[实用新型]一种半导体材料的单晶生长装置有效

专利信息
申请号: 202221370335.9 申请日: 2022-06-03
公开(公告)号: CN217709750U 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 陈龙;陈瑜 申请(专利权)人: 陕西铟杰半导体有限公司
主分类号: C30B9/04 分类号: C30B9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 727031 陕西省铜川市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种半导体材料的单晶生长装置,包括生长装置和密封装置,所述生长装置包括有外炉,所述外炉的内壁左右两侧装设有固定板,所述固定板远离外炉内壁的一侧装设有密封仓,所述固定板的底部装设有保温板,所述保温板在密封仓与外炉的内壁之间,所述密封仓的内壁左右两侧装设有坩埚,所述密封仓的内壁底部装设有放置台,所述放置台的顶部装设有加热器;所述密封装置包括有放置在密封仓顶部的密封罩,所述密封罩的内部插接有压杆,所述压杆的上端装设有手柄,所述手柄在密封罩的上方,所述压杆的下端装设有限位板。该半导体材料的单晶生长装置,具有密封效果好,可隔热保温的优点。
搜索关键词: 一种 半导体材料 生长 装置
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