[发明专利]一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法在审
| 申请号： | 202211196516.9 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115631814A | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;江弘胜;李国强 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G16C60/00 | 分类号： | G16C60/00;G16C20/50;G16C20/90 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法，包括以下步骤：(1)对块体InGaN材料的原子结构模型进行几何优化；(2)构建二维InGaN的原子结构模型：从几何优化后的块体InGaN材料中沿c面切出表面，沿c轴方向添加真空层构建晶胞；在二维InGaN材料的表面添加赝氢原子，氢原子成键方向垂直于c轴；(3)计算二维InGaN材料的能带结构：首先对二维InGaN材料的原子结构模型进行几何优化，接着通过单点能计算输出电荷分布情况，最后计算二维InGaN材料的能带结构，读取单点能计算输出的电荷分布。本发明解决了非层状二维材料设计中计算难收敛的问题，减少了材料设计的时间，提高了效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 vasp 软件 二维 ingan 材料 设计 方法 | ||
【主权项】：
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