[发明专利]真空吸附加热盘的沟槽结构及真空吸附加热盘在审
| 申请号： | 202211412420.1 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115910899A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 宋宇 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王雪莎 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种真空吸附加热盘的沟槽结构及真空吸附加热盘，涉及半导体设备的技术领域。真空吸附加热盘的沟槽结构包括加热盘盘体；加热盘盘体上开设有至少三个供顶针升降的顶针孔、多个用于抽吸气体的吸附孔和多道吸附流道，吸附流道与吸附孔连通；吸附流道的最外围位于多个顶针孔围成的圆的外侧，且顶针孔位于吸附流道围成的范围外；加热盘盘体位于吸附孔处开设有抽气流道。真空吸附加热盘包括真空吸附加热盘的沟槽结构。达到了真空吸附加热盘和晶圆之间传热均匀的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 吸附 加热 沟槽 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
