[发明专利]一种基于石墨烯膜的光导半导体开关有效

专利信息
申请号: 202111586363.4 申请日: 2021-12-22
公开(公告)号: CN114267749B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 李伟;李佳峻 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/112 分类号: H01L31/112;H01L31/18
代理公司: 成都正煜知识产权代理事务所(普通合伙) 51312 代理人: 徐金琼
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于石墨烯膜的光导半导体开关,属于光导半导体开关技术领域,克服传统开关的面电流密度高造成等离子体丝状电流,从而烧毁开关,变成体电流便于承受更高的电压。本发明包括栅型结构的半导体基片,依次设置在半导体基片上的第一过渡层、第一石墨烯膜和阴极,依次设置在半导体基片上的第二过渡层、第二石墨烯膜和阳极。本发明用于干扰和毁伤无人机、导弹等电子装备。
搜索关键词: 一种 基于 石墨 半导体 开关
【主权项】:
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