石英舟上的云母为衬底，通过化学气相沉积法制备出来的。所述的Bi2Se3和Bi2O3具有一定的化学质量比，作为掺杂剂的InSe具有特定的质量，所述的云母衬底为氟金云母，所述的反应设备为管式炉。制备出来的In掺杂Bi2O2Se形状规则，In元素在Bi2O2Se中分布均匀，且具有良好的光电性能和优异的响应性能，可用于二维半导体器件的制备，相对于其他半导体材料具有较大的优势。