[发明专利]一种低介电损耗的改性BaTi2在审

专利信息
申请号: 202310337170.8 申请日: 2023-03-31
公开(公告)号: CN116925481A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 符小艺;马腾飞;卢振亚 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08K9/10;C08K7/00;C08K3/24;C08J5/18
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 苏运贞
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种低介电损耗的改性BaTi2O5/PVDF复合薄膜材料及其制备方法。陶瓷/聚合物材料拥有较大的介电常数,但通常介电损耗较大,本发明目的是为了提高复合材料的介电常数,同时降低介电损耗。该方法选用高介电常数的BaTi2O5纳米线作为填充材料,先利用具有低介电损耗的SiO2对其表面包覆,再与PVDF基体复合得到改性BaTi2O5/PVDF复合薄膜。此改性法有效的降低了复合薄膜的介电损耗。在室温条件下,本方法制备得到的复合薄膜材料,1000Hz时测试的介电常数最大可达到42.22,介电损耗可低至0.09。
搜索关键词: 一种 低介电 损耗 改性 bati base sub
【主权项】:
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