[实用新型]LED电子阻挡层、LED外延片及半导体器件有效
| 申请号： | 202220718660.3 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN217544638U | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 韩娜;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/22 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 王广浩;唐灵 |
| 地址： | 215101 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种LED电子阻挡层、LED外延片及半导体器件，位于量子阱有源层和接触层之间，包括BAlN阻挡层，BAlN阻挡层包括：BAlN粗化层，BAlN粗化层至少包括第一粗化结构；BAlN非粗化层，BAlN粗化层位于量子阱有源层和BAlN非粗化层之间。本实用新型的LED电子阻挡层利用BAIN阻挡层取代常规的p型AlGaN电子阻挡层，可以减小与量子阱的界面缺陷，规避高Al组分AlGaN EBL的p型掺杂问题。同时，通过在BAIN阻挡层下方粗化形成BAIN粗化层，可以实现对有源区电子的储藏，进一步减小有源区电子的溢出问题，进而增加发光强度，提高深紫外LED的功率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 电子 阻挡 外延 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏第三代半导体研究院有限公司，未经江苏第三代半导体研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202220718660.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种适用于不锈钢真空杯的多功能检测装置
- 下一篇：一种防火型金属面洁净板
