[发明专利]一种基于石墨烯膜的光导半导体开关有效
申请号: | 202111586363.4 | 申请日: | 2021-12-22 |
公开(公告)号: | CN114267749B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 李伟;李佳峻 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/112 | 分类号: | H01L31/112;H01L31/18 |
代理公司: | 成都正煜知识产权代理事务所(普通合伙) 51312 | 代理人: | 徐金琼 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于石墨烯膜的光导半导体开关,属于光导半导体开关技术领域,克服传统开关的面电流密度高造成等离子体丝状电流,从而烧毁开关,变成体电流便于承受更高的电压。本发明包括栅型结构的半导体基片,依次设置在半导体基片上的第一过渡层、第一石墨烯膜和阴极,依次设置在半导体基片上的第二过渡层、第二石墨烯膜和阳极。本发明用于干扰和毁伤无人机、导弹等电子装备。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 半导体 开关 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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