[实用新型]一种存储单元结构有效
| 申请号： | 202223235936.1 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN219372993U | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺 | 申请（专利权）人： | 天津市滨海新区微电子研究院 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00;G11C5/06;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300450 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种存储单元结构，包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、写位线WBL、写字线WWL、读字线RWL和读位线RBL，其中，所述晶体管M1的漏极连接所述写位线WBL、栅极连接所述写字线WWL、源极连接所述晶体管M2的栅极；所述晶体管M2的源极接地、漏极与所述晶体管M3的源极连接；所述晶体管M3的栅极连接所述读字线RWL、漏极连接所述读位线RBL；所述写位线WBL、所述写字线WWL、所述读字线RWL和所述读位线RBL分别连接第一、第二、第三和第四电源模块。该存储单元结构简单，并且写路径与读路径分离，降低了写和读之间的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市滨海新区微电子研究院，未经天津市滨海新区微电子研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202223235936.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种剥离胶带保持力试验机
- 下一篇：一种烟气降温装置
