[发明专利]一种RTF反转处理铜箔的方法有效
| 申请号： | 202111543622.5 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114214623B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 金荣涛;张杰;杨红光;王小东 | 申请（专利权）人： | 九江德福科技股份有限公司;甘肃德福新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C4/134;C23C4/02;C23C4/11;C23C4/18;C25D5/12;C25D5/34;C25D5/48;C25D7/06;B08B7/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 332005 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种RTF反转处理铜箔的方法，包括如下步骤：依次进行：电解生箔光面等离子体清洗活化；电解生箔光面等离子喷涂氧化铝；电解生箔毛面清洗预处理；电解生箔毛面灰化镀锌处理；电解生箔毛面钝化处理；电解生箔光面涂覆硅烷偶联剂；成品箔烘干处理。本发明选用氧化铝陶瓷绝缘材料作为处理层，从根本上杜绝了现有的铜基处理层在PCB蚀刻过程中因蚀刻不净导致的短路风险，同时由于处理层为非导电层，趋肤效应仅仅局限于铜层，与铜箔后处理层的厚度和粗糙度无关。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rtf 反转 处理 铜箔 方法 | ||
【主权项】：
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