[发明专利]显示面板在审
| 申请号： | 202211224574.8 | 申请日： | 2022-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN116033790A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 梁熙星;裵俊和;申琇景;曺雨辰 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H10K59/121 | 分类号： | H10K59/121;H10K59/122;H10K59/123;H10K59/131 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 朴英淑 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本发明的一实施例涉及的包括发光区域以及与发光区域相邻的不发光区域的显示面板中，显示面板包括：发光元件，包括第一电极、配置在第一电极上的发光层以及配置在发光层上的第二电极；像素定义膜，定义有使第一电极露出的第一开口部；以及第一封装层，配置在第二电极上且与发光元件重叠，第一封装层包括配置在第二电极上的第一无机层以及配置在第一无机层上的第二无机层，第二电极的上表面包括至少一个第一高低差部，第二无机层的下表面与第一无机层的上表面接触，第一无机层的上表面和第二无机层的上表面之中的至少一个是平坦面。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 面板 | ||
【主权项】：
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- 加納正隆 - 华为技术有限公司
- 2021-01-27 - 2023-10-10 - H10K59/121
- 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，用于以更低的工艺复杂度同时实现多晶硅TFT和氧化物TFT。所述半导体器件包括形成于基板上的第一和第二薄膜晶体管结构。所述第一TFT结构包括第一晶体管和所述第一晶体管上的电容器，所述第二TFT结构包括底部金属层、所述底部金属层上的第二绝缘层和所述第二绝缘层上的第二晶体管。所述电容器的下电极包括与所述底部金属层相同的金属材料，所述电容器的介质层包括与所述第二绝缘层相同的绝缘体材料，所述电容器的上电极包括与所述第二晶体管的半导体有源层相同的氧化物半导体材料。
- 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置-202180004301.X
- 王东方;刘威;黄杰 - 京东方科技集团股份有限公司
- 2021-12-29 - 2023-10-10 - H10K59/121
- 一种阵列基板(10)及阵列基板(10)的制造方法、显示面板(30)和显示装置，属于显示技术领域。阵列基板(10)包括衬底基板(11)和位于衬底基板(11)上的驱动薄膜晶体管(12)，其中，驱动薄膜晶体管(12)包括在衬底基板(11)上依次层叠的第一栅极(121)、第一绝缘层(122)、第一有源层(123)、第二绝缘层(124)以及第一源漏极(125，126)，第一绝缘层(122)的厚度大于第二绝缘层(124)的厚度，因此降低了驱动薄膜晶体管(12)的第一栅极(121)对第一有源层(123)的调控能力，从而能够增大驱动薄膜晶体管(12)的亚阈值摆幅，进而可以提升驱动薄膜晶体管(12)对显示面板(30)上的发光器件的灰阶的调节能力。
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