[实用新型]一种黑硅基紫外光电传感器

摘要

本实用新型涉及光电传感器领域，具体涉及一种黑硅基紫外光电传感器，包括硅衬底、黑硅结构、氧化铝薄膜、P型掺杂区、N型掺杂区、电极和欧姆接触区，所述硅衬底为N型高阻硅片，与所述P型掺杂区和N型掺杂区共同构成PIN型光电探测器结构，所述黑硅结构由纳米结构与烟囱状或蜂窝状的微米结构复合所得，设置在硅衬底的正面；所述氧化铝薄膜通过原子层沉积技术沉积在黑硅结构表面，所述电极分为Ti电极和Au电极，所述欧姆接触区设置在硅衬底正面，与黑硅结构的边缘接触以确保导通。本实用新型可以实现对近紫外波段的探测且具有高量子效率，将微米结构设置成烟囱状、蜂窝状，改变了硅材料的能带结构，制备的黑硅反射率明显减少。