[发明专利]形成微电子装置和存储器装置的方法，以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在审
| 申请号： | 202180052002.3 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN116210357A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | K·R·帕雷克 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B43/20 | 分类号： | H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成微电子装置的方法包括形成微电子装置结构。所述微电子装置结构包括半导电基底结构以及竖直地覆在所述半导电基底结构上面并且包括存储器单元的存储器阵列区。所述微电子装置结构附接到基底结构。在将所述微电子装置结构附接到基底结构之后，移除所述半导电基底结构的一部分。控制逻辑区竖直地形成在所述半导电基底结构的其余部分上方。所述控制逻辑区包括与所述存储器阵列区的所述存储器单元电连通的控制逻辑装置。还描述了微电子装置、存储器装置、电子系统和额外方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 微电子 装置 存储器 方法 以及 相关 电子 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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