[发明专利]一种硅基芯片电离辐照敏感位置的识别方法在审
| 申请号： | 202310316694.9 | 申请日： | 2023-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN116148639A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张光辉;杨萍;刘杨;周航;孟德超 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 唐邦英 |
| 地址： | 621054 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基芯片电离辐照敏感位置的识别方法，涉及电离辐照效应评估领域，获取硅基芯片所配置的晶体管的编号分类信息；设定辐射源进行电离辐射的总剂量和中间辐照测试取样的剂量点；利用微纳探针对未进行电离辐射的晶体管进行电学测试，得到由编号分类信息对应的晶体管的第一电学参数；利用辐射源对硅基芯片所配置的晶体管进行辐照，在辐照时间达到剂量点对应的预设时间时，利用微纳探针对已进行电离辐射的晶体管进行测试，得到由编号分类信息对应的晶体管的第二电学参数；在由编号分类信息对应的晶体管的第一电学参数和第二电学参数的变化程度超出预设阈值时，基于编号分类信息识别出硅基芯片的电离辐射敏感位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 电离 辐照 敏感 位置 识别 方法 | ||
【主权项】：
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