[发明专利]磁存储器件在审
| 申请号： | 202211477599.9 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN116171052A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | S.P.帕金;梁时熏;尹智湖;皮雄焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的导线以及在导线上在第一方向上延伸的磁道。磁道包括：顺序堆叠于导线上的下磁层、间隔层和上磁层，以及在间隔层上且邻近上磁层的侧面的非磁图案。非磁图案与下磁层的一部分垂直重叠。下磁层和上磁层通过间隔层彼此反铁磁耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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