[发明专利]一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210361621.7 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114864888B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 易旭;廖寄乔;戴朝晖;卢治斌;曾鹏 | 申请（专利权）人： | 湖南金硅科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 413000 湖南省益阳市益阳*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料及其制备方法和应用。将SiO粉末在CVD炉中进行气相沉积碳包覆，然后以SiO/C为核，通过在SiO/C上原位结晶生成二氟草酸硼酸锂包覆层，获得二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料，该复合材料由二氟草酸硼酸锂原位沉积并均匀包覆在SiO/C颗粒表面构成，碳包覆层能够有效提高导电性和为SiO材料的膨胀过程中提供缓冲，而二氟草酸硼酸锂在负极表面能形成稳定且致密的SEI膜，不易破裂，能够持续而有效减缓SEI膜对于锂源的消耗，同时减少锂枝晶生成，增加电池材料的使用寿命和电池的高低温性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 草酸 硼酸 掺杂 sio 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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