[发明专利]用于保持晶片边缘的材料完整性的唇形密封件边缘排除工程

摘要

将金属顺序电沉积到半导体衬底上的贯穿掩模的特征中，以减少唇形密封件对掩模材料的压力的有害后果。在第一电镀步骤中，使用唇形密封件电沉积第一金属(例如，镍)，该唇形密封件具有在距衬底边缘第一距离处与半导体衬底接触的最内接触点。在第二电镀步骤中，第二金属(例如锡)使用具有与半导体衬底接触的最内接触点(该最内接触点距衬底边缘的距离大于第一距离)的唇形密封件进行电沉积。这允许至少部分地从可能在第一电沉积步骤期间损坏的点转移唇形密封件压力，并防止在第一电镀步骤期间可能在掩模材料中形成的任何裂缝受电解液影响。