[发明专利]一种光学级偏磷酸铝的制备方法有效
| 申请号： | 202210515187.3 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN115028152B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 马志明;秦明升;陈曼玉;徐小峰;程龙;姜朋飞 | 申请（专利权）人： | 上海太洋科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B25/44 | 分类号： | C01B25/44;C08F292/00 |
| 代理公司： | 北京中知星原知识产权代理事务所(普通合伙) 11868 | 代理人： | 艾变开;王维佳 |
| 地址： | 201906 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种光学级偏磷酸铝的制备方法，包括以下步骤：(T1)制备聚合物接枝改性的聚多巴胺包覆SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 光学 磷酸 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明公开了一种高纯度偏磷酸铝粉末的制备方法，包括磷酸二氢铝(Al(H2PO4)3)溶液的制备、一水酸式磷酸铝(AlH2P3O10·H2O)的制备、粉末酸式磷酸铝的制备、粉末状偏磷酸铝的制备四个步骤。本发明制备的偏磷酸铝无需粉碎设备即可得到粉末状偏磷酸铝，生产过程中与烧结容器不粘接，制备的偏磷酸铝纯度高，各有色金属元素杂质的浓度在5ppm以下，工艺所需设备投资小，适合大规模工业化生产。
- 一种偏磷酸镍微纳米材料及其制备方法和应用-201610506587.2
- 刘乔;杨为佑 - 宁波工程学院
- 2016-06-27 - 2018-08-17 - C01B25/44
- 本发明涉及一种偏磷酸镍微纳米材料及其制备方法和应用。该微纳米材料呈纳米片阵列结构，纳米片片层厚度低于20nm。其通过以下制备方法制成：将可溶性镍盐和弱碱分子溶于溶剂，和碳布共同反应获得含镍前驱体/碳布复合物，然后将含镍前驱体/碳布复合物和磷酸化合物于惰性气氛中热处理得到偏磷酸镍微纳米材料。本发明基于结构复制思路，采用两步法分别达到微纳米结构的制备和偏磷酸镍晶相的生长，实现具有单一晶相的偏磷酸镍微纳米材料制备，实验操作简单、安全，可实现规模化生产和应用。所制备的偏磷酸镍微纳米材料具有显著的赝电容特性，放电电流为1A/g时，比电容大于2000F/g，在电化学储能方面具有良好的潜在应用前景。
- 对偏磷酸铝进行球磨的方法-201580028837.X
- K·E·希尔;M·J·穆塔 - 康宁股份有限公司
- 2015-05-28 - 2017-02-22 - C01B25/44
- 制备偏磷酸铝(ALMP)微粒产品的方法包括：球磨机的研磨室装料研磨介质，以及将ALMP进料装载到研磨室中。以0.25‑0.5的颗粒降低指数，用研磨介质将ALMP进料研磨成ALMP颗粒。在进行研磨时间段期间的多个时间阶段，从研磨室去除ALMP颗粒的细部分，同时使得ALMP颗粒的粗部分仍然留在研磨室内进行额外研磨。从由研磨室取出的ALMP颗粒制备具有中值粒度为100‑700μm的粒度分布的ALMP微粒产品。
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