[发明专利]考虑偏移与分叉的绝缘介质放电流注仿真方法在审
| 申请号： | 202210113815.5 | 申请日： | 2022-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN115879385A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李斯盟;卜泽伟;刘志华;党永亮;汲胜昌 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G06F30/28 | 分类号： | G06F30/28;G06F113/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 公开了一种考虑偏移与分叉的放电流注仿真方法，方法中，绝缘介质布置于电场环境中且测定绝缘介质中放电流注分叉点数量范围与每次分叉产生的有效电子崩的数量范围，基于流体动力学漂移扩散模型与双极性载荷子模型构建流注模拟的控制方程与边界条件，方程求解过程中引入基于电子崩发展概率理论修正的模型参数，实现了流注偏移与分叉现象的数学描述与仿真计算，最终可获得考虑偏移与分叉的放电流注发展过程所伴随的电场分布与电荷分布。 | ||
| 搜索关键词： | 考虑 偏移 分叉 绝缘 介质 放电 流注 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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