[发明专利]一种成膜装置晶片加热热场在审
| 申请号： | 202211545297.0 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN116024654A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;徐文立;沈磊 | 申请（专利权）人： | 宁波恒普真空科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B25/16 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 郑粟文 |
| 地址： | 315300 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种成膜装置晶片加热热场，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口。本发明中的成膜装置晶片加热热场，热场置于基座内部可以确保晶片的升温效率，避免外周部气体流动的影响。基座内部热场发热面正对晶片背面，由多个发热体共同组成，尽可能增大发热面且面内各处保持相同的发热量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 装置 晶片 热热 | ||
【主权项】：
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