[发明专利]一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210361621.7 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114864888B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 易旭;廖寄乔;戴朝晖;卢治斌;曾鹏 | 申请（专利权）人： | 湖南金硅科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 413000 湖南省益阳市益阳*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 草酸 硼酸 掺杂 sio 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）通过CVD气相沉积在SiO粉体表面生成碳包覆层，得到碳包覆SiO复合材料；
2）将草酸溶于四氟硼酸锂有机溶液后，加入碳包覆SiO复合材料，再在搅拌条件下缓慢滴加无水氯化铝进行反应，反应完毕后，依次进行静置结晶、过滤和干燥，即得二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料；所述静置结晶的条件为：温度为大于-40℃，且小于0℃，时间为0.5~10h。
2.根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料的制备方法，其特征在于：所述SiO粉体的粒径D50为3~8μm。
3.根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料的制备方法，其特征在于：所述CVD气相沉积的条件为：气体碳源流量为0.5~5L/min，温度为600~950℃，时间为0.5~5h。
4.根据权利要求3所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料的制备方法，其特征在于：所述气体碳源为天燃气、乙烷、乙烯、丙烯、乙炔中至少一种。
5. 根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料的制备方法，其特征在于：所述碳包覆SiO复合材料与四氟硼酸锂及草酸的质量比为100 : 2~10 : 1~20。
6.根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料的制备方法，其特征在于：所述无水氯化铝的质量为四氟硼酸锂质量的0.2%~2%。
7.根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料的制备方法，其特征在于：所述反应的条件为：温度为0℃~20℃，时间为0.5~10h。
8.一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料，其特征在于：由权利要求1~7任一项所述的制备方法得到。
9.权利要求8所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料的应用，其特征在于：作为锂离子电池负极材料应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南金硅科技有限公司，未经湖南金硅科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210361621.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
