[发明专利]一种熔盐法生长晶体的特殊工艺方法在审
| 申请号： | 201410369974.7 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104141167A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;王昌运 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/04 | 分类号： | C30B9/04 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种熔盐法生长晶体的特殊工艺方法，尤其是能够生长高质量单晶的方法。为了减少或消除由于气氛对流导致的晶体生长缺陷，本发明采用了密闭生长系统进行晶体生长。采用了无观察孔和照明孔的炉盖，并在生长坩埚上盖上一片坩埚盖片。同时，为了判断籽晶是否接触到页面，本发明采用了一套简单的直流电流回路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔盐法 生长 晶体 特殊 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种熔盐法生长晶体的特殊工艺方法，其特征是采用密闭系统进行晶体生长。
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