[发明专利]具有使用减材图案化形成的底部部分的堆叠过孔在审
| 申请号： | 202210125604.3 | 申请日： | 2022-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN115084086A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | A·C-H·韦;G·布歇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了用于制造IC结构的方法以及所得到的IC结构，该IC结构包括堆叠过孔，该堆叠过孔提供金属化堆叠体的不同层的金属线之间的电连接。示例IC结构包括第一金属化层和第二金属化层，其分别包括底部金属线和顶部金属线。该IC结构还包括具有底部过孔部分和顶部过孔部分的过孔，其中顶部过孔部分堆叠在底部过孔部分上方(因此，该过孔可以被称为“堆叠过孔”)。底部过孔部分耦接到底部导电线并且与其自对准，而顶部过孔部分耦接到顶部导电线并且与其自对准。底部过孔部分使用减材图案化形成，而顶部过孔部分可以使用不同的制造技术形成，例如镶嵌制造。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 使用 图案 形成 底部 部分 堆叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210125604.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
